Cтраница 4
Состояние, соответствующее сферически симметричному облаку, называют s - состо я н и е м, а электроны, находящиеся в таком состоянии, s - э л е к т р о н а м и. Состояния, которым соответствует сгущение электронного облака вдоль той или иной оси координат, называют р-с о с т о я н и я м и, а электроны - р-э лектронами. На первом энергетическом уровне могут быть только s - электроны, а на втором - s - и р-электроны. [46]
Во всех типах диодов, рассмотренных выше, электрон, для того 1тобы попасть из области п в область р ( и наоборот), должен взби-аться на потенциальный барьер, затрачивая значительную часть: воей тепловой энергии, при этом большая ширина перехода не позволяет ему проделать тот же путь с помощью туннельного эффекта. Лоэтому в обычных диодах прямой ток нарастает довольно вяло i интервале напряжений от 0 до 0 1 - 0 3 в, так как при комнатной - емпературе в полупроводнике оказывается слишком мало свободных лектронов с энергией, достаточной для преодоления потенциального Карьера. [47]
На рис. 4 - 5, а оказана энергетическая диаграмма транзистора в равновесном со-тоянии. Легко видеть, что лектроны базы и дырки эмиттера и коллектора находятся в потен-иальных ямах, из которых они могут перейти в смежный слой только лагодаря достаточно большой тепловой энергии. Наоборот, дырки азы и электроны эмиттера и коллектора находятся на потенциаль-ых гребнях, с которых они могут свободно переходить в смежный лой. В равновесном состоянии на обоих переходах имеется динами-еское равновесие между потоками дырок ( а также между потоками лектронов), протекающих в ту и другую стороны. [48]
Из полученных выражений следует, что число вторичных электронов, освобождаемых положительными ионами из катода, прямо пропорционально числу электронов в начальной лавине. Остальные два механизма ( фотоионизация на катоде и фотоионизация в объеме газа) образуют вторичные электроны, число которых также пропорционально числу электронов начальной лавины. Поэтому можно считать, что общее число вторичных лектронов равно у ( exp aS - 1), где у - обобщенный коэффициент вторичной ионизации, учитывающий все три механизма, а aS - общее число эффективных ионизации, осуществляемых электроном на пути между электродами. [49]
Электрическая дуга состоит из трех областей ( рис. 270): катодной бласти ( LK), столба дуги ( Lc) и анодной области ( LJ. Столб дуги южно рассматривать как газовую плазму, находящуюся в термо-днамическом равновесии. Это означает, что средние кинетические нергии частиц, из которых состоит атмосфера дуги ( атомы, ионы, лектроны), равны между собой. [50]
Бриллюэна, остающаяся по упомянутой причине свободной, больше, чем в фазах а, р, е и, вероятно, i. Важным следствием является то, что высокая энергия активации указывает на высокую степень заполнения зоны Бриллюэна. Этот результат находится в прямой связи с приведенными выше представлениями о механизме активации; для того чтобы образовалась ковалент-ная связь между металлическим катализатором и атомами реагента, электроны должны быть поделены между ними. Наиболее ясно это - в случае водорода, где активированная адсорбция заключается в фиксировании протона в междоузлии решетки, тогда как э лектроны растворяются в электронном газе металла. Кажется правдоподобным, что образование этого состояния ( которое должно бы быть промежуточным состоянием дегидрирования) требует тем большей энергии активации, чем меньше имеется уровней, доступных для электронов в зоне Бриллюэна металла, и чем выше эти уровни. [51]
Принцип действия термоэлектрической батареи основан на эф -) екте Пельтье, который заключается в том, что при пропускании лектрического тока через контакт двух металлов или полупроводнике в зависимости от направления тока температура спая понижается ли повышается. Нагрев и охлаждение происходят за счет того, что носителей заряда при прохождении через контакт меняется средняя инетическая энергия. На рис. 8.3 приведена зонная диаграмма. Допустим, лектроны перемещаются через контакт из полупроводника в металл. [52]
В зависимости от тока самостоятельного разряда изменяется и его характер. Если плотность тока менее 10 - 6 а / см2, разряд называют темным ( рис. 1 - 1, участок 2 - 3); здесь электрическое поле определяется в основном потенциалом электродов, а влияние объемных зарядов мало. При увеличении плотности тока до 10 - - 4 - 10 - 2 а / см2 наступает тлеющий разряд ( рис. 1 - 1, участок 3), который характеризуется наличием областей с разной степенью свечения. В тлеющем разряде электрическое поле искажено наличием объемных зарядов; положительные ионы, бомбардирующие катод, освобождают электроны, ионизирующие при своем движении частицы газа. Так как скорости ионов много меньше скоростей З лектронов, у катода образуется положительный объемный заряд, обусловливающий катодное падение потенциала, существенно превосходящее потенциал ионизации газа. [53]
На рис. 4 - 5, а оказана энергетическая диаграмма транзистора в равновесном со-тоянии. Легко видеть, что лектроны базы и дырки эмиттера и коллектора находятся в потен-иальных ямах, из которых они могут перейти в смежный слой только лагодаря достаточно большой тепловой энергии. Наоборот, дырки азы и электроны эмиттера и коллектора находятся на потенциаль-ых гребнях, с которых они могут свободно переходить в смежный лой. В равновесном состоянии на обоих переходах имеется динами-еское равновесие между потоками дырок ( а также между потоками лектронов), протекающих в ту и другую стороны. [54]