Принцип - действие - транзистор
Cтраница 3
В данной главе рассматривается принцип действия транзистора сточки зрения его применения для усиления электрических колебаний. Сравниваются три схемы включения транзистора. С помощью физической эквивалентной схемы изучается поведение усилителя на транзисторе в области высоких частот. Многие вопросы построения усилительных схем, затрагиваемые в этой главе, являются общими для различного рода усилителей. [31]
Принцип действия транзистора л-р-п-типа аналогичен принципу действия транзистора р-л-р-тина. [32]
 |
Конструктивно-технологические разновидности транзисторов. [33] |
Узловым вопросом, связанным с принципом действия транзистора, является вопрос о том, каков механизм переноса неосновных носителей от эмиттеца к коллектору. Если область базы имеет однородную структуру ( концентрация примеси во всех ее участках одинаковая), то единственной причиной движения введенных из эмиттера в базу неосновных носителей по направлению к коллектору является их диффузия. [34]
Учитывая сказанное в § 3.4 о принципе действия транзистора с ДШ, можно заключить, что для схемы / ( ( КБ 0) время восстановления обратного сопротивления должно быть наименьшим, тем более, что в этой схеме емкость диода определяется только барьерной емкостью эмиттерного р-п перехода. Поэтому такое диодное включение используется в быстродействующих цифровых микросхемах. [35]
Принцип действия транзистора типа п-р - п аналогичен принципу действия транзистора типа р-п - р с тем лишь отличием, что в область базы из эмиттера поступают не дырки, а электроны. [36]
Принцип действия МОП-транзисторов приблизительно тот же, что и принцип действия транзисторов со структурой р-п - р-типа, поэтому мы не будем на этом останавливаться. [37]
Принцип работы полевых транзисторов с / - каналом аналогичен принципу действия транзисторов с и-каналом, если поменять местами р - и - области, а также сменить полярность напряжений и направление токов. [38]
Смещение выходных статических характеристик вверх в выбранной системе координат при увеличении тока эмиттера соответствует принципу действия транзистора. [39]
Принцип действия транзисторов обоих типов одинаков. [40]
Гораздо большее влияние на работу транзистора оказывает Скз, так как гк велико и эффект шунтирования более заметен. Принцип действия транзистора основан на модуляции инжектированными носителями сопротивления коллектора. На высоких частотах Скз шунтирует гк и поэтому глубина модуляции гк уменьшается, а следовательно, уменьшается и h21B транзистора. [41]
Транзистор типа п-р - п имеет эмиттер и коллектор электронной электропроводности, базу - дырочной электропроводности. Принцип действия транзистора аналогичен рассмотренному ранее. [42]
 |
Транзистор типа п-р - п. [43] |
Как видно из рисунка, в транзисторе есть два электронно-дырочных перехода - эмиттерный и коллекторный, разделенные тонкой базой. Принцип действия транзистора основан на использовании свойств р - / г-перехода. [44]
К полупроводниковым областям созданы омические контакты и внешние выводы. Принцип действия транзисторов типа п-р - п и р-п - р одинаков. Для определенности в этой главе рассматривают только транзисторы типа п-р - п; для транзисторов типа р-п - р полярность рабочих напряжений и направления токов противоположны. Далее в этой главе биполярный транзистор будем называть просто транзистором. [45]
Страницы: 1 2 3 4