Зарождение - кристалл
Cтраница 3
Эти частицы могут служить центрами зарождения кристаллов, уменьшая степень необходимого пересыщения. [31]
Для количественного описания зависимости скорости зарождения кристаллов от времени и переохлаждения ( пересыщения) требуется детальный анализ кинетики построения кристаллического зародыша из частиц раствора или расплава. [32]
Эти частицы могут служить центрами зарождения кристаллов, уменьшая степень необходимого пересыщения. Исходя из экспериментальных данных Таммана и других исследователей, можно было бы развить приблизительно такие теоретические представления о механизме зарождения кристаллических центров. [33]
 |
Схема роста зерен при кристаллизации ( И. Л. Миркин. [34] |
Используя представление о постоянной скорости зарождения кристаллов и постоянной скорости их роста, можно схематически рассмотреть процесс кристаллизации. [35]
Во-первых, существенно облегчается процесс зарождения кристаллов, во-вторых, рост кристаллов протекает в контролируемых условиях. Изменяя температуру теплоносителя, подаваемого в обогревающую рубашку 12, а также перегрев исходной смеси, можно добиться частичного растворения ( расплавления) избыточного количества мелких кристаллов, а также разрушения образующихся кристаллических агрегатов в рециркулирующей суспензии. Это позволяет получать крупнокристаллическую суспензию с узким гранулометрическим составом, что обеспечивает более высокую эффективность разделения. [36]
 |
Схема роста зерен при кристаллизации. [37] |
Используя представление о постоянной скорости зарождения кристаллов и постоянной скорости их роста, можно схематически рассмотреть процесс кристаллизации. [38]
Таким образом, необходимым условием зарождения кристаллов парафина и их роста из раствора нерти является охлаждение жидкой фавн до определенной температуры. [39]
Способность расплава к переохлаждению обусловлена зарождением кристалла и зависит от ряда причин, рассматриваемых в гл. Установлено [1], что способность к переохлаждению веществ, содержащих ионы, возрастает при увеличении валентности последних. Из двух веществ с ионами одинаковой валентности к переохлаждению более склонно то, у которого радиус ионов меньше. Присутствие ОН-группы у органических веществ также благоприятствует переохлаждению. [40]
Однако Тамман в вопросе о зарождении кристаллов исходил из неправильных предпосылок. Он считал, что в каждой жидкости существуют два рода молекул - изотропные и анизотропные и что кристаллы могут образоваться только из анизотропных молекул. Существование таких молекул в опытах не подтверждается. Тамман далее считал, что молекулы одного рода могут переходить в молекулы другого рода, причем скорость перехода мала, но возрастает при повышении температуры. Анизотропные молекулы влияют на изотропные таким образом, что последние превращаются в анизотропные молекулы, которые соответствующим образом размещаются в кристаллической решетке и вся жидкость может закристаллизоваться. [41]
Однако ускоряющее действие переохлаждения при зарождении кристаллов действует сильнее, чем при их росте. Это проявляется в том, что величина Л Т входит в уравнение ( XVIII. [42]
Однако Тамман в вопросе о зарождении кристаллов исходил из неправильных предпосылок. Он считал, что в каждой жидкости существуют два рода молекул - изотропные и анизотропные и что кристаллы могут образоваться только из анизотропных молекул. Существование таких молекул в опытах не подтверждается. Тамман далее считал, что молекулы одного рода могут переходить в молекулы другого рода, причем скорость перехода мала, но возрастает при повышении температуры. Анизотропные молекулы влияют на изотропные таким образом, что последние превращаются в анизотропные молекулы, которые соответствующим образом размещаются в кристаллической решетке, и вся жидкость может закристаллизоваться. [43]
Однако ускоряющее действие переохлаждения при зарождении кристаллов действует сильнее, чем при их росте. Это проявляется в том, что величина ДГ входит в уравнение ( XVIII. [44]
Следовательно, для максимального облегчения процесса зарождения кристаллов в переохлажденной жидкости необходимо максимальное смачивание всех присутствующих в расплаве нерастворимых примесей. [45]
Страницы: 1 2 3 4