Химическая кристаллизация

Cтраница 2

Потребность в эпитаксиальных пленках с различными электрофизическими параметрами вызывает необходимость легирования в процессе роста пленок Si, выращиваемых методом химической кристаллизации. [16]

Заканчивая наш рассказ об одежде для современных конструкций, заметим, что это основная, но не единственная область применения метода химической кристаллизации из газовой фазы. Этим методом получают также сверхчистые металлы и сплавы, тонкие порошки, материалы со специально заданной структурой. Метод используется уже более семидесяти лет, но его потенциальные практические возможности раскрылись лишь в наши дни, чему в немалой степени способствовали успехи химии и технологии, физики и материаловедения, металлургии и техники эксперимента. Надо полагать, что здесь фтор еще далеко не сказал последнего слова. [17]

Несомненно, что процессы гетерогенной кристаллизации с участием химической реакции должны быть весьма чувствительны к энергетической неоднородности поверхности, так как такие стадии процесса, как адсорбция, химическая реакция и зародышеобразование, являются сами по себе чрезвычайно чувствительными к неоднородности поверхности. Рассмотрение процесса химической кристаллизации с этих позиций наталкивается на ряд трудностей, связанных с тем, что разработка теоретических основ таких процессов находится лишь на начальной стадии. Отсутствуют данные по теплотам адсорбции многих химических веществ, участвующих в реакции, в большинстве случаев неизвестен механизм собственно химической реакции. Вполне сознавая эти трудности, авторы все же рискнули провести такое рассмотрение в первом приближении для одного типа химической кристаллизации, а именно водородного восстановления летучих галогенидов тугоплавких металлов. Этот выбор связан со спецификой кристаллизации тугоплавких металлов ( в основном они имеют низкую диффузионную подвижность при температурах газофазной кристаллизации), с особенностями адсорбции водорода на переходных металлах ( наблюдается сильная зависимость теплот адсорбции от степени заполнения), а также с лучшей изученностью многих физических свойств тугоплавких металлов. [18]

Сходство уравнения ( 14) с выражением для работы образования критического зародыша из пара чисто формально. В случае химической кристаллизации могут быть разные варианты. Например, при разложении метана на графите пересыщение уменьшается при увеличении давления и увеличивается при повышении температуры. В случае ацетилена пересыщение не зависит от давления и уменьшается при увеличении температуры. [19]

Зависимость удельной адсорбционной поверхности 5а, концентрации функциональных кислородных групп оф р, сорбции паров бензола а и выхода летучих веществ V г от температуры обработки кокса при измельчении продолжительностью 60 мин.| Изотермы сорбции ( светлые точки - десорбции ( черные точки паров бензола на нефтяном коксе, подвергнутом термообработке. [20]

Суммарный выход летучих в этом диапазоне температур зависит от скорости прокаливания. При малых скоростях быстрее протекают реакции химической кристаллизации, сопровождающиеся повышенным выходом кокса. [21]

Опыты Отто Герике. [22]

Бергман ( 1735 - 1784), который в 1769 г. впервые высказал мысль, что кристаллические породы образовались путем химической кристаллизации из вод первозданного океана, а слоистая порода представляет собой продукт разрушения кристаллических пород и отложилась якобы при всемирном потопе. [23]

Кривые растворимости ве-шеств. [24]

Если кристаллизация вещества вызвана понижением температуры раствора, то ее называют изогидринеской, поскольку в этом процессе количество растворителя не изменяется. Если же массовую кристаллизацию проводить за счет частичного удаления растворителя путем выпаривания раствора, то это будет изотермическая кристаллизация, так как выпаривание насыщенного раствора происходит при постоянной температуре кипения. Наконец, кристаллизация малорастворимого вещества может происходить при химическом взаимодействии двух или более растворенных веществ. Тогда ее называют химической кристаллизацией, или осаждением вещества. [25]

Зависимость логарифма коэффициента диффузии от температуры для расплава оксида алюминия. Разные значки соответствуют трем сериям эксперимента. [27]

Тогда кинетика реакций синтеза должна в сильной степени лимитировать процесс роста монокристаллов. Причем скорость этих реакций по мере приближения к фронту роста должна возрастать из-за увеличения концентрации отдельных компонентов синтеза и каталитических свойств поверхности роста. То есть в условиях термически диссоциированного расплава и ограниченных скоростей химических реакций следует ожидать существенную зависимость однородности состава растущего монокристалла от скорости роста. Скорость роста, однако, должна быть ниже скорости химических реакций синтеза Ala Оз. Следовательно, кристаллизацию оксида алюминия следует рассматривать не только как кристаллизацию из раствора в расплаве, но и как химическую кристаллизацию. [28]

Физической кристаллизацией называют образование кристаллов из молекул, находящихся в одно - или многокомпонентной газовой фазе. Кристаллизация из газовой фазы в неизменном объеме, вследствие конденсации вещества, сопровождается понижением давления. При физической кристаллизации процесс конденсации ( обратный сублимации) достигается при понижении температуры или при сжатии ( уменьшении объема) газа. Для химической кристаллизации необходимо смешение реагирующих газов. [29]

Страницы: 1 2