Данный кристалл
Cтраница 4
В зависимости от соотношения размеров частиц, образующих данный кристалл, различают два основных случая. [46]
Плоскостью симметрии называется воображаемая плоскость, которая рассекает данный кристалл на две части, являющиеся зеркальным отражением один другого. В одном кристалле может быть несколько плоскостей симметрии. [47]
Определенное расположение частиц в пространстве, обусловливающее структуру данного кристалла, называется пространствен ной кристаллической решеткой. Частицы в разных пространственных решетках расположены различно, но закономерность их расположения сохраняется во всех кристаллах. Наименьшая часть кристаллической решетки, отображающая форму всей кристаллической структуры данного тела, называется элементарной ячейкой. [48]
Если Т Эд - это высокие температуры для данного кристалла, при Т 9Д - низкие. [49]
 |
Кристаллические системы. [50] |
Определенное расположение частиц в пространстве, обусловливающее структуру данного кристалла, называют пространственной кристаллической решеткой. Частицы в разных пространственных решетках расположены различно, но закономерность их расположения сохраняется во всех кристаллах. [51]
Как показали указанные выше исследования, частицы, образующие данный кристалл ( атомы, ионы или молекулы), располагаются в нем закономерно. Характер этой закономерности для кристаллов различного вида может быть разным, но для данного вида кристаллов он всегда одинаков. [52]
Как показали указанные выше исследования, частицы, образующие данный кристалл ( атомы, ионы или молекулы), располагаются в нем тем или иным закономерным образом. Характер этрй закономерности для кристаллов различного вида может быть разным, но для данного вида кристаллов он всегда одинаков. [53]
Если число состояний, связанных с уровнями Тамма для данного кристалла, постоянно, то число состояний, вызываемых дефектами решетки и адсорбированными атомами, может меняться в зависимости от обработки поверхности. Между состояниями электрона на поверхности кристалла и в объеме возможен целый ряд различных взаимодействий, которые приводят к тому, что состояния на поверхности оказывают сильное влияние на протекание физических явлений в объеме полупроводника. Особенно сильно поверхностные состояния проявляются при работе полупроводниковых приборов. [54]
Страницы: 1 2 3 4