Линвилла

Cтраница 3

Ниже приведено сравнение одномерных нелинейных моделей транзистора: физической модели ( двухсекционной модели Линвилла), зарядной модели и эквивалентной первым двум электрической модели, а также модели Эберса и Молла. Даются эквивалентные схемы и уравнения рассмотренных моделей, а также соотношения их параметров. [31]

Транзисторы в схемах могут замещаться библиотечными моделями ( модификациями моделей Эберса и Молла и Линвилла) с параметрами, изменяемыми по желанию использователя. Линии связи заменяются эквивалентной схемой, соответствующей длинной линии без потерь. [32]

Модели Эберса - Молла, управления зарядом, Кхоша - Ашара и 1 я-секция Линвилла дают идентичное описание статических и переходных характеристик транзистора. [33]

Необходимо также заметить, что пересчет параметров транзистора в параметры модели 1 я - секции Линвилла - довольно сложная процедура. Поэтому последнюю нецелесообразно использовать з качестве функциональной модели. [34]

Из таблицы видно, что модель Агаханяна, близкая по точности описания процессов в базе транзистора к модели Линвилла при п Ю, требует времени для расчета на ЦВМ примерно в 30 - 5000 раз меньше. [35]

Переходный процесс при запирании. [36]

Наличие скачков тока и напряжения на переходах при смещении их в обратном направлении, характерное для обобщенной модели и для модели Линвилла, приводит к значительному увеличению времени расчета, так как для обеспечения заданной точности шаг интегрирования приходится выбирать чрезвычайно малым. [37]

Упрощенная эквивалентная схема двухэмиттерного тран-ьистора. [38]

В заключение необходимо отметить, что известные формулы связи электрических и структурных параметров как для модели ПАЭС, так и для П - секционной модели Линвилла получены при ряде допущений, неизбежных при переходе от распределенных моделей к двухсекционным сосредоточенным. Поэтому погрешности расчета электрических параметров с помощью этих формул могут оказаться значительными. С помощью таких программ и будут определены электрические параметры для более простых моделей транзисторов, используемых в программах анализа и оптимизации интегральных схем. [39]

Модель Линвилла с распределенными параметрами точнее остальных отражает распределение плотности носителей в базе при быстрых изменениях напряжений на переходах транзистора. Модель Линвилла с сосредоточенными параметрами и эквивалентные ей модель Эберса и Молла и зарядная модель отличаются от распределенной модели Линвилла тем, что в них не учитывается инерционность установления распределения плотности носителей в базе. Однако ввиду сложности модель Линвилла с распределенными параметрами на практике применяется редко. [40]

Таким образом, модель Линвилла с сосредоточенными параметрами отражает зависимости токов транзистора от плотностей неосновных носителей заряда на границах базы. Модель Линвилла позволяет связать внешние характеристики схемы с физическими и геометрическими параметрами транзистора. [41]

Ниже описывается метод Линвилла. [42]

В заключение можно отметить, что выбор моделей необходимо производить с учетом требуемой точности и задаваемых исходных данных. Физические моде ч и Линвилла, а также электрические модели Эберса - Молла с одинаковой точностью отражают поведение приборов в режиме передачи большого сигнала. В тех случаях, когда транзистор работает в режиме передачи малого сигнала, как правило, достаточной точностью обладают линеаризованные модели Эберса - Молла, а также модели типа эквивалентных схем четырехполюсника, П - и Т - образные модели. Для более точного расчета ИМС и проектирования интегральных транзисторов рекомендуется использовать модели типа Гуммеля - Пуна, двумерные, а также модели Голубева - Кремлева, Агаханяна и другие, с которыми можно ознакомиться в рекомендованной литературе. [43]

К физическим можно отнести модели Агаханяна и Линвилла. Каждый из элементов модели Линвилла связан с определенным физическим процессом и может быть проще определен через физические параметры, чем через электрические параметры транзистора. Необходимо заметить, что обе модели допускают повышение точности за счет усложнения, причем параметры сложных моделей могут быть определены только через физические параметры транзистора. Модель Линвилла, состоящая в общем случае из ряда последовательно включенных я-секций, одна из которых изображена на рис. б, получена на основе решения уравнения непрерывности в конечных разностях. [44]

Зарядная модель полностью соответствует модели Линвилла с сосредоточенными параметрами. Она, как и модель, Линвилла, основана на принципе наложения прямого и инверсного режимов работы транзистора. В общем случае зарядная модель позволяет выразить токи транзистора через заряды неосновных носителей, инжектированных в базу из эмиттера и коллектора. [45]

Страницы: 1 2 3 4