Зародыш - кристаллизация
Cтраница 1
 |
Зависимость максимальной вероятности кристаллизации Р от температуропроводности х. [1] |
Зародыши кристаллизации формируют иерархически соподчиненный статистический ансамбль, характеризуемый распределением тепла Q по координате и ультраметрического пространства. [2]
Зародыши кристаллизации вводят в состав стеклоцемента во время варки в виде присадок некоторых окислов. В результате лри вторичном расплавлении во время вжигания происходит прогрессивная кристаллизация ( нуклеация) слоя по всему объему. Микра области с упорядоченной структурой достигают размеров 0 1 - 1 мкм, а их количество на 1 мм3 составляет 1010 и более. Микрообласти связаны между собой в прочный каркас, промежутки между ними заполняет аморфная фаза. Повторный нагрев до температуры вжигания не вызывает размягчения, так как образовавшийся кристаллический каркас требует для разрушения значительно более высокой тепловой энергии, чем при первичном расплавлении. [3]
Зародыши кристаллизации гидрата легче образуются на свободной поверхности контакта газ - вода. [4]
Структура зародышей кристаллизации, а также активной поверхности кристаллов остается еще неизученной, однако ввиду того, что в момент инициирования реакции система является гомогенной, можно с уверенностью утверждать, что активные центры образуются в результате взаимодействия мономерных единиц с катализатором. Кроме того, принимая во внимание то обстоятельство, что размер кристаллов в направлении роста не совпадает с длиной полимерной цепочки ( в спиральной конформации), рассчитанной по средне-числовой молекулярной массе, можно считать, что длина макромолекул уменьшается. [5]
Рост зародышей кристаллизации происходит в результате перехода атомов из переохлажденной жидкости к кристаллам. Кристалл растет послойно, при этом каждый слой имеет одноатомную толщину, Различают два элементарных процесса роста кристаллов. [6]
 |
Схема рост. ] кристаллов. [7] |
Рост зародышей кристаллизации происходит в результате перехода атомов из переохлажденной жидкости к кристаллам. Кристалл растет послойно, при этом каждый слой имеет одноатомную толщину. Различают два элементарных процесса роста кристаллов. [8]
 |
Температура, соответствующая максимальной скорости кристаллизации ( Tf. [9] |
Число зародышей кристаллизации может оставаться в процессе кристаллизации неизменным или непрерывно увеличиваться. Соответственно процесс кристаллизации называют процессом с гомогенным или спорадическим зародышеобразованием. [10]
Из зародыша кристаллизации может вырасти кристалл, если еплав продолжает охлаждаться. [11]
Рост зародышей кристаллизации связан с концентрационным переохлаждением. Оно развивается только в сплавах или в сильно загрязненных металлах. Расплав кристаллизуется в некотором интервале температур, а легирующие элементы или примеси снижают температуру ликвидуса а. Этот эффект повышается с увеличением скорости кристаллизации. В соответствии с объемным распределением градиентов температур и скоростей кристаллизации в сварном шве непрерывно возрастает концентрационное переохлаждение от границы сплавления к середине шва. [12]
 |
Схема роста кристаллов. [13] |
Рост зародышей кристаллизации происходит в результате перехода атомов из переохлажденной жидкости к кристаллам. Кристалл растет послойно, при этом каждый слой имеет одноатомную толщину. Различают два элементарных процесса роста кристаллов. [14]
 |
Зависимость числа центров кристаллизации ( Ч.Ц.К в 1 2 см3 (. расплава от степени переохлаждения ( по Тамма-ну. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5