Зародыш - кристаллизация
Cтраница 2
Кривые образования зародышей кристаллизации, напоминающие по форме кривую, показанную на рис. 60, были получены Тамманом для многих других систем. Для всех изученных систем было установлено, что оптимальная температура зарождения центров кристаллизации была гораздо ниже той, которая требовалась для максимального - роста кристаллов. [16]
 |
Зависимость In ( - In ф от In t для полиэтилентерефталата. [17] |
Постоянное образование зародышей кристаллизации означает, что скорость их образования не изменяется в течение процесса кристаллизации. При спорадическом же обра-зовании зародышей их концентрация постоянно увеличивается во время процесса. [18]
Для образования зародыша кристаллизации первое слагаемое уравнения является превалирующим. Увеличение этого члена вызывает общее увеличение свободной энергии. При дальнейшем росте кристалла основное значение приобретает второе слагаемое, что приводит к уменьшению свободной энергии. [19]
Скорость образования зародышей кристаллизации гидрата в значительной степени определяется значением внешнего давления и степенью переохлаждения процесса. С увеличением давления скорость образования зародышей кристаллизации растет. При повышении степени переохлаждения скорость образования зародышей кристаллизации резко возрастет, а, достигнув определенного значения, при заданном давлении плавно снижается. После появления центров кристаллизации гидрат распространяется и занимает всю свободную поверхность контакта газ - вода. Скорость образования сплошной гидратной пленки на поверхности раздела газ - вода зависит от переохлаждения и состояния воды, давления и температуры процесса. Радиальная скорость образования гид-ратной пленки на свободной поверхности вокруг зародышей кристаллизации относительно велика и достигает сотен микрометров в секунду. Она остается постоянной для данных термодинамических условий. С ростом давления, уменьшением удельного объема газа и повышением переохлаждения, т.е. увеличением структурирования воды, скорость образования поверхностно-пленочного гидрата возрастает. [20]
 |
Схема устройства для полу - Кристамиэация чения чистого сдвига при кристаллиза. [21] |
Это ускоренное образование зародышей кристаллизации обусловливает увеличение суммарной скорости кристаллизации при деформации. Влияние деформации на линейную скорость роста, которая измерена для единичной ламели, эпитаксиалыю нарастающей на фибриллярный зародыш, было удивительно мало. Таким образом, макромолекулы, которые в процессе эпитаксиального роста осаждаются на фибриллярный зародыш, очевидно, к этому времени уже полностью отрелаксировали и их поведение не сильно отличается от поведения обычного расплава ( разд. [22]
Для увеличения числа зародышей кристаллизации следует использовать концентрированные исходные растворы. [23]
Введение в расплав зародышей кристаллизации приводит к выделению NaP03 - IV, соли Курроля, представляющей собой асбестоподобный волокнистый линейный высокополимер. [24]
Для увеличения числа зародышей кристаллизации следует использовать концентрированные исходные растворы. [25]
Для увеличения числа зародышей кристаллизации следует использовать концентрированные исходные растворы. [26]
Пересыщение нарушается при внесении зародышей кристаллизации, трении стеклянной палочкой о стенки сосуда и попадании в раствор частиц пыли. [27]
 |
Модель строения аморфного полимера по Нею. Д - упорядоченный домен, МД - междоменная область. [28] |
Домены могут играть роль зародышей кристаллизации, о которых шла речь выше. При этом сам процесс кристаллизации осуществляется таким образом, что домен непосредственно образует кристаллическую пластину и на ее поверхности происходит дальнейшее складывание цепей. [29]
Домены могут играть роль зародышей кристаллизации, являются переходным типом структуры от аморфного к кристаллическому. Строение междоменных областей менее упорядочено, чем доменов, или вообще не упорядочено. Проходные макромолекулы 3 соединяют домены и междоменные области в единую трехмерную структуру. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5