Принцип - действие - транзистор
Cтраница 1
 |
Схема подключения источников напряжения к транзистору. [1] |
Принцип действия транзистора состоит в управлении током одного из переходов с помощью тока другого перехода. [2]
Принцип действия транзистора заключается в том, что при изменении потенциала затвора меняется толщина р-я-перехо-ходов, а следовательно, и токопроводящее сечение канала. В результате меняется сопротивление между стоком и источником и соответственно ток в цепи стока. При увеличении отрицательного потенциала на затворе толщина р - n - перехода увеличивается, что приводит к уменьшению токопроводящего сечения канала. Уменьшение отрицательного потенциала на затворе вызывает уменьшение толщины р - n - перехода и увеличение сечения канала. Его сопротивление уменьшается, а ток стока увеличивается. [3]
Принцип действия транзисторов помогают уяснить зонные или энергетические диаграммы, позволяющие представить энергетические состояния р-п - р структуры при различных режимах работы прибора. На рис. 4.3, а представлена энергетическая диаграмма транзистора, находящегося в равновесном состоянии. Такой режим имеет место либо при замкнутых, как показано на рис. 4.3, б, либо при разомкнутых электродах. Уровень Ферми в этом случае занимает одинаковое положение для всех трех областей транзистора. Аналогично сопротивление слоя р2 меньше сопротивления слоя пь Отметим, что лишь первые транзисторы, изготовленные методом сплавления, имели коллекторный слой низкоомным, что приводило к сильной зависимости ширины базы, а следовательно, и эффективности транзистора от коллекторного напряжения. Этот эффект будет рассмотрен ниже. Из диаграммы видно, что электроны базы и дырки эмиттера и коллектора находятся в потенциальных ямах. Для перехода в смежный слой им нужно сообщить очень большую энергию, равную высоте потенциального барьера, что можно реализовать лишь при очень высоких температурах. При рабочих температурах потенциальный барьер преодолевает лишь небольшая часть неосновных носителей, которые образуют диффузионные составляющие электронного тока эмиттера / мэдифи коллектора / пкдиф и диффузионные составляющие дырочного тока эмиттера / рэдиф и коллектора / ркдаФ - Для дырок базы и электронов эмиттера и коллектора имеет место другая картина. Они находятся на потенциальных холмах и легко переходят в соседнюю область. [4]
Принцип действия транзисторов основан на протекании прямого тока, состоящего из неосновных носителей, проходящих через базу транзистора и проникающих из эмиттера в базу. [5]
 |
Структуры разных типов биполярного транзистора.| Устройство несимметричного ( а и симметричного ( б биполярного транзистора. [6] |
Принцип действия транзисторов обоих типов одинаков. [7]
Принцип действия транзисторов обоих типов одинаков. В соответствии с этим в транзисторе типа р-п - р коллекторный ток создается движением дырок, а в транзисторе типа п-р - п - движением электронов. [8]
 |
Распределение концентрации носителей в бездрейфовом ( а и дрейфовом ( б транзисторах и распределение токов в электродах транзисто - Ра ( в. [9] |
Принцип действия транзисторов типа п - р - п не отличается от рассмотренного выше, только в область базы вводятся из эмиттера не дырки, а электроны. Для таких транзисторов полярность напряжений t / эв и ( / КБ должна быть противоположна той, которая показана на рис. 6.3. Направление токов также должно измениться на противоположное, так как они обусловлены в данном случае не дырочной, а электронной проводимостью. [10]
 |
Транзисторы типов р-п - р ( а и п-р - п ( 6. [11] |
Принцип действия транзисторов р-п - р и п-р - п одинаков, но при использовании транзисторов того или другого типа необходимо соответственно изменять полярность применяемых источников напряжения. В транзисторе р-п - р ток проходит от эмиттера в базу, а в транзисторе п-р - п - из базы в эмиттер. [12]
 |
Усиление электрических колебаний с помощью транзистора. [13] |
Принцип действия транзисторов типа п - р - п не отличается от рассмотренного выше, только в область базы вводятся из эмиттера не дырки, а электроны. Для таких триодов полярность напряжений Ег и Е2 должна быть противоположна той, которая показана на рис. 12 - 8; направление токов также изменится на противоположное, так как они обусловлены в данном случае не дырочной, а электронной проводимостью. [14]
Принцип действия транзистора л-р-п-типа аналогичен принципу действия транзистора р-л-р-тина. [15]
Страницы: 1 2 3 4