Данный кристалл
Cтраница 3
Какие факторы определяют, будет ли данный кристалл растворяться в воде. [31]
О совокупности всех таких преобразовавий для данного кристалла мы будем говорить, как о его группе симметрии. Мы будем говорить, что один кристалл обладает более высокой симметрией, чем другой, если группа симметрии второго является подгруппой группы симметрии первого. [32]
 |
Комбинированные формы кристаллов.| Иллюстрация закона о постоянстве углов между однотипными парами граней данного кристалла. [33] |
Отсюда следует закон Бравэ: для данного кристалла наиболее вероятно образование граней, отвечающих плоским сеткам с наибольшей ретикулярной плотностью. Следовательно, кристаллы должны при благоприятных условиях ограняться гранями с малыми индексами Миллера. [34]
Проведем затем симметричное преобразование, свойственное данному кристаллу. Никакое преобразование симметрии не может изменить свойства кристалла. [35]
В частности, совокупность элементов симметрии класса данного кристалла отличается, вообще говоря, от его системы. Очевидно, что присоединение к решетке Бравэ новых узлов может привести только к исчезновению некоторых из осей или плоскостей симметрии, но не к появлению новых. [36]
Ширина такой кривой характеризует угловую область отражения данного кристалла, а площадь под кривой пропорциональна интегральному отражению от кристалла. [37]
В соответствии с элементами симметрии пространственной группы данного кристалла общее выражение для структурной амплитуды может быть модифицировано таким образом, что суммирование ( 13) ведется только по симметрически независимым атомам элементарной ячейки. При этом вместо экспоненциальной функции в итоговые формулы входят в определенных комбинациях тригонометрические функции. Эти формулы для всех пространственных групп приводятся в Интернациональных таблицах и других справочниках. [38]
 |
Несимметричная ТТЛ-схема разрядного управления накопителем на ТОЭ-ЭП с эмиттерными связями, в котором для записи и считывания используются разные разрядные шины. [39] |
ВК, и если обращения к ЭП данного кристалла ( О на входе ВК) нет, то транзистор Та заперт и схемы разрядного управления рассеивают минимальную мощность. Транзистор Т9 при этом насыщен, потенциалы на разрядных шинах равны между собой Up 3 ii, i / p сч. ЭП непрерывно потреб-ляют энергию от источника питания, информация сохраняется в накопителе сколь угодно долго. [40]
Первое распределение означает статистику по отражениям от данного кристалла: оно отвечает распределению, получаемому экспериментально; второе, удобное при теоретическом рассмотрении вопроса, представляет собой статистику значений F ( hkl) для данного отражения и всех возможных кристаллических структур. В принципе эти распределения различны. [41]
В частности, совокупность элементов симметрии класса данного кристалла отличается, вообще говоря, от его системы. Очевидно, что присоединение к решетке Бравэ новых узлов может привести только к исчезновению некоторых из осей или плоскостей симметрии, но не к появлению новых. [42]
Это уравнение однозначно устанавливает значение Де для любого данного кристалла. С другой стороны, уравнение ( 24) показывает, что в общем значение р е ( отнесенное к изолированному электрону в бесконечности) неодинаково для разных по форме кристаллов одного и того же вещества. [43]
Этот предел зависит от общей мощности рассеивания данным кристаллом и способа охлаждения. [44]
Концентрации донорных или акцепторных уровней определяются в данном кристалле содержанием донорных или акцепторных примесей, которые были введены в кристалл при его выращивании или путем диф-фузик. [45]
Страницы: 1 2 3 4