Маскирование

Cтраница 2

Маскирование путем восстановления возможно, например, для железа ( III) [ 56 ( 84) ]; этого достигают прибавлением гидроксил-амина или аскорбиновой кислоты. Константы устойчивости комплексов железа ( II) и железа ( III) различаются приблизительно в 1010 раз, так что многим селективным титрованиям Ре2 - ионы, в противоположность Ре3 - ионам, не мешают. Восстановление железа применяют при маскировании его цианид-ионами; при этом образуются [ Ре ( СМ) 6 ] 4 - - ионы, которые мешают меньше, чем обладающие довольно сильными окислительными свойствами и окрашенные [ Ре ( СЫ) 6 ] 3 - - ионы. При титровании цинка [ 58 ( 63), 59 ( 49) ] или никеля [ 58 ( 16) ], 61 ( 108) ], 62 ( 45) ] медь ( II) можно замаскировать 52Оз - - ионами, при этом происходит ее восстановление до меди ( I) и образование тиосульфатного комплекса последней. [16]

Маскирование может явиться следствием комбинации двух или более таких факторов, однако для объяснения этого эффекта в каждом конкретном случае обычно ищут частные причины, которыми легче оперировать. [17]

Основные этапы формирования транзисторной структуры по V-ATE - техноло-гии. [18]

Последующее маскирование и травление защитного окисла выполняют под изолирующие области, которые создаются с помощью вертикального анизотропного травления. Возможно также анизотропное газовое травление. По окончании травления образуются четкие V-образные канавки с углом 54 44 к поверхности. Травление происходит в основном вниз. [19]

Маскирование плат, пропитанных флюсом, трафаретами резко предохраняет их от вспучивания, смягчает термический удар при погружении платы в припой и позволяет исключить операцию флюсования платы. [20]

Маскирование ванадия основано преимущественно на образовании комплексов с тарщратом, оксалатом, тираном, маянитом, ЭДТА и ТЭА. [21]

Субстехиометрическое маскирование [63] заключается в использовании меньшего количества маскирующего агента, чем это необходимо для завершения реакции, но достаточного, чтобы уменьшить содержание вещества, мешающего проведению основной аналитической реакции, до уровня ниже порога его мешающего влияния. Такие ограниченные количества маскирующего агента применяются в тех случаях, когда большие количества его могут помешать проведению основной аналитической реакции. [22]

Схема установки для избирательной пайки.| Схема пайки печатных схем волной припоя. [23]

Маскирование плат, пропитанных трафаретами резко снижает их вспучивание, смягчает термический удар при погружении платы в припой и позволяет исключить операцию флюсования платы. Применение бумажного трафарета позволяет также повысить температуру паяльной ванны до 245 5 С, что сокращает время пайки до 8 - 10 сек. [24]

Маскирование плат резко снижает их вспучивание, смягчает термический удар при погружении их в припои и позволяет исключить операцию флюсования. [25]

Маскирование антипереполнения позволяет продолжать вычисления, не обращая внимания на денормализованные числа. Часто в процессе дальнейших вычислений получается нормализованный результат. Чтобы убедиться в этом, достаточно после завершения вычислений проанализировать флаг IE. Если 1Е0, то конечный результат правильный. [26]

Маскирование записи в данный разряд обеспечивается нулевым сигналом на шине маски. [27]

Маскирование металла может быть осуществлено путем его осаждения, связывания в комплекс, окисления или восстановления. [28]

Маскирование Са и Mg фторид-ионами, впервые описанное Пршибилом [ 54 ( 74) ], использовал Вебер [ 57 ( 2) ] при определении Мп. Можно замаскировать до 10 мг магния; в присутствии возрастающего количества Са получаются заниженные значения для Мп, особенно при содержании Са около 15 - 20 мг. Это затруднение можно устранить, если к-раствору, содержащему Мп, Са и Mg, прибавить в избытке ЭДТА, раствор подщелочить и потом внести фторид-ионы. Так как теперь Са и Mg связаны с ЭДТА, то осадок пока не образуется вовсе. После этого проводят обратное титрование раствором марганца ( в котором содержится немного гидроксиламина), причем сначала связывается избыток ЭДТА, а затем вытесняются из ком-плексоната Са и ( или) Mg, выпадающие в осадок в виде фторидов, причем никакой адсорбции не происходит, так как марганец присутствует в виде комплекса с ЭДТА. Точка эквивалентности при обратном титровании фиксируется по резкому переходу синей окраски эриохрома черного Т в красную. [29]

Маскирование посторонних элементов комплексоном III применяют и в других методиках [757, 1225], пригодных не только для определения серебра в Си, но также в Pb, Tl, Bi, Co, Zn, Ni, Cd. В зависимости от характера основы необходимо применять различное количество комплексона III. Из таких растворов экстрагируют серебро раствором дитизона в СС14, промывают органическую фазу раствором гидроокиси аммония и фотометрируют экстракт. [30]

Страницы: 1 2 3 4