Заряд - неосновной носитель
Cтраница 3
На отрезке времени Q - t1 происходит процесс накопления заряда неосновных носителей Q6 в базе диода, при этом уменьшается сопротивление диода и напряжение ыд. [31]
На рис. 6 показаны графики зависимостей от прямого тока заряда неосновных носителей, вытекающего во внешнюю цепь при переключении видеоимпульсом, для диодов перечисленных выше типов. [32]
 |
Распределение токов в тиристорной структуре при воздействии импульса управления. [33] |
Процесс включения заключается в том, что в базах тиристора происходит накопление заряда неосновных носителей, в результате чего центральный переход смещается в прямом направлении. При этом сопротивление прибора резко падает и возрастает прямой ток. [34]
Это условие означает, что не весь ток базы идет на накопление заряда неосновных носителей заряда - электронов - в базе, а только его часть. [35]
С ростом напряжения объемный заряд примесных ионов растет, но одновременно растет и заряд неосновных носителей, притягиваемых к поверхности. Протяженность инверсионного слоя обычно составляет всего 10 - 20 А. [36]
Здесь в основе анализа лежит дифференциальное уравнение ( 3 - 95), связывающее заряд неосновных носителей, накапливаемых в области базы Q -, с током би: ш / о. MSI: i ( 0 1 - 0 2 шт) схема входной цепи может быть упрощена за счет исключения из нес индукгивностей выводов электродов и приведена к виду, изображенному на рис. 3 - 99, а - для активной области н на рис. 3 - 99, б - для области отсечки. [37]
Принцип работы ПЗС состоит в том, что в каждой отдельной МДП-структуре можно создать локальный приповерхностный заряд неосновных носителей и перемещать его вдоль поверхности от одной МДП-структуры к другой, меняя соответствующим образом последовательность тактовых импульсов, подаваемых на затворы. ПЗС обычно строят на основе кремния / г-типа и на затворы подают отрицательные рабочие напряжения, по модулю меньшие порогового. Поэтому в п-полупроводнике под затвором образуется обедненная основными носителями заряда область в виде потенциальной ямы. В потенциальной яме скапливаются неосновные носители заряда ( дырки), образующие зарядовый пакет. Пакет дырок под затвором может сохраняться в течение определенного времени. Ввод зарядового пакета под затвор называют режимом записи информации, а напряжение t / 2) обеспечивающее такой ввод, - напряжением записи. [38]
 |
Иллюстрация картины нарастания заряда в области базы сплавного транзистора в переходном процессе включения ступенькой тока, заданной в базу транзистора. [39] |
Если наглядно представить себе смысл формулы (4.9), то видно, что картина распределения заряда неосновных носителей в области базы в переходном режиме изменяется таким образом, что все время сохраняется подобие. [40]
Выше рассматривался вопрос о распределении концентрации неосновных носителей в предположении, что в силу реализации условия нейтральности заряд неосновных носителей всегда компенсируется соответствующим перераспределением основных носителей. Это означает, что всюду, где существуют неравновесные неосновные носители, имеется равная им концентрация избыточных ( неравновесных) основных носителей. Таким образом, изображенное на рисунках 163 и 164 распределение концентрации неосновных носителей с полным основанием может рассматриваться и как распределение неравновесных основных носителей. [41]
Отличие работы биполярного транзистора от работы лампы состоит в том, что управление током коллектора происходит при изменении заряда неосновных носителей, вводимых в область базы из области эмиттера, а перемещение этого заряда из области базы в область коллектора - за счет диффузии. [42]
В диодах Шотки ( в металле, куда приходят электроны из полупроводника) отсутствуют процессы накопления и рассасывания зарядов неосновных носителей, характерные для электронно-дырочных переходов. [43]
Анализ переходных процессов в режиме предельного быстродействия показывает, что для снижения минимальной средней задержки прежде всего требуется уменьшить заряды неравновесных неосновных носителей в режиме насыщения: заряд дырок в эмиттерной области и заряд электронов в пассивной базе. [44]
С ростом обратного напряжения объемный заряд примесных ионов растет, а заряд основных носителей продолжает уменьшаться, но одновременно растет заряд неосновных носителей, притягиваемых к поверхности. [45]
Страницы: 1 2 3 4