Cтраница 2
Для получения затравочных кристаллов отвешенное количество ртути и равный или двойной объем белого фосфора вносят в ампулу, имеющую наружный диаметр 8 мм и длину 6 См. Ее помещают в печь, предварительно нагретую до 300 - 320 С. [16]
После контакта затравочного кристалла со стеклянной поверхностью сосуда в течение 12 с ( скольжение по поверхности) при 35 С и переохлаждении раствора на 1 7 С число видимых кристаллов через 45 мин равнялось 45, через 105 - 47 и далее не изменялось. После выдержки раствора в течение 165 мин степень переохлаждения увеличивалась до 4 7 С. [17]
Путем наращивания затравочных кристаллов алмазы могут быть синтезированы и вне области их устойчивости. Процесс сводится к термическому разложению СН4 ( ср. Х-4), причем освобождающийся атомарный углерод осаждается на поверхности кристаллов, продолжая их структуру. [18]
В качестве затравочных кристаллов используются природные или синтетические хризобериллы, которые помещают в платиновую рамку и опускают в расплав перед началом охлаждения. Используют 236 затравок, размещая их в два горизонтальных ряда по 118 штук. Рост продолжается от 7 до 9 недель, затем кристаллы разрезаются для отделения александрита от затравки. В патенте также упоминается о выращивании кристаллов методом вытягивания из расплава. Этим способом получены кристаллы весом до 400 карат, длиной до 7 5 см и размером в поперечнике около 2 см, однако кристаллы, выращенные из раствора в расплаве-наиболее привлекательные синтетические александриты. [19]
Плоские пластинки затравочных кристаллов ангидрита с размерами от 13x6 до 40x13 мкм приготовляют в отдельном аппарате и вносят одновременно с фосфатом в количестве 0 01 - 2 % от веса фосфата или 0 01 - 1 5 % от веса полугидрата. В кислоту переходит - 90 % Р205 фосфата при расходе на промывку 0 3 - 0 6 вес. [20]
Плоские пластинки затравочных кристаллов ангидрита с размерами от 13x6 до 40x13 мкм приготовляют в отдельном аппарате и вносят одновременно с фосфатом в количестве 0 01 - 2 % от веса фосфата или 0 01 - 1 5 % от веса полугидрата, В кислоту переходит - 90 % Р205 фосфата при расходе на промывку 0 3 - 0 6 вес. [21]
Блокируя поверхность затравочного кристалла алмаза, графит уменьшает суммарную скорость роста алмаза. Обозначим через р скорость зарастания поверхности затравочного кристалла алмаза графитом. [22]
Введение суспензии затравочных кристаллов сульфата натрия в концентрированный раствор высаливающего агента способствует образованию крупнокристаллического продукта, характеризующегося большой скоростью отстаивания. На 1 т мирабилита предлагается израсходовать 1 06 т высаливающей суспензии. [23]
Кроме того, затравочные кристаллы, по-видимому, оказывают эрозионное воздействие на образующийся слой накипи. В случаях, когда имеет место кристаллизация сульфата кальция при непрерывной циркуляции затравки, первоначальный химический и кристаллографический состав ее не играет существенной роли, важна дисперсность затравки, так как ее частицы быстро покрываются сульфатом кальция и присадка становится кристаллически идентичной составу накипи. [24]
Введенные в аппарат затравочные кристаллы определенным образом распределены по его объему. [25]
В описываемом методе затравочный кристалл крепится платиновой проволокой к массивному платиновому штоку. [26]
Напротив, если затравочный кристалл, ось которого совпадает с [100], огранить боковыми гранями, совпадающими с плоскостями 110, то области формирования граней 111 смещаются на плохо подплавляе-мые средние части боковых поверхностей затравочного кристалла. Основой при создании разных комплексов является то, что в двойниковых кристаллах кремния, индивиды в которых связаны между собой границами второго порядка, входящие двух -, трех и четырехгранные октаэдрические углы, образованные гранями - 111 различных индивидов сростка, являются местом зарождения нового кристалла, находящегося в двойниковом положении ко всем индивидам сростка. Интересно отметить, что однажды сдвойникованный по одной из плоскостей ( 111) индивид двойнику ется еще раз по общим плоскостям 111 с прилегающими к нему индивидами. [27]
В расплав вводят мелкие затравочные кристаллы и измеряют скорость перемещения границы между расплавом и кристаллизующимся веществом. [28]
Если имеется грань затравочного кристалла алмаза, вблизи которой концентрация атомов углерода в виде пара или химически связанного вещества ( например, в виде метана или ацетилена) превышает соответствующую равновесную, то избыток атомов углерода будет выделяться на грани. [29]
Введение же вместо затравочных кристаллов кварцевого песка уже не оказывает влияния на скорость выделения соли. [30]