Заряд - избыточный носитель
Cтраница 1
Заряды избыточных носителей пропорциональны площадям под кривыми их распределения. Поскольку база в целом нейтральна, можно считать эти площади одинаковыми. [1]
К) накоплен большой заряд избыточных носителей. [2]
 |
Низкочастотная Т - образная эквивалентная схема с генератором тока.| Высокочастотная Т - образная эквивалентная схема. [3] |
Емкость Cg 9 часто называют диффузионной емкостью базы, потому что она характеризует заряд избыточных носителей, диффундирующих через базу транзистора. [4]
Второй член в выражении ( 11) учитывает наличие обратного тока, обусловленного рассасыванием заряда избыточных носителей в базе под воздействием обратного напряжения, и зависит от частоты питающей сети. [5]
Величина времени выключения тиристора может быть определена из ( 25) при условии, что в момент времени выкл заряд избыточных носителей в широкой базе не превышает 10 % величины заряда равновесных носителей. [6]
Из сравнения выражений ( 4 - 1) и ( 4 - 2) видно, что учет взаимодействия зарядов избыточных носителей, накопленных в базах, не изменил характера зависимости времени сжатия от токов, текущих в структуре, но при этом время сжатия стало зависимым от времени жизни неосновных носителей, накопленнных в обеих базах. Этот физически оправданный результат означает, что скорость сжатия контролируется не только зарядом р-базы, но и зарядом, накопленным в n - базе, поэтому уменьшение времени жизни носителей в и-базе будет приводить к уменьшению / сж. [7]
 |
Модель Линвилла с сосредоточенными параметрами для диода. [8] |
Она состоит из комбинанса Яс, характеризующего рекомбинацию носителей в базе, исторан-са S, отражающего накопление или рассасывание заряда неосновных избыточных носителей. [9]
Сопротивление резистора R выбирают из условия обеспечения прямого тока / р л; 0 1 / обр диода УОлемп для накопления достаточного заряда избыточных носителей в его базе, где / Обр - обратный ток диода. [10]
При приложении поля в положительном направлении ( С7 0) высота потенциального барьера уменьшается и электроны из тг-области переходят в р-область, а дырки - в обратном направлении и концентрация неосновных носителей вблизи р - тг-перехода резко возрастает. Заряд избыточных носителей быстро компенсируется притоком основных носителей, концентрация которых увеличивается на ту же величину. [11]
Основное преимущество модели Гуммеля заключается в том, что в ней использовано выражение для IKK, приведенное ниже, в котором учитывается влияние высоких уровней инжекции. Это осуществляется через заряд избыточных носителей базы, входящий в формулу. [12]
На интервале ta-t концентрация неосновных носителей у переходов достаточно велика и под воздействием градиента концентрации носителей начинается диффузия носителей через переходы: обратный ток через переход П1 будет чисто дырочным / л / / рь ток через ПЗ - чисто электронным 1Г13 1пг, а ток через / 72 будет состоять из электронной и дырочной составляющих 1пг1Р2 1П2 - Исчезновение избыточного заряда электронов Qn в р-базе происходит за счет их ухода с током / з и рекомбинации. Так как Qn QP, то р-база быстрее теряет заряд избыточных носителей, чем я-база. [13]
Очевидно, что время выхода избыточных носителей из. Как время рассасывания, является характерным параметром транзистора. Кроме того, интересно знать максимальную величину заряда избыточных носителей, которые могут перейти из коллектора в базу при форсированном запирании, Фмакс. [14]
Рассмотрим случай, когда меняется направление только анодного тока, тиристор выключается путем изменения полярности анодного напряжения. Переходы Я / и ПЗ из прямовключенных при перемене полярности анодного напряжения становятся обратновключенными. Это обусловлено тем, что в р2 - базе во время пребывания тиристора во включенном состоянии накоплен большой заряд избыточных носителей, который и определяет ток, текущий через прибор. [15]
Страницы: 1 2