Линвилла

Cтраница 2

Таким образом, модель Линвилла с сосредоточенными параметрами отражает зависимости токов транзистора от плотностей неосновных носителей заряда на границах базы. Модель Линвилла позволяет связать внешние характеристики схемы с физическими и геометрическими параметрами транзистора. [16]

Переходный процесс при непосредственном запирании транзистора. [17]

В модели 1 я-секция Линвилла заряд, накопленный в базе, выносится на край. [18]

На рис. 4.23 показана модель Линвилла с распределенными параметрами для транзистора. Аналогичная модель для диода была подробно описана выше. Каждая секция модели состоит из комбинансл Н1С сторанса 5 п диффузансэ Н 1 ( 1, включенного между соседними секциями. [19]

Зарядная модель полностью соответствует модели Линвилла с сосредоточенными параметрами. Она, как и модель, Линвилла, основана на принципе наложения прямого и инверсного режимов работы транзистора. В общем случае зарядная модель позволяет выразить токи транзистора через заряды неосновных носителей, инжектированных в базу из эмиттера и коллектора. [20]

Время для расчета на ЦВМ для модели Линвилла увеличивается в 30 и более раз по сравнению с моделью Агаханяна. [21]

Из моделей наиболее точными являются распределенные модели Линвилла как для базы, так и для коллекторной области, но эти модели громоздки и не пригодны для широкого применения при машинном анализе схем. [22]

К физическим можно отнести модели Агаханяна и Линвилла. Каждый из элементов модели Линвилла связан с определенным физическим процессом и может быть проще определен через физические параметры, чем через электрические параметры транзистора. Необходимо заметить, что обе модели допускают повышение точности за счет усложнения, причем параметры сложных моделей могут быть определены только через физические параметры транзистора. Модель Линвилла, состоящая в общем случае из ряда последовательно включенных я-секций, одна из которых изображена на рис. б, получена на основе решения уравнения непрерывности в конечных разностях. [23]

Как уже отмечалось несколько выше, одна я-секция Линвилла неверно описывает переходный ( процесс при запирании транзистора. При смещении перехода в обратном направлении имеет место скачок тока и напряжения на переходе. С ростом числа л-секций увеличивается точность описания процессов, происходящих в базе, так как учитывается заряд во всей базе, а не только у переходов. [24]

При этом время расчета на ЦВМ для модели Линвилла увеличивается в 30 и более раз. [25]

Существует два метода исследования этих колебаний: метод Линвилла [2], который связан с включением в систему фиктивного импульсного элемента для определения значений величин между тактовыми точками, и метод Баркера [14], основанный на введении временного сдвига А, который рассматривается как переменный параметр. [26]

Семисекционная эквивалентная схема. [27]

Построение многосекционных моделей на основе модели ПАЭС и модели Линвилла осуществляется аналогично. В качестве примера на рис. 6 представлена семисекционная модель транзистора. Диоды ДЭ1 и ДЭ2 отображают эмиттерный переход, Дк1 и Дк2 - коллекторный переход в пределах активной, а Дкз - пассивной областей базы. [28]

Как это будет показано далее, электрическая модель, эквивалентная модели Линвилла и зарядной модели, имеет преимущество по сравнению с моделью Эберса и Молла, поскольку она позволяет точнее отразить влияние режимов работы транзистора. [29]

В программе CIRCUS используется электрическая модель эквивалентная зарядной модели и модели Линвилла. [30]

Страницы: 1 2 3 4