Маскирование
Cтраница 4
Своеобразным маскированием может считаться и использование копировальных аппаратов при регистрации документов. На аппарате воспроизводится верхняя часть документа с реквизитами, необходимыми для учета, поиска и контроля документа ( обозначение автора, наименование документа, дата, регистрационный номер, индекс), которая заменяет регист-рационно-контрольную карточку. Верхняя часть документа может воспроизводиться путем наложения трафарета и маски из прозрачного материала с рабочими полями, на которые занесены реквизиты регистрационно-контрольной карточки. [46]
Кроме маскирования, разумеется, применяют обычные способы отделения мешающих ионов осаждением или экстракцией, а после разделения определяют отдельные компоненты титрованием ЭДТА. [47]
 |
КИД-структура. а - п. - р - л-транзистор. б - резистор в базовом слое. в - сжатый резистор. [48] |
На маскирование падает большая часть стоимости обработки пластины и большая часть производственного брака, поэтому исключение двух процессов маскирования При создании КИД-структур позволяет существенно снизить затраты на изготовление прибора. [49]
Такое маскирование следует проводить так, чтобы оно не было заметно на окончательном снимке и чтобы не возникло несовмещения изображений. [50]
Для маскирования А1 и Ti можно использовать триэтаноламин; железо ( до 0 5 мг) лучше всего связать в комплекс с цианидами, триэтаноламином маскировать не удается; большие количества железа предварительно отделяют. [51]
Термин маскирование обычно применяется для обозначения процесса, в коде которого мешающие вещества с помощью подходящих лигандов связываются в комплексы, так что их свободная концентрация в растворе - падает ниже некоторого предельного значения и при последующей обработке раствора уже не наблюдаются никакие нежелательные реакции. [52]
Для маскирования редкоземельных ( элементов обычае употребляются цитрат, тартрат, оксалат, ЭДТА и ДСТА. [53]
 |
Травильные составы для изоляционных материалов. [54] |
Для маскирования широко применяется Si 3N4, обладающий высокой стойкостью к проникновению примесей извне и перемещению зарядов Si N4 не растворяется в плавиковой кислоте, но растворим в горячей фосфорной кислоте. Поскольку резист не обладает теплостойкостью, травление производят с использованием Si02 в качестве маски, которую впоследствии удаляют с помощью плавиковой кислоты. [55]
Для маскирования 25 мкг меди следует добавлять 0 5мл 10 % - ного раствора тиомочевины. [56]
Иногда маскирование сочетает указанные приемы. [57]
Кроме маскирования, разумеется, применяют обычные способы отделения мешающих ионов осаждением или экстракцией, а после разделения определяют отдельные компоненты титрованием ЭДТА. [58]
Страницы: 1 2 3 4