Затравочный кристалл

Cтраница 3

Углерод высаживается на алмазном затравочном кристалле также из пересыщенного раствора углерода в расплавленном металле. [31]

Для инициирования роста кристалла затравочный кристалл опускают в расплав, плавно уменьшают его температуру и начинают вытягивать кристалл из расплава. Поскольку в большинстве модификаций метода Чохральского скрытая теплота кристаллизации выделяется главным образом за счет теплового излучения, интенсивность которого определяется излучающей площадью и температурой окружающей среды, диаметр кристалла зависит от соотношения между скоростью вытягивания и характером температурных полей. [32]

Затем в эту каплю вводится затравочный кристалл. [33]

Заданная кристаллографическая ориентация обеспечивается применением ориентированных затравочных кристаллов. Учитывая, что практически 100 % монокристаллов, выращиваемых методом бестигельной зонной плавки, используется с бездислокационной структурой, рассмотрим особенности получения именно таких монокристаллов. [34]

Наличие или отсутствие дислокаций в затравочном кристалле не является важным. [35]

После подготовки камеры загружают стержень и затравочный кристалл. Затравочный кристалл, поступающий на установку в полиэтиленовом пакете, частично распаковывают, открытым концом вставляют в держатель на нижнем штоке и юстируют. В такой же последовательности исходный стержень закрепляют в держателе на верхнем штоке. После этого с затравочного кристалла - и исходного стержня снимают упаковочный материал и камеру закрывают. Все операции по загрузке камеры также проводят в специальных перчатках. [36]

При подготовке воды по первой схеме затравочные кристаллы образуются в баке при смешении стоков с продувочной водой первой группы испарителей. Во второй схеме затравочные кристаллы искусственно вводятся в тракт питательной воды второй группы испарителей. [37]

Схема установки для утилизации сточных вод ТЭЦ с многоступенчатыми аппаратами мгновенного вскипания. [38]

При подготовке воды по первой схеме затравочные кристаллы образуются в баке при смешивании стоков с продувочной водой первой группы испарителей. Во второй схеме затравочные кристаллы искусственно вводятся в тракт питательной воды второй группы испарителей. Рассматриваемые схемы оказались практически равноэкономичными. [39]

Часть выращенных монокристаллов используют для изготовления затравочных кристаллов. С этой целью их ориентируют в заданном направлении и размечают в соответствии с формой и размером затравок, которые вырезают, применяя алмазный круг с внутренней режущей кромкой и с зернистостью шлифовального порошка 40 / 28 мкм. Применение круга с внутренней режущей кромкой обеспечивает высокую точность ориентированных резов и минимальные потери монокристаллического кремния. [40]

Благоприятно влияет на характер осадков добавление затравочных кристаллов, а также полиакриламида. Введение ре-турного шлама, содержащего сульфат кальция, в количестве 150 % к свежеобразующемуся осадку, полностью устраняет гипсацию поверхности реактора, а добавление полиакриламида в количестве 0 5 - 10 мг / дм3 рассола уменьшает сцепление частиц осадка между собой. [41]

В равенство (9.2.5) не входят характеристики затравочных кристаллов, режима нагревания и циркуляции раствора. Это означает, что состояние системы, описываемое равенством (9.2.5), не зависит от того, как система к нему приходит. Такая независимость характерна для равновесного состояния системы. [42]

Подтверждением этому является промышленная практика применения затравочных кристаллов при кристаллизации сахара из водных растворов, которые даже при значительном пересыщении обладают большой стабильностью. [43]

Наиболее простой способ - это введение затравочного кристалла, который вырезают из предварительно полученного поликристаллического слитка. [44]

Выявленные особенности одновременного роста и растворения затравочных кристаллов алмаза в р, Г - условиях, отвечающих области устойчивости графита зона метастабильного роста), при наличии градиента температуры величиной до 5 - Ю4 К / м можно объяснить тем, что вблизи поверхности затравки создается достаточно большое концентрационное пересыщение к алмазу ( см. рис. 134, область С), а не только к графиту. При этом грань кристалла, располагавшаяся перпендикулярно к потоку и ориентированная к источнику углерода, естественно, должна расти с наибольшей скоростью, а теневая - растворяться, что и наблюдается в эксперименте. Растворение теневой поверхности затравок приводит к появлению шероховатого рельефа, выступы которых являются пассивными местами растворения и потенциально активными для роста. При достаточной высоте выступа и наличии локального градиента температуры вдоль него вершина выступа оказывается в условиях достаточного перепада температуры, чтобы расти за счет растворения своей подложки. Ясно, что скорость роста усов должна быть соизмерима со скоростью растворения затравки. [45]

Страницы: 1 2 3 4