Контактная маска - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
"Подарки на 23-е февраля, это инвестиции в подарки на 8-е марта" Законы Мерфи (еще...)

Контактная маска

Cтраница 1


Контактная маска - рельефное покрытие из пленки фоторезиста или другого материала, воспроизводящее заданные элементы рисунка и обеспечивающее защиту заданных участков подложки от последующего воздействия.  [1]

Контактная маска изготавливается и существует только на поверхности подложки и не может быть от нее отделена.  [2]

Контактная маска образуется в виде рельефного слоя и предназначается для однократного использования.  [3]

Материал контактной маски ( медь, алюминий, никель, окись висмута, фоторезист) должен выдерживать процесс нанесения тонкой пленки, не испаряясь и не взаимодействуя с осаждаемым материалом, обладать малым коэффициентом диффузии, легко удаляться с подложки способами, не влияющими на свойства материала тонкой пленки.  [4]

Материал контактной маски ( медь, алюминий, никель, окись висмута, фоторезист) должен выдерживать условия нанесения материала тонкой пленки, не испаряясь и не взаимодействуя химически с этим материалом, обладать малым коэффициентом диффузия, легко удаляться с подложки способами, не влияющими на свойства материала тонкой пленки. В зависимости от материала контактной маски существуют две разновидности этого метода. Далее обработкой полученной заготовки в растворителе для фоторезиста удаляют участки материалов тонкой пленки, лежащих на слое фоторезиста.  [5]

Метод контактной маски является весьма перспективным. Он обеспечивает большие точность и четкость края и применим не только для вакуумного, но и для катодного распыления, а также для пиролизных способов получения тонких пленок.  [6]

Метод контактной маски ( отслаивание, взрывная фотолитография, обратная фотолитография) - метод получения элементов микросхем, заключающийся в экранировании с помощью контактной маски участков подложки от нанесения материала элементов микросхем.  [7]

8 Схема процесса использования эффекта. [8]

Метод контактной маски является весьма перспективным в ряде технологических процессов. Он обеспечивает большую точность и четкость края и применим не только для вакуумного, но и для катодного распыления, а также для пиролизных способов получения тонких пленок.  [9]

Способ контактной маски отличается от способа свободной маски тем, что при его использовании маска изготовляется и существует только непосредственно на подложке и не может быть от нее отделена. Существуют две разновидности способа контактной маски: однопле-ночная и двухпленочная. При использовании однопле-ночной контактной маски ( рис. Л-13 а) сначала на подложке создают рельефный рисунок из фоторезиста. Затем на фоторезист напыляют требуемый материал, например хром, и подложку опускают в растворитель для фоторезиста. Последний, растворяясь, увлекает за собой лежащую на нем металлическую пленку, которая остается только на тех местах, где она осаждалась непосредственно на подложку. Способ однопленочной контактной маски иногда называют взрывной или обратной фотолитографией.  [10]

11 Схема процесса использования эффекта. [11]

Оба варианта метода контактной маски иногда называют методом взрывной фотолитографии.  [12]

В условиях применения контактной маски этот градиент значительно снижается.  [13]

Описанным выше методом создаются контактные маски и на поверхности тонких пленок при создании структур пленочных ИМС и тонкопленочных коммутирующих плат. Особенность фотолитографии при создании многослойных тон ко пленочных структур заключается в том, что выполняется последовательное травление слоев через создаваемые всякий раз новые контактные маски из фоторезиста. При этом на каждом этапе травления очередного слоя материал последующего слоя не должен подвергаться воздействию травителя. В пленочной технологии применяют также свободные маски в виде пластин с отверстиями, предназначенные для многократного использования.  [14]

В зависимости от материала контактной маски существуют две разновидности этого метода. Сущность первого ( прямой вариант) состоит в том, что на чистую подложку наносят слой фоторезиста, экспонируют и проявляют его, а на полученное рельефное изображение наносят сплошной слой материала тонкопленочного элемента.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5