Заполнение - дефект
Cтраница 1
Заполнение дефектов пенетрантом в магнитном или электромагнитном поле может применяться для ускорения проникновения пенет-рантов, обладающих магнитными свойствами, например, приготовленных на основе магнитной жидкости. [1]
Заполнение дефектов структуры стеклопластика молекулами воды ведет к ухудшению его диэлектрических свойств - увеличению диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь, снижению удельного объемного электрического сопротивления и др. При этом по достижении в материале некоторой критической концентрации низкомолекулярного вещества ( обычно 0 95 - 0 99 от равновесной) происходит скачкообразное изменение диэлектрических показателей. [2]
Сущность деформационной пропитки ( заполнение дефекта пенетрантом) состоит в воздействии на объект упругих колебаний деформационных нагрузок. В результате деформации дефекты попеременно сужаются и расширяются, что облегчает проникновение пенетранта в их полости, или же увеличивается минимальный размер дефекта. [3]
Итак, чем лучше заполнение дефектов поверхности, тем полнее реализуются условия межмолекулярного или химического взаимодействия, природа которых может быть различна. [4]
Материал аллоколлагенный рассасывающийся для заполнения дефектов костей Коллост. [5]
Отличительной особенностью ультразвукового способа заполнения дефектов является то, что поток жидкости, направленный в капилляр и образующийся под действием ультразвука, не сплошной, а состоит из отдельных высокоскоростных микроструек, образующихся при захлопывании кавитационных пузырьков, что обеспечивает интенсивное удаление воздуха и загрязнений из полостей дефектов и полное заполнение их пенетрантами. [6]
При капиллярной пропитке ( заполнении дефекта пенетрантом) детали обычно погружают в емкость с индикаторным пенетрантом. Если изделия имеют большие размеры, то их поливают, смазывают индикаторной жидкостью или наносят жидкость кистью, губкой, пульверизатором-краскораспылителем или с помощью аэрозольного баллона. [7]
Наиболее важными технологическими характеристиками кинетики заполнения дефектов дефектоскопическими материалами является глубина проникновения пенетранта в трещину / и время / заполнения на заданную глубину для открытых сквозных капилляров. [8]
Анодирование может уменьшить чувствительность метода не только за счет заполнения дефектов кислотой, но и за счет образования пористой поверхности, приводящей к появлению красного фона. [9]
Материалы, применяемые при капиллярном неразрушающем контроле и предназначенные для заполнения дефектов, нейтрализации или удаления избытка проникающего вещества с поверхности и извлечения ( проявления) его остатков из трещины с целью получения первичной информации о наличии несплошности в объекте контроля, называют дефектоскопическими. [10]
В первые 120 - 240 ч испытаний наблюдается повышенный разброс прочностных показателей, связанный с неравномерным проникновением воды в объем стеклопластика и заполнением тупиковых дефектов путем капиллярного поднятия. [11]
 |
Определение равновесной. [12] |
При наличии открытой пористости параллельно с относительно быстрым процессом - заполнением сквозных и тупиковых капилляров, идущим на первом этапе контакта с жидкостью-происходит медленное, диффузионное заполнение внутренних закрытых дефектов и свободного объема полимерной матрицы. При этом равновесие достигается за счет молекул, диффундирующих не только с поверхности через толщу материала, но и через стенки капилляров, наполненных конденсированной фазой. На кинетической кривой сорбции можно выделить начальный участок, соответствующий сорбции материалом среды по механизмам капиллярной конденсации или капиллярного поднятия. [13]
Лента ТЕРМА-РЗ представляет собой 3-слойную ленту, состоящую из 2 слоев термоплавкого клея, между которыми расположен слой армирующей сте-клосетки, и предназначена для заполнения дефектов в изоляции. [14]
Причиной высокой электропроводности окис ной поверхности ММ считается наличие неидеально смешанных кристаллов окислов Ва и И в отличие от их изоморфной структуры Другое объяснение состоит в том что в смешанных кристаллах отсутствует некоторые атомы кислорода. При заполнении дефектов решетки кислородными атомаш перенапряжение хлора сильно возрастает. [15]
Страницы: 1 2 3