Перевод - транзистор
Cтраница 1
 |
Семейство выходных.| Изменение тока коллектора транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером в ключевом режиме. [1] |
Перевод транзистора из одного состояния в другое осуществляется входным сигналом большой амплитуды. [2]
При переводе транзисторов в экономичный режим удается снизить потребляемую одним каскадом мощность до нескольких десятков микроватт. Однако при этом ухудшаются качественные показатели транзисторных усилителей. Кроме того, их проектирование связано с дополнительными трудностями, ранее не встречавшимися при коллекторных токах порядка 0 5 - - 5 ма. Поэтому важно установить пределы, в которых может быть уменьшена потребляемая мощность при сохранении требуемых параметров усилителя. [3]
Так как это явление наблюдается при переводе отпертого транзистора в запертое состояние, то можно предположить, что неосновные неравновесные носители, заполняющие базу отпертого транзистора, вызывают какие-то процессы, увеличивающие ток коллектора в течение довольно длительного времени после запирания эмиттер-ного перехода и прекращения базового тока. [4]
Для этого амплитуда входных импульсов должна быть достаточной для перевода транзистора из режима отсечки в активный режим работы и далее в режим насыщения, а также в обратном направлении. [5]
 |
Структура п - /. - я-траизистора с диодом Шоттки ( з к его эквивалентная схема ( б. [6] |
Процессы накопления неосновных носителей и их последующего рассасывания при переводе транзистора в режим отсечки или в выключенное состояние связаны с относительно медленным процессом диффузии неосновных носителей заряда. [7]
В последовательном соединении ключевых каскадов ( например, выходных релейных каскадов ГШИ) для перевода транзистора в состояние насыщения необходимо запереть до состояния отсечки предыдущий транзистор. В триггере принудительное запирание замыканием эмиттера и базы одного из транзисторов должно вызвать переход в состояние насыщения второго транзистора. Если на триггер сигналы по цепям управления больше не поступают, то после освобождения от замыкания транзисторы должны остаться в этом - состоянии. [8]
При срабатывании одного из пожарных извещателей, включенных в сигнальную линию данной ячейки, сопротивление линии возрастает до 4 кОм, что сопровождается переводом транзисторов Т4 и Т10 в режим отсечки коллекторного тока, а транзистора Til-в режим насыщения. [9]
При работе транзистора в ключевом режиме на вход транзистора ( см. рис. 2.26, а) подается отпирающий ток базы / Б1 / вн, т.е. достаточный для перевода транзистора в режим насыщения. [10]
Для переключения транзистора в открытое состояние необходимо увеличить напряжение L / вэ до значения, при котором ток базы / Б превысит минимально достаточный ток / Б нас для перевода транзистора в режим насыщения. [11]
Поэтому идеальная форма тока базы для быстрого включения и выключения транзисторного ключа должна иметь вид, представленный на рис. 4.12. Длительности t и t % импульсов базового тока должны быть достаточными для перевода транзистора из закрытого состояния в режим, близкий к насыщенному, и из открытого состояния в закрытое. [12]
UBX не должна смещаться за пределы рабочего участка БВ линии нагрузки, так как в ином случае резко увеличатся нелинейные искажения. Для перевода транзистора в режиме обогащения резистор R1 нужен. Сопротивление резисторов делителя R1R2 выбирают такими, чтобы напряжение U3 на затворе было больше напряжения UKt, на истоке. [13]
Упростить анализ переходных процессов в переключающих схемах с транзисторами позволяет использование вместо уравнения непрерывности ( стр. При этом перевод транзистора из запертого состояния в отпертое и обратно связывается с зарядом, вводимым из внешних цепей в транзистор или вытягиваемых из транзистора. [14]
При воздействии на полупроводниковый триггер импульсов запуска с малой частотой повторения открытые триоды, находящиеся в режиме насыщения, перестают закрываться и триггер не опрокидывается. В схеме обычного ключа при переводе транзистора из открытого состояния в закрытое фронт затягивается до нескольких миллисекунд. Это явление, часто называемое засыпанием, отмечалось во многих германиевых триодах, особенно с малым удельным сопротивлением базы; оно прекращалось с повышением температуры окружающей среды. [15]
Страницы: 1 2