Зарождение - центр - кристаллизация
Cтраница 3
С повышением температуры скорость зарождения центров кристаллизации и3 - увеличивается быстрее, чем скорость роста зерен цр. [31]
Согласно теории гетерофазных флуктуации, зарождение центров кристаллизации ( как гомогенное, так и гетерогенное) является случайным процессом, поскольку возникает необходимость в преодолении некоторого энергетического барьера чисто термодинамического происхождения. Это обстоятельство предопределяет вероятностный характер параметров, которыми непосредственно описывается кинетика фазового перехода и, следовательно, необходимость его учета при экспериментальном и теоретическом исследовании кинетики процесса. [32]
Первую фазу образования кристаллов - зарождение центров кристаллизации - ведут при температуре около 62 С, так как при более низкой температуре образуется большое количество центров, могущих дать слишком мелкие кристаллы. Зарождение кристаллов происходит в средней части колонны. Поэтому отсюда отводят тепло, чтобы смесь не нагревалась выше этой критической температуры. Чтобы обеспечить вторую фазу - рост кристаллов, следует сильнее охладить раствор, чтобы вытекающая из колонны жидкость имела температуру 28 - 30 С. Большая часть кристаллов выводится из колонн на фильтр, но часть оседает в ней, так что после нескольких суток колонна засоряется ими. [33]
 |
Влияние модификатора и ультразвука на измельчение зерна. [34] |
При исследовании влияния ультразвука на зарождение центров кристаллизации в легкоплавких металлах также обнаружено, что существенную роль в этом процессе играют примеси. [35]
Видно, что зависимость скорости зарождения центров кристаллизации от переохлаждения имеет экстремальный вид. Положение максимумов слабо зависит от термической предыстории расплава, в то время как величина скорости зарождения центров кристаллизации значительно уменьшается с увеличением предварительного перегрева расплава. [36]
По Ланге и Шейлю скорость зарождения центров кристаллизации возрастает с увеличением переохлаждения и уменьшением предварительного перегрева расплава. В работах [130, 173] представлены также, результаты этих исследований на вероятностной бумаге закона Вейбулла - Гнеденко. [37]
На первой стадии образования АСПО происходит зарождение центров кристаллизации и рост кристаллов, на второй стадии - осаждение мелких кристаллов на поверхности оборудования, на третьей - осаждение на парафинированную поверхность более крупных кристаллов. При этом асфальтены выпадают и образуют плот. [38]
 |
Влияние затравки на интенсивность отложений карбоната кальция. [39] |
Растворимые и нерастворимые примеси влияют на зарождение центров кристаллизации и рост кристаллов. Малые добавки растворимой примеси оказывают существенное влияние на скорость зарождения центров кристаллизации, а также на форму и физические свойства образующихся кристаллов. Нерастворимые примеси служат центрами кристаллизации. Затравки служат для снижения интенсивности отложений солей на поверхности теплопередачи за счет кристаллизации накипе-образователей на их частицах. Чтобы указанный способ был эффективен, необходима идентичность кристаллических структур присадки и образующихся в системе кристаллов. В случае несоответствия кристаллографического состава затравки образующимся отложениям применяется рециркуляция затравки с целью ее активации. При этом частицы затравки покрываются образующимися кристаллами. Описанный метод в настоящее время успешно применяется для предотвращения отложений в котлах. [40]
Таким образом, выражение для скорости зарождения центров кристаллизации содержит два экспоненциальных множителя: один из них характеризует вероятность образования зародыша новой фазы, а второй - скорость молекулярного обмена между зародышем и фазой. [41]
Таким образом, выражение для скорости зарождения центров кристаллизации содержит два экспоненциальных множителя: один из них характеризует вероятность образования зародыша новой фазы, а второй - скорость молекулярного обмена между зародышем и фазой. [42]
Величина кристаллов зависит от соотношения скорости зарождения центров кристаллизации и линейной скорости их роста. [43]
 |
Удельная скорость роста граней кристалла адипиновой кислоты из водного раствора в зависимости от степени переохлаждения S ( по Михаэлсу и Колвяллу 79 ]. [44] |
При этом уменьшается площадь, пригодная для зарождения центров кристаллизации на поверхности для осаждения растворенного вещества, и рост на этой грани замедляется. Если активная примесь присутствует в растворе в небольших количествах, то она может притягиваться только наиболее восприимчивыми гранями. Однако при наличии больших количеств активной примеси поглощение может происходить на всех гранях, правда, не обязательно в одинаковой степени, но достаточной для создания формы, совершенно отличающейся от полученной при наличии небольших количеств. В некоторых крайних случаях примеси могут блокировать все грани и предотвратить кристаллизацию даже при очень высоких степенях пересыщения. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5