Cтраница 2
Обычно проводилась кристаллизация цеолита из геля, в который предварительно вводился фосфор путем контролируемой сополимеризации и соосаждения в гомогенной фазе геля со всеми окисными компонентами, которые образуют в дальнейшем каркас цеолита. [16]
Если при кристаллизации цеолитов используются не гетерогенные алюмосюшкатные смеси, а силикаалюмо-гели, получаемые путем смешения гомогенных щелочных силикатных и алюминатных растворов, результаты кристаллизации и кинетика процесса для одного и того же геля обычно хорошо воспроизводятся, но являются чувствительными к изменениям состава гелей. Поэтому такие силикаалюмогели представляют собой удобные исходные продукты для синтеза кристаллов цеолитов с заданной структурой и составом и для исследования ки-нетики и механизма кристаллизации. [17]
Точный механизм кристаллизации цеолита неизвестен, но некоторые качественные соображения высказаны. [18]
Рассмотрены возможности кристаллизации цеолитов по различным механизмам. Приводятся данные, показывающие, что зарождение и рост кристаллов цеолитов происходят через рекомбинацию алюмо-кремнекислородных тетраэдров, составляющих глобулы гидрогеля, без перехода их в раствор. Изучена кинетика кристаллизации цеолита порошкообразного и в виде кристаллических сростков. [19]
Второй механизм кристаллизации цеолитов предполагает, что кристаллизация протекает в твердой фазе вследствие упорядочения алюмосиликатной решетки. Этот механизм подтверждается рядом наблюдений. Так, Катами и Фланиген [165] наблюдали кристаллизацию твердых гелей в отсутствие жидкой фазы. Из типичного геля, который обычно кристаллизуется в цеолит X, в конце индукционного периода отбирали твердое вещество, отмывали его от жидкой фазы и сушили. Авторы работы [143] наблюдали растущие кристаллы, внедренные в коалес-цирующие частицы геля. [20]
Расположение полей кристаллизации цеолитов на треугольной. [21] |
Если поля кристаллизации цеолитов представить на треугольных диаграммах составов, отвечающих постоянным содержаниям воды, то поле кристаллизации каждого из цеолитов располагается в определенной области треугольной диаграммы. [22]
Исследование условий кристаллизации цеолитов в системе Na20 - А12О3 - SiO2 - Н20 и их свойств. [23]
Сравнение межплоскостных расстояний цеолитов В и Е и цеолитов Р и S Баррера. [24] |
Положение полей кристаллизации цеолитов и их размеры существенно различны для разных исследованных температур. Более высокие температуры ( 120 - 150) менее благоприятны для кристаллизации искусственных натриевых цеолитов. [25]
Положение поля кристаллизации цеолита данного типа на треугольных диаграммах составов, относящихся к постоянной температуре, определяется химическим составом кристаллов цеолита. Но, так как отношение Na: А1 в решетках всех цеолитов постоянно и равно 1, то положение поля кристаллизации зависит от отношения Si: А1 в кремнеалюмокисло-родном каркасе цеолита или содержанием Si02 в составе цеолита. [26]
Схема расположения областей кристаллизации синтетических цеолитов на треугольной диаграмме составов ( схема не учитывает содержания Н20 и относится к различным температурам. [27] |
Положение полей кристаллизации цеолитов разных типов на диаграмме составов зависит также от устойчивости их кремнеалюмо-кислородных каркасов к щелочным средам, что связано с особенностями структуры этих каркасов и их химическим составом. Связи А1 - О - А1, присутствующие, например, в алюминатах [22], не устойчивы к действию щелочных растворов, так же как и связи Si-О - Si в кремнеземе. Из самого факта образования цеолитов в сильно щелочных средах следует, что связи А1 - О-Si в структурах цеолитов, образованных чередующимися тетраэдрами кремния и алюминия, стабильны к действию щелочных растворов. [28]
Положение полей кристаллизации цеолитов разных типов на треугольных диаграммах составов определяется их химическим составом и различной устойчивостью их решетки к действию щелочных растворов. [29]
Микрофотографии кристаллов сферолитов натриевых цеолитов X, В и Е. [30] |