Малое напряжение - смещение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Учти, знания половым путем не передаются. Законы Мерфи (еще...)

Малое напряжение - смещение

Cтраница 3


В измерительных устройствах необходимо усиливать без искажения слабые электрические сигналы датчиков, сопровождаемые значительным уровнем синфазных, температурных и других помех. Прецизионный усилитель, используемый для этих целей, должен обладать не только очень большими значениями коэффициентов усиления ( более 5 - Ю5) и подавления синфазного сигнала, но и малым напряжением смещения нуля ( не более 0 5 мВ) и его дрейфом, малыми уровнями шумов, большим входным сопротивлением.  [31]

В измерительных устройствах необходимо усиливать без искажения слабые электрические сигналы датчиков, сопровождаемые значительным уровнем синфазных, температурных и других помех. Прецизионный усилитель, используемый для этих целей, должен обладать не только очень большими значениями коэффициентов усиления ( более 5 - 105) и подавления синфазного сигнала, но и малым напряжением смещения нуля ( не более 0 5 мВ) и его дрейфом, малыми уровнями шумов, большим входным сопротивлением.  [32]

33 Принципиальная схема радиовещательной приставки с детектором на транзисторе. [33]

В этом случае транзистор использован для усиления как высокой, так и низкой частоты и для детектирования высокочастотного сигнала. С точки зрения усилителя было бы выгоднее, чтобы транзистор работал на линейном участке характеристик, где усиление является наибольшим, однако для детектирования требуется использовать нелинейность перехода база-эмиттер, т.е. область малого напряжения смещения на базе. Эти требования противоречат друг другу, и при устанавливании рабочей точки следует идти на определенный компромисс. Поэтому в схеме использован потенциометр R1, позволяющий осуществить индивидуальную установку оптимальной рабочей точки. Низкочастотный сигнал усиливается транзистором и после отфильтровывания высокочастотной составляющей конденсаторами С5, С6 и резистором R4 подводится к выходному разъему.  [34]

На рис. 9.25 приведены функциональные генераторы Ганна с заданной формой колебаний. В верхней части рисунка показана форма образцов, в нижней - зависимости тока от времени. Следует отметить, что при малых напряжениях смещения частота колебаний, генерируемых прибором, падает с ростом напряжения. Когда напряжение будет достаточно велико для того, чтобы домен распространился до средней части образца с наибольшей площадью поперечного сечения, частота колебаний скачком уменьшится примерно в два раза, поскольку, миновав среднее сечение, домен достигнет анода. Следовательно, такой образец может быть использован в качестве переключателя частоты.  [35]

На рис. 8.25 приведены функциональные генераторы Ганна с заданной формой колебаний. В верхней части рисунка показана форма образцов, в нижней части - зависимости тока от времени. Следует отметить, что при малых напряжениях смещения частота колебаний, генерируемых прибором, падает с ростом напряжения. Когда напряжение будет достаточно велико для того, чтобы домен распространился до средней части образца с наибольшей площадью поперечного сечения, частота колебаний скачком уменьшится примерно в два раза, поскольку, миновав среднее сечение, домен достигнет анода. Следовательно, такой образец может быть использован в качестве переключателя частоты.  [36]

Пока напряжение на диоде больше, чем пороговое, начинает образовываться домен сильного электрического поля. Если частота, на которую настроен резонатор, достаточно велика, то домен, не успев сформироваться, начнет рассасываться, поскольку rip истечении времени t суммарное напряжение на диоде в течение f будет меньше порогового. Таким образом, при изменении напряжения резонатора в цепи существуют периодические колебания тока сложной формы. При малых напряжениях смещения Е0 и небольшой амплитуде Ег амплитуда тока через диод будет невелика. Исходными для возникновения колебаний могут служить энергии гармоник ганновских колебаний более низких частот, возникающих в момент включения, или отрицательное сопротивление диода, образующееся при формировании домена.  [37]

Катод косвенного накала в описываемом типе тиратрона представляет собой цилиндр с внутренними ребрами 3, покрытыми оксидом. Спиральный нагреватель 4 расположен по оси цилиндра. Сетка 2 - многодырчатая с малыми отверстиями. Это дает возможность при пропускании достаточно больших токов иметь малое напряжение смещения и малые положительные импульсы напряжения, открывающие тиратрон.  [38]

39 Преобразователь частоты блока УКВ с отдельным гетеродином. [39]

Жесткие требования по стабильности частоты гетеродина обусловили применение в тракте ЧМ системы АПЧГ. В качестве органа АПЧГ используют варикап, подключаемый к гетеродинному контуру блока УКВ. Управляющее напряжение на варикап подают с выхода детектора отношений через фильтр RiC. Благодаря этому достигается наибольшая эффективность работы системы АПЧГ, так как малым изменениям управляющего напряжения соответствуют сравнительно большие изменения емкости варикапа. Участок наибольшей крутизны изменения емкости варикапа находится в области малых напряжений смещения, следствием чего является сравнительно низкая добротность варикапа.  [40]

Контур LKCK, как и любой колебательный контур, на всех частотах, кроме резонансной, на которую он настроен, представляет собой малое сопротивление. Для колебаний резонансной частоты его сопротивление велико. Поэтому если частота командного сигнала на входе Г - образного фильтра не равна резонансной частоте контура LKCK, то на выходе этого фильтра, являющемся входом транзистора VI ( нижняя точка контура через диод V2 соединена с эмиттером транзистора), напряжение практически отсутствует. В этом случае все напряжение командного сигнала падает на резисторе RBX. В это время коллекторный ток транзистора мал, так как на базу через резистор Re подается малое напряжение смещения и транзистор почти закрыт. Когда же частота командного сигнала становится равной резонансной частоте контура LKCK, на нем создается сравнительно большое переменное напряжение звуковой частоты, которое практически без потерь подается на базу транзистора. Усиленное транзистором, оно выпрямляется диодом V2 и через катушку LK подается на его базу в отрицательной полярности.  [41]



Страницы:      1    2    3