Заполнение - слой
Cтраница 2
Рекомендую в два провода выполнять первичную обмотку, плотно укладывая витки на магнитопровод, и, после расчетного числа витков, продолжить намотку до заполнения слоя. [16]
При загрузке катализатора в аппараты рекомендуется выполнять два основных правила: высота падения катализатора не должна превышать 40 - 100 см и катализатор необходимо равномерно распределять после заполнения слоя. Высота, с которой катализатор может падать без серьезного ущерба, зависит от его прочности и размера гранул. Катализатор не следует целиком высыпать в одно место, а образующуюся кучу надо выравнивать, так как гранулы склонны к сегрегации. [17]
Несколько другая картина получается для активности одноатомного ансамбля ( п Ц; максимум общей активности сохраняется, а максимум удельной отсутствует и кривая aj / ( a) экспоненциально падает с увеличением заполнения слоя. [18]
А) никакая теория, предполагающая непрерывный рост, не способна дать результаты, идеально согласующиеся с экспериментальными наблюдениями, поскольку за время нескольких часов и даже суток образуется всего несколько атомных слоев, а сплошное заполнение слоя может сопровождаться образованием новых зародышей поверх этого слоя. Следовательно, экспериментальные данные должны были бы свидетельствовать о ступенчатом росте, как это они часто на самом деле и показывают. [19]
Во-первых, считают, что ко-валентная связь указывает на образование гидридного водорода или что этот водород фактически является донором электрона, но в начальной стадии заполнения он оказывается под внешним двойным слоем металла или внутри последнего; такое погруженное расположение диполя сообщает поверхности отрицательный потенциал. По заполнении погруженного слоя последующие количества водорода адсорбируются в форме М - - Н на созданной таким образом поверхности и вследствие этого понижают поверхностный потенциал, который может стать положительной величиной. [20]
В двух первых периодах заполнение оболочек электронами происходит по правилу постепенного заполнения. Но уже при заполнении слоя п 3 происходит отклонение от постепенного заполнения. Оболочка п 3 имеет 18 мест, из которых у Аг заполнены только 8, 10 мест с п 3, / 2 остаются свободными. [21]
Они обнаружили, что скорость роста [ уравнение ( 64) ] определяется размерами структуры, которые значительно больше критических размеров зародыша. Скорость ( гх) заполнения слоя на поверхности с зародышем в свою очередь не пропорциональна ДГ, как будет показано ниже. Таким образом, уравнение ( 64) не подходит для описания роста полимерного кристалла из сложенных цепей по спирали с вектором Брюгерса, равным толщине ламели. [22]
Но если здесь, после меди, оболочка М уже укомплектована полностью, то для семейства иттрий - палладий идет достройка подъуровня d оболочки N тоже до 18 электронов, хотя для этой оболочки возможно наличие 32 электронов. Начиная с индия, развертывается заполнение слоя О, слой же N остается незавершенным. [23]
Поэтому целесообразно обеспечить такое конструктивное выполнение аппаратов для адиабатических режимов обработки воздуха, чтобы при малых коэффициентах орошения достигалась высокая эффективность по прямому испарительному охлаждению. Для достижения этого необходимо использовать в качестве заполнения слоя материалы, обладающие хорошими качествами по смачиваемости и удержанию влаги. [24]
 |
Зависимость Т от М. [25] |
Для второго цикла процесс заполнения слоев описывается теми же соотношениями (1.16) - (1.22), но с другими начальными условиями для малопроницаемого слоя, которые получаются из решения соответствующей задачи для первого цикла. Поскольку начальные условия для уравнений, описывающих процесс заполнения малопроницаемого слоя на втором цикле, являются решением тех же самых уравнений, соотношения (1.22) описывают решение на всем интервале времени от t 0 до момента заполнения малопроницаемого слоя жидкостью 1 f Г2 независимо от числа циклов смены жидкости в высокопроницаемом слое. Наоборот, в каждом цикле в высокопроницаемом слое, фактически, происходит повторение первого цикла, поскольку имеется полное совпадение как начальных и граничных условий, так и уравнений, описывающих поведение жидкостей в высокопроницаемом слое. [26]
Возникновение сил отталкивания должно приводить к снижению адсорбционного потенциала по мере заполнения слоя молекулами, так как с ростом заполнения поверхности интенсивность взаимодействия между адсорбированными молекулами увеличивается. [27]
Однако при не слишком малых концентрациях электролита влияние пред-экспоненциального фактора является несущественным, и изотерма ( 23) является практически логарифмической. Та же зависимость по указанной причине сохраняет силу и в области более высоких степеней заполнения слоя, хотя энтропийный фактор [ И ] имеет в этом случае более сложный вид. [28]
Экспериментально изучена [4], [7] возможность изготовления сосудов с вакуумно-порошковой изоляцией, имеющих тонкостенную наружную оболочку. В этих двух работах испытаны также различные способы создания вакуума без откачки, например, путем заполнения слоя изоляции вместо воздуха двуокисью углерода, конденсирующейся при заливке в сосуд жидкого кислорода. [29]
Для второго цикла процесс заполнения слоев описывается теми же соотношениями (1.16) - (1.22), но с другими начальными условиями для малопроницаемого слоя, которые получаются из решения соответствующей задачи для первого цикла. Поскольку начальные условия для уравнений, описывающих процесс заполнения малопроницаемого слоя на втором цикле, являются решением тех же самых уравнений, соотношения (1.22) описывают решение на всем интервале времени от t 0 до момента заполнения малопроницаемого слоя жидкостью 1 f Г2 независимо от числа циклов смены жидкости в высокопроницаемом слое. Наоборот, в каждом цикле в высокопроницаемом слое, фактически, происходит повторение первого цикла, поскольку имеется полное совпадение как начальных и граничных условий, так и уравнений, описывающих поведение жидкостей в высокопроницаемом слое. [30]
Страницы: 1 2 3