Химическая кристаллизация

Cтраница 1

Химическая кристаллизация из газовой фазы может проводиться как в условиях атмосферного или даже высокого давления, так и при низких давлениях или в высоком вакууме. В последнем случае она имеет много общего с осаждением в результате термического испарения или катодным распылением в среде химически активных остаточных газов. [1]

Для химической кристаллизации применяют сосуды с мешалками, в которых осаждение твердой фазы из растворов происходит при их пересыщении веществом, образующимся в результате химической реакции. Реакционными кристаллизаторами считают сосуды, в которых осаждают вещество, сливая несколько растворов, содержащих взаимодействующие реагенты. [2]

Процессы химической кристаллизации вообще, а тем более ме-тастабильных фаз, разработаны еще далеко не полно. Поэтому изложим качественные предпосылки, лежащие в основе эпитакси-ального синтеза алмаза. [3]

Зависимость ТКС от состава пленочного резистора из кермета. [4]

При химической кристаллизации осаждение пленки вещества из газовой фазы а подложку происходит в процессе химической реакции на поверхности самой подложки или в непосредственной близости от нее. Конденсат на подложке образуется вследствие накопления на ней твердых продуктов реакции, протекающей в среде одного или нескольких газообразных реагентов, из которых по крайней мере один содержит осаждаемый материал. [5]

Процесс объемной химической кристаллизации и перехода в графит в условиях регионального метаморфизма, характеризующийся, по данным [1, 2, 9], высокой энергией активации ( & Е - 95 ккал / г-атом), не протекает, по-видимому, из-за весьма малой скорости и недостатка времени. Этот процесс наблюдается в условиях контактного метаморфизма при высоких температурах. [6]

Термодинамическое и кинетическое описание реакций при химической кристаллизации обычно отличается большой сложностью, что затрудняет детальное понимание хода реакции и количественные расчеты. [7]

Одним из вариантов метода является так называемая химическая кристаллизация, выделение из раствора кристаллической фазы за счет пересыщения, возникающего в результате химической реакции, позволяющей изменить химический состав очищаемого соединения. В частности, для получения чистого Zr02 предложен способ осаждения из раствора ZrOCl2 основного сульфата циркония. [8]

Химические процессы, сопровождающиеся увеличением ( хемо-сорбция, химическая кристаллизация) или уменьшением ( десорбция или химическое растворение) массы твердого тела, требуют значительной энергии активации; с повышением температуры они интенсифицируются. [9]

Это означает, что даже при больших скоростях роста в случае химической кристаллизации могут образовываться достаточно совершенные слои с хорошими электрофизическими характеристиками. [10]

При электрокристаллизации перенапряжение играет такую же роль, как пересыщение при химической кристаллизации из раствора. [11]

Влияние молярного отношения SiC. 4. Н2 на - коэффициент превращения г. [12]

Различные примеси разным образом влияют иа скорость роста эпитаксиальиой - пленки, выращенной методом химической кристаллизации. [13]

На рис. 7 - 3 представлены данные по зависимости скорости роста от температуры для различных вариантов метода химической кристаллизации. В области температур 1150 - 1350ЧС обычно наблюдается максимум, или площадка, высокой скорости роста. [14]

Схема установки для выращивания легированных пленок Si. [15]

Страницы: 1 2