Спонтанное зародышеобразование

Cтраница 2

Область существования пересыщенного раствора подразделяется на две метастабильные зоны: верхняя М3, где возможно образование и существование зародышей ( здесь и далее рассматриваются зародыши кристаллов в отличие от зародышей гранул, рассматриваемых в предыдущей главе), и нижняя А1а, где спонтанное зародышеобразование невозможно, а образуются лишь предзародышевые микроструктуры, не имеющие определенного строения, характерного для данного типа кристаллов, и не способные к дальнейшему росту с образованием твердой фазы. [16]

Значения кинетических параметров изотермической кристаллизации некоторых полимеров из расплава. [17]

Значение целочисленного параметра я изменяется в пределах-один-шесть и более в зависимости от геометрии зародыша кристаллизации. Например, при спонтанном зародышеобразовании одномерным зародышам ( стержням) соответствует п 2, двумерным зародышам ( дискам) - п 3, трехмерным зародышам ( сферам) - п 4, снопообразным зародышам, рост которых протекает по механизму разветвлений - п 6 и выше. [18]

Благодаря очень резкой температурной зависимости J1 снижаются требования к точности оценки величин, входящих в комплекс. Поверхность проволочки как-то влияет на условия спонтанного зародышеобразования. Но именно этот наиболее горячий слой является основным поставщиком центров флуктуа-ционного происхождения. [19]

Образование кристаллов из жидкой или газовой фазы во многом напоминает конденсацию пара в жидкость. Здесь также имеется метастабильная область, примыкающая к кривой равновесия, где не происходит спонтанного зародышеобразования, но где уже имеющиеся кристаллы могут расти. При более высоких пересыщениях может происходить спонтанное Зародышеобразование, но и здесь более легко оно протекает в присутствии посторонних твердых частиц, например пылинок. В отсутствии пылинок для зародышеобразования требуются гораздо более высокие пересыщения. [20]

Жидкость метастабильна, но не догрета до температуры, при которой с заметной частотой проявляется спонтанное зародышеобразование. Вторичные эффекты взаимодействия у-квантов с веществом приводят к образованию в жидкости микроскопических разогретых областей - тепловых пичков. Тепловые пички быстро релаксируют, однако запасенная в них энергия может частично расходоваться на образование в жидкости жизнеспособных пузырьков пара. [21]

Зародышеобразование в стандартных условиях. на примере восстановления. [22]

При использовании описанного выше метода стараются избежать измерений в процессе зародышеобразования и измерять только изменения скорости реакции на поверхности раздела. Идеальным способом достижения этой цели было бы создание с помощью подходящего метода некоторого числа зародышей в самом начале реакции, так чтобы спонтанное зародышеобразование, происходящее намного позднее и лишь в условиях, когда реагент уже подвергся значительному превращению, не оказывало влияния на ход реакции. [23]

Обычно одна из главных трудностей при выращивании кристаллов посредством химического взаимодействия заключается в том, что контроль пересыщения должен устранять спонтанное зарождение. Если не прибегать к помощи транспортных реакций, то компоненты приходится брать в таком количестве, при котором не возникает большого пересыщения, способного привести к спонтанному зародышеобразованию. [24]

Растворы карбоната натри я и калия характеризуются относительно низкой метастабильностью. Рост паразитных кристаллов начинается при температурных перепадах свыше 15 С независимо от величины удельной поверхности помещенных в автоклав затравок и ориентации неосновных растущих плоскостей. Интенсивность спонтанного зародышеобразования возрастает по мере повышения абсолютной температуры кристаллизации. Иногда наблюдается эпитаксическое нарастание кварцевых зародышей в участках с повышенной плотностью дислокаций и двойниковых дефектов. Чаще всего закономерное со взаимно параллельным расположением осей L3 прирастание паразитных кристаллов наблюдается на гранях гексагональной призмы в области выхода на ее поверхности торцевых участков затравки. Они также способствуют периодическому растрескиванию кристаллов по мере увеличения толщины наросшего слоя. [25]

Вероятно, консервативное выращивание из раствора удобнее всего вести по схеме, показанной на фиг. В данном случае пересыщение достигается медленным охлаждением раствора. Для предотвращения спонтанного зародышеобразования полезно ( но не обязательно) затравку поддерживать при более низкой температуре, чем раствор. Распределение примеси можно рассчитать непосредственно методами, выведенными для консервативного роста, но с учетом того, что температура кристаллизации меняется по мере осаждения растворенного вещества на кристалле. Изменение температуры кристаллизации приводит к изменению константы fto и, следовательно, делает невозможным прямое распространение уравнений и графиков, описывающих однокомпо-нентный консервативный рост, на консервативное выращивание из многокомпонентной системы. Однако часто либо константа ko слабо зависит от температуры, либо интервал охлаждения незначителен. [27]

Схематическое изображение изменения концентрации примеси в прилегающем к поверхности кристалла слое раствора. [28]

Присутствие в растворе примесей растворимых соединений может повлечь за собой изменение кинетики фазового превращения. Примеси нередко значительно повышают скорость образования зародышей. Причины замедления спонтанного зародышеобразования могут быть разными. Либо присутствие примеси приводит к повышению растворимости и тем самым к уменьшению реального пересыщения, либо они тормозят непосредственно сам ход формирования зародыша. [29]

Страницы: 1 2 3