Перевод - транзистор
Cтраница 2
В рассмотренных схемах транзистор работает в режиме насыщения. Этот режим характеризуется тем, что для перевода транзистора из полностью отпертого состояния в запертое требуется время для рассасывания избыточного - заряда, снижающее быстродействие схемы. С целью ликвидации этого недостатка часто транзистор заставляют работать в ненасыщенном режиме, для чего применяется нелинейная отрицательная обратная связь. [16]
При этом напряжение к увеличивается, это изменение через обмотку шос подается на базу тразистора и усиливает запирание ключа. Процесс снова имеет регенеративный характер и завершается переводом транзистора в режим отсечки. [17]
При этом напряжение wK увеличивается, это изменение через об-лютку аос подается на базу тразистора и усиливает запирание ключа. Процесс снова имеет регенеративный характер и завершается переводом транзистора в режим отсечки. [18]
Входной сигнал изменяет свою полярность с отрицательной на положительную. Повышение базового потенциала вызывает открытие эмиттерного перехода и перевод транзистора в активный режим. Фронт и срез импульса формируются высокочастотными составляющими сигнала, поэтому при скачкообразном изменении входного сигнала1 проявляются частотные свойства транзистора. [19]
Биполярный транзистор в цифровых интегральнных микросхемах обычно выполняет функцию ключа и все время работает либо в режиме насыщения, либо в режиме отсечки. Процессы накопления неосновных носителей и их последующего рассасывания при переводе транзистора в режим отсечки или в выключенное состояние связаны с относительно медленным процессом диффузии неосновных носителей заряда. [20]
В качестве ключей в импульсных стабилизаторах напряжения и в инверторах для ИВЭП с бестрансформаторным входом находят применение мощные. Оптимальный режим эксплуатации мощного транзистора гарантируется током базы, достаточным для перевода транзистора из состояния отсечки в состояние насыщения с малыми динамическими потерями. Если базовый ток недостаточен для насыщения транзистора, то это приводит к его работе в активной области и, следовательно, к большим потерям мощности. [21]
В состояние, близкое к отсечке, транзистор легко перевести коротким замыканием выводов эмиттера и базы. При последовательном соединении ключевых каскадов ( так соединены релейные выходные ключи датчика импульсов) для перевода транзистора в состояние насыщения необходимо запереть предыдущий транзистор. В триггере принудительное запирание одного из транзисторов замыканием выводов базы и эмиттера должно вызвать переход в состояние насыщения второго транзистора, и если на триггер сигналы по цепям управления больше не поступают, то после освобождения от замыкания транзисторы остаются в этом состоянии. [22]
Показания омметров зависят от типа проверяемого диода или транзистора, величины напряжения, которое приложено от источника питания омметра, его предела измерения. Поэтому здесь не приводятся какие-либо величины. Описанные проверки, как и полезный на практике прием перевода транзистора в состояние отсечки путем замыкания эмиттера и базы, могут служить лишь грубым оперативным средством отбраковки по требованиям, выполнение которых необходимо, но не достаточно. Точно так же недостаточной может оказаться и проверка с помощью различ-чых специальных простых испытателей для полупроводниковых приборов, которые создают условия проверки, значительно отличающиеся от условий работы в схемах АПА. [23]
 |
Электрическая схема. [24] |
Если дым в рабочей камере извещателя отсутствует, в цепи фоторезистора протекает незначительный начальный ток. При этом транзистор Т4 находится в режиме отсечки коллекторного тока и реле обесточено. Появление дыма вызывает засветку фоторезистора, в результате чего ток в его цепи достигает значения, достаточного для перевода транзистора Т4 в режим насыщения. [25]
 |
Появление ступеней на выходе ЦАП. [26] |
По сравнению с ЦАП, управляемых напряжением, токовые ЦАП имеют преимущество, связанное с тем, что в их ключах транзисторы работают в нормальном режиме, а не в режиме глубокого насыщения. Поскольку транзисторы в ключах не работают в режиме насыщения, устраняются временные задержки, связанные с выводом транзисторов из этого режима. К тому же здесь транзисторы не работают в режиме глубокой отсечки, что также значительно сокращает время, требующееся для перевода транзисторов из режима отсечки в активную рабочую область. Однако неизбежные паразитные емкости, всегда присутствующие в схеме ЦАП, своими зарядными и разрядными эффектами, снижают быстродействие токовых ЦАП. [27]
Для этой цели транзистор применяется в обычной усилительной схеме, работающей в режиме ограничения. При этом рабочая точка вне областей ограничения находится в линейной части характеристики, что достигается при помощи напряжения смещения. Входной сигнал должен иметь амплитуду, достаточную для перевода транзистора в область отсечки во время одного полупериода и в область насыщения во время другого полупериода. Усилители, работающие в режиме ограничения, иногда называют усилителями, работающими в режиме перегрузки. [28]
Время рассасывания зависит от глубины насыщения транзистора. Глубина насыщения определяется коэффициентом насыщения Xa ( / 6 / 2u) / / K. Он показывает, во сколько рае-ток базы транзистора, находящегося в режиме насыщения, больше тока базы, требуемого для перевода транзистора на границу насыщения, при которой напряжение на коллекторном переходе равно нулю. [29]
Отсутствие дефектов в структуре Транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Если при этом в силу каких-то причин в базовой области возникнет незначительный ток основных носителей, направленный от периферии к центру, то из-за - появления градиента отпирающего напряжения на эмиттере начнется концентрация тока в базе, но не к периферии эмиттера, как это бывает обычно, а к центру. Таким образом, в любом транзисторе при тех или иных условиях всегда возможно возникновение вторичного пробоя. Если транзистор находится в этом состоянии достаточно долго, то в нем произойдут серьезные необратимые изменения. Имеются данные, согласно которым кратковременное нахождение в состояии вторичного пробоя может не вызывать заметных необратимых изменений в транзисторе. Некоторые исследователи указывают, однако, что при многократном переводе транзистора во вторичный пробой локализация тока происходит в одном и том же месте. Этот факт заставляет предположить, что в любом случае переход во вторичный пробой вызывает какие-то, хотя бы очень незначительные необратимые изменения. Во всяком случае в настоящее время следует считать, что переход транзистора в процессе его эксплуатации в состояние вторичного пробоя является недопустимым даже на очень короткое время. [30]
Страницы: 1 2