Зарождение - центр - кристаллизация
Cтраница 2
Зависимость скорости зарождения центров кристаллизации от переохлаждения расплава теллура при различных предварительных перегревах и выдержке в перегретом состоянии ( кривые 1 - 3 та. Зависимость скорости нуклеации от переохлаждения имеет экстремальный вид. Положение максимумов слабо зависит от термической предыстории расплава, в то время как скорость зарождения центров кристаллизации значительно уменьшается с увеличением предварительного перегрева расплава. Среднее переохлаждение расплавов, так же как и время пребывания расплава в переохлажденном состоянии, с увеличением числа циклов постепенно возрастает. С повышением предварительного пер &-грева расплава до 30 - 40 G указанная зависимость проявляется уже в меньшей степени. [16]
 |
Зависимость скорости зарождения центров кристаллизации в растворах иодата лития от концентрации. [17] |
Зависимость скорости зарождения центров кристаллизации от времени ( см. рис. 46, а - - в) в соответствии с рис. 19 является постоянной, монотонно убывающей, монотонно возрастающей и в общем случае экстремальной. Таким образом, классические выражения аналитической временной зависимости скорости зарождения центров кристаллизации [ см. уравнения ( 38) - ( 44) ], предсказывающие монотонное возрастание f ( t) от нуля до стационарного значения, могуг быть применены для описания кинетики гетерогенной нуклеации в растворах только в отдельных случаях. Тем более невозможно анализировать представленные данные с позиции теории стационарной нуклеации. Существенная нестационарность процесса не позволяет также из наших данных надежно определить значение стационарной скорости зарождения центров кристаллизации и ее зависимость от пересыщения раствора иодата лития. Для увеличения интервала времени, на котором с достаточной точностью фиксируеюя функция распределения, необходимо значительно увеличить число проб в каждой серии экспериментов, в силу чего резко возрастает трудоемкость исследования. Однако по нашим данным достаточно надежно определяется значение скорости зарождения центров кристаллизации в начальный момент ( t - 0), так как основная доля проб часто кристаллизуется именно в начале процесса. [18]
Зависимость скорости зарождения центров кристаллизации от концентрации раствора во всех случаях является экстремальной, причем положение максимумов примерно совпадает для кривых, построенных по методике постоянного и переменного пересыщения. Однако метод переменного пересыщения позволяет расширить интервал исследуемых пересыщений и выявить положение вторых экстремумов при более высоких концентрациях растворов. [20]
На скорость зарождения центров кристаллизации раствора или расплава значительное влияние оказывают следы примесей в системе, даже если не происходит значительных изменений температуры, при которой достигается максимальная скорость зарождения этих центров. Тамман 031 показал, что для расплава салицилата р-нафтила ( точка плавления 91 С) Скорость зарождения центров кристаллизации была максимальной при 16 С независимо от присутствия примесей. [21]
Процесс состоит из зарождения центров кристаллизации ( зародышей) аустенита и постепенного роста кристаллов аустенита вокруг этих центров. Центры кристаллизации ( зародыши) аустенита прежде всего образуются на поверхности раздела феррита и пластинок или зернышек цементита. [22]
Полученные результаты показывают зарождение центров кристаллизации у термоантрацитов при более низких температурах, наличие их большого количества при повышении температуры. Такие термоантрациты характеризуются мелкокри сталлической разветвленной структурой. [23]
В этом случае зарождение центров кристаллизации метастабильной фазы возможно и в области малых переохлаждений. [24]
Существует оптимальная температура зарождения центров кристаллизации, и любое снижение температуры ниже оптимальной препятствует кристаллизации. Как показано уравнением ( 11), теоретически зарождение центров кристаллизации может произойти при любой температуре, если система пересыщена или для однокомпонентной системы - переохлаждена. Но при обычных условиях интервал температур, в котором могут легко и бурно зарождаться центры кристаллизации, ограничен. [25]
Увеличение значения скорости зарождения центров кристаллизации вызывает уменьшение продолжительности всего процесса. [26]
Чем больше скорость зарождения центров кристаллизации и меньше скорость их роста, тем более мелкими получаются зерна. [27]
Так, скорость зарождения центров кристаллизации уменьшается не только с возрастанием перегрева, но и с уменьшением скорости охлаждения расплава ( кривые - % 4 - 5 на рис. 30), Это соответствует общей теории кинетики зародышеобразования, разработанной А. Однако реальная зависимость / ( ДГ) имеет экстремальный вид при переохлаждениях 10 - 13; 19 - 22 5; 28 - 33 С для InSb и 6 - 9; 28; 36 - 41 С для Ge. Этот ряд температур является вполне определенным для данного вещества, не зависит в исследованных нами пределах от термической предыстории, массы, скорости охлаждения, перемешивания расплава, содержания в нем растворимых примесей ( например, Sb в Ge) и воспроизводится на различных образцах. [28]
Временная зависимость скорости зарождения центров кристаллизации в растворах подтверждает стохастическую теорию кинетики нуклеации. [29]
 |
Диаграмма образования аустенита в доэвтектоидной стали ( И. Л. Миркин, Н. Е. Блантер. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5