Малое напряжение - смещение
Cтраница 1
Малые напряжения смещения и возможность работы с непосредственными связями значительно уменьшают число электролитических конденсаторов в схемах. [1]
 |
Зависимость D - Ig. [2] |
Добавочное малое напряжение смещения, получаемое от 1 5 - е элемента, позволяет изменять положение нулевой линии на записи, что необходимо при регистрации относительного поглощения, имеющего как положительные, так и отрицательные значения. [3]
При малых напряжениях смещения на сетку попадают электроны, эмитируемые катодом. При этом в цепи сетки возникает ток отрицательного направления. По мере увеличения отрицательного смещения сетки эта составляющая сеточного тока уменьшается весьма незначительно. [4]
 |
Трапецеидальные структуры генераторов Ганна.| Зависимость частоты колебаний от напряжения смещения. Образцы А, В, С имеют трапецеидальную форму, а и Р - однородное сечение. [5] |
Поэтому при относительно малом напряжении смещения критическое поле, при котором возникают колебания тока, наблюдается лишь в узкой области прибора; с увеличением напряжения смещения длина активной области растет, а частота колебаний падает. [6]
Прецизионные ОУ, обладающие малыми напряжениями смещения, высокими коэффициентами усиления дифференциального сигнала и подавления синфазного, малым уровнем шума. [7]
Во время ждущего состояния схемы транзистор заперт малым напряжением смещения, снимаемым с диода 1Д, пропускающим ток в прямом направлении. [8]
Положительный дрейф - возрастание обратного тока - при малых напряжениях смещения связан с ростом длины канала. При наличии многослойной адсорбированной пленки воды на поверхности р-л-перехода возможно появление дрейфа обратного тока более сложного характера, поскольку появляется составляющая, связанная с перемещением подвижных ионов в пленке, что вызывает модуляцию поля в р-л-переходе. [9]
Существует еще одна причина появления избыточного тока в диапазоне малых напряжений смещения. Это каналы объемных и поверхностных утечек, которые можно рассматривать как омическое сопротивление, шунтирующее р - re - переход. [10]
ИМС прецизионных ОУ характеризуются большим коэффициентом усиления ( более 105), малым напряжением смещения нуля ( менее 0 5 мВ), малыми уровнями дрейфов и шумов, большим входным сопротивлением. Они предназначены для построения узлов измерительных устройств, обеспечивающих усиление без искажения слабых электрических сигналов, сопровождаемых значительным уровнем синфазных и температурных помех. [11]
Операционный усилитель К153УД1 ( рис. 1.138) характеризуется большим коэффициентом усиления напряжения, малым напряжением смещения, большим входным сопротивлением ( 200 кОм) и малым выходным сопротивлением 200 Ом. Усилитель имеет частоту единичного усиления не менее 1 МГц. По сравнению с ОУ К140УД1 интегральная микросхема К153УД1 имеет более высокий уровень шума. [12]
Для обеспечения быстродействия ЦАП на уровне, задаваемом микросхемами, необходимо выбирать внешние микросхемы ОУ с малым напряжением смещения нуля и временем установления выходного сигнала не более 5 мкс. [13]
 |
Частотная характеристика усилителя 2X30 мВт. [14] |
Потенциометры R14 и R114 установим так, чтобы искажения выходного сигнала при переходном режиме, которые возникают при малом напряжении смещения, почти исчезли. Проверим чувствительность левого канала на частоте 1 кГц, затем подадим напряжение на вход правого канала и потенциометром R108 установим такую же чувствительность. [15]
Страницы: 1 2 3