Контактная маска

Cтраница 5

Технологический маршрут получения пленочного элемента с использованием контактной маски. [61]

Метод обратной, или, как его иногда называют, взрывной, фотолитографии ( рис. 2.3) отличается от предыдущего тем, что сначала на подложке формируется контактная маска, затем наносится материал пленочного элемента, после чего производится удаление контактной маски. При этом возможны два варианта нанесения пленки на контактную маску. Первый вариант - сначала пленка осаждается как на контактную маску, так и на свободные от нее участки подложки. Метод реализуется при термовакуумном напылении, ионном распылении, осаждении из парогазовой смеси. [62]

Страницы: 1 2 3 4 5