Бездислокационный кристалл

Cтраница 3

Как известно [104], энтальпия, связанная с образованием дислокаций, чрезвычайно велика, а энтропия мала. Именно поэтому можно получить бездислокационные кристаллы, ибо равновесное содержание дислокаций - менее одной на кристалл обычных размеров. [31]

Как известно [112], энтальпия, связанная с образованием дислокаций, чрезвычайно велика, а энтропия мала. Именно поэтому можно получить бездислокационные кристаллы, так как равновесное содержание дислокаций - менее одной на кристалл обычных размеров. [32]

Краевая дислокация в кристалле фталоцианида платины вверху - электрон-иомикросксшич снимок.| Схема наблюдения дислокаций по методу картин муара. а - наложены два одинаково ориентированных кристалла с разными параметра решетки. б - обе решетки имеют одинаковые параметры, но слегка разориентированы. В обоих случаях интерференционные полосы на картинах муара дают увеличенное изображение краевой дгс-локации, расположенной в одной из решеток.| Ряды дислокаций в плоскостях скольжения. 1онкая фольга нержавеющей стали в просвечивающем электронном микроскопе. Плоскости скольжения отмечены фигурными скобками. [33]

В результате скорость роста кристаллов определяется не процессом спонтанного образования плоских зародышей, а скоростью роста уже имеющихся ступеней. В последнее время из расплава выращены бездислокационные кристаллы кремния и германия, обладающие, по предварит, данным, прочностью, приближающейся к теоретич. [34]

Провиден теоретический анализ влияния условий выращивания на форму дислокационных и бездислокационных монокристаллов. Показано, что выращенные в одинаковых условиях бездислокационные кристаллы по сравнению с дислокационными должны иметь более широкие явные грани и больший диаметр. [35]

При этом было замечено, что рельеф типа булыжная мостовая возникает обычно на с-грани бездислокационных кристаллов, в то время как базисная поверхность кристаллов с дислокациями покрывается акцессориями с точечными вершинами. Тот факт, что скорость роста поверхности базиса бездислокационных кристаллов по порядку величины равна скорости роста этой поверхности для кристаллов, содержащих дислокации, свидетельствует об ином, недислокационном механизме нарастания пинакоида. Можно присоединиться к мнению К - Джексона [27], который полагает, что на пинакоидальной поверхности кварца имеет место нормальное отложение вещества ( с образованием характерного для неустойчивого фронта роста ячеистого рельефа), типичное для шероховатых граней. Подтверждение упомянутой точки зрения найдено при анализе морфологических деталей поверхности пинакоида бездислокационных кристаллов кварца. Очевидно, именно так должны проявляться неустойчивости, возникающие на протяжении всего времени роста кристалла. [36]

Интересно подчеркнуть, что если получены бездислокационные кристаллы материалов с ковалентными связями, то зарождение новых дислокаций в них сильно затруднено. Дэш показал, что тепловые напряжения, возникающие в бездислокационном кристалле Ge при кратковременном выведении его из расплава с последующим погружением, не создают каких-либо дислокаций. Вероятно, новые дислокации значительно легче образуются при наличии уже существующих. Например, в кристалле с плотностью дислокаций 103 см-2 после его выведения из расплава и последующего погружения плотность дислокаций возрастает более чем до 10е см-2. [37]

Снимки муара, полученные в интерферометре. [38]

В работах В. Ф. Миускова эффекты муара систематически используются в рентгеновской топографии реальных кристаллов. На рис. 96, а приведена рентгенограмма картин муара от бездислокационного кристалла кремния повышенной чистоты, полученная в трехкристальном интерферометре. [39]

Двукристальный спектрометр был изготовлен на базе дифрактометра УРС-50ИМ. Использовалось молибденовое Kaj 2 излучение при отражении ( 444) от бездислокационного кристалла германия. Величина дисперсии, обусловленная положением ( п - т) двукристального спектрометра, определялась экспериментально и учитывалась при расчетах. [40]

Ранее было показано, что использование бездислокационных затравочных пластин и специальных технологических приемов выращивания обеспечивает получение крупных практически бездислокационных пирамид с. При этом было замечено, что рельеф типа булыжная мостовая возникает обычно на с-грани бездислокационных кристаллов, в то время как базисная поверхность кристаллов с дислокациями покрывается акцессориями с точечными вершинами. Тот факт, что скорость роста поверхности базиса бездислокационных кристаллов по порядку величины равна скорости роста этой поверхности для кристаллов, содержащих дислокации, свидетельствует об ином, недислокационном механизме нарастания пинакоида. Можно присоединиться к мнению К - Джексона [27], который полагает, что на пинакоидальной поверхности кварца имеет место нормальное отложение вещества ( с образованием характерного для неустойчивого фронта роста ячеистого рельефа), типичное для шероховатых граней. Подтверждение упомянутой точки зрения найдено при анализе морфологических деталей поверхности пинакоида бездислокационных кристаллов кварца. Очевидно, именно так должны проявляться неустойчивости, возникающие на протяжении всего времени роста кристалла. [41]

Распределение температур в осевом ( Н и радиальном ( R направлениях в расплаве и слое флюса.| Выстраивание дислокаций по полосам скольжения в нижней части слитка. Отр. 220, пл. ( 111. Ув. Х8. [42]

GaP из-под высокого слоя флюса при тщательном подборе технологических режимов может стать одним из перспективных методов получения бездислокационных кристаллов этого. [43]

Дислокации, подобно другим дефектам, заметно влияют на физические свойства кристалла, поэтому важно уметь выращивать как бездислокационные кристаллы, так и кристаллы с известным количеством ( и типом) дислокаций. [44]

Свойства нитевидных кристаллов резко зависят от их толщины. Самыми замечательными их свойствами являются очень высокая упругость и большая прочность, приближающаяся к теоретическим значениям прочности, рассчитанным для идеальных, бездислокационных кристаллов. Прочность нитевидных кристаллов в десятки и даже сотни раз превосходит прочность обычных кристаллов тех же веществ. Причина столь высокой прочности заключается в том, что нитевидные кристаллы либо являются бездислокационными, либо дислокации в них расположены вдоль оси роста, так что в основном имеются винтовые компоненты дислокаций; поэтому нитевидный кристалл может деформироваться лишь вдоль своей оси. Нитевидный кристалл толщиной в несколько микрометров, по-видимому, содержит единственную винтовую дислокацию, ось которой расположена вдоль оси роста. [45]

Страницы: 1 2 3 4