Структурный анализ - кристалл
Cтраница 2
Интегрирование по всем значениям 1пы в пределах данного узла дает величину так называемой интегральной интенсивности, используемой в структурном анализе кристаллов для нахождения величин структурных факторов. [16]
Вопрос, каким образом преодолеть отсутствие этой информации столь существенной для вывода р ( г), составляет фазовую задачу структурного анализа кристаллов. В принципе эта задача может быть решена многими способами, поскольку, например, либо динамический эффект, либо поглощение могут привести к рассеянию, чувствительному к относительным фазам отражений, а эффекты эти полностью никогда не исчезают. На практике, однако, фазовая проблема остается серьезным препятствием для получения распределений электронной плотности, и на разработку различных методов преодоления этого препятствия было затрачено много изобретательности. [17]
Назовем эту функцию реального пространства Р ( г) обобщенной функцией Паттерсона в отличие от функции Паттерсона, которая используется в структурном анализе кристаллов и относится, как правило, только к периодическим структурам. В тех случаях, когда не может возникнуть неясности, будем называть ее просто паттерсон. Ее можно также назвать самркоррелирующей функцией, как увидим далее. Она непосредственно получается из наблюдаемых ин-тенсивностей. [18]
В последние годы становятся все более настойчивыми попытки использования при анализе структуры стекол тех надежных кристаллохимиче-ских представлений, которые дают современные методы структурного анализа кристаллов и, в частности, силикатов. Речь идет далее о применении к стеклам представлений теории твердого тела ( точнее, теории конденсированного состояния), претендующей сейчас на объяснение строения и свойств не только кристаллических тел, но и полимеров, стекол и даже индивидуальных макромолекул. [19]
По своей относительной простоте и месту, занимаемому в общем исследовании, первый этап является предварительным по отношению ко второму, основному в структурном анализе кристалла. [20]
Все три основные компоненты рентгеноструктурного анализа - аппаратура для получения дифракционных данных, математические методы расшифровки и уточнения кристаллической структуры и вычислительная техника - достигли такого уровня, когда полная автоматизация структурного анализа кристаллов становится вполне разрешимой ( и решаемой) задачей. [21]
Все три основные компоненты рентгеноструктурного анализа - аппаратура для получения дифракционных данных, математические методы расшифровки и уточнения кристаллической структуры и вычислительная техника - достигли такого уровня, когда полная автоматизация структурного анализа кристаллов становится вполне разрешимой ( и решаемой) задачей. Возможности автоматизации рентгеновского эксперимента были кратко рассмотрены в гл. Дифрактометр измеряет интенсивность отражений и фона. Управляющая ЭВМ подвергает их первичной обработке. [22]
Все три основные компоненты рентгеноструктурного анализа - аппаратура для получения дифракционных данных, математические методы расшифровки и уточнения кристаллической структуры и вычислительная техника - достигли такого уровня, когда полная автоматизация структурного анализа кристаллов становится вполне разрешимой ( и решаемой) задачей. [23]
Профессор Московского университета Юрий Викторович Вульф впервые установил закономерную связь между длиной волны рентгеновского луча и междуатомными отстояниями в кристаллической решетке, диффрагирующей лучи, и тем открыл широкие возможности как для структурного анализа кристаллов, так и для точного определения длин волн рентгеновского спектра; позже то же самое было сделано, независимо, Брэггом. [25]
Проведение такого структурного анализа кристаллов весьма трудоемко даже тогда, когда для сложных расчетов в распоряжении исследователя имеется высокопроизводительная вычислительная техника. Так, с кристалла белка и кристаллов различных изоморфных производных того же белка должно быть получено, измерено и скорректировано множество рефлексов. За этим следует установление положения тяжелых атомов и определение фазового угла для каждого рефлекса. Затем для нескольких десятков тысяч точек должны быть рассчитаны электронные плотности, и в заключение результаты должны быть интерпретированы. [26]
Наличие таких рефлексов может отражать периодический или по крайней мере квазипериодический порядок. Для определения таких рефлексов используют методы структурного анализа кристаллов. Рассмотрение этих методов выходит за пределы настоящей главы. Однако тот факт, что такие дифракционные явления наблюдаются под малыми углами, обусловливает применение оборудования, используемого обычно при исследованиях рассеяния под малыми углами. Требования, предъявляемые к камерам такого типа в отношении разрешающей способности, довольно высокие. [27]
Обозначения Шенфлиса применяются, в основном, для описания симметрии точечных групп и макрофизических свойств кристаллов. Международные обозначения используются для описания пространственных групп и в структурном анализе кристаллов. [28]
Вследствие этого самосвертку электронной плотности ( 72а, б) называют функцией межатомных расстояний. Наиболее ясно ее свойства были проанализированы в работе Паттерсона [18], который показал ее ценность для структурного анализа кристаллов и дал формулу ее представления в виде ряда Фурье. [29]
Зоноэдры имеют ряд важных приложений в кристаллографии. Его исследования были продолжены в работах Б.Н. Делоне и А. Д. Александрова, получивших ряд новых важных результатов по теории выпуклых многогранников и по математической теории структурного анализа кристаллов. [30]
Страницы: 1 2 3