Cтраница 2
Далее начинается формирование плоской вершины импульса. На этом этапе происходит накопление носителей в базе, но затем, по мере уменьшения тока базы, накопление прекращается и начинается рассасывание избыточных носителей. Наконец, в момент времени tt транзистор выходит из области насыщения, восстанавливаются его усилительные свойства и начинается формирование среза импульса. К этому моменту укорачивающий конденсатор успевает зарядиться настолько, что напряжение на нем почти полностью компенсирует действие входного сигнала. При этом величина тока в основном определяется напряжением источника смещения, которое стремится запереть транзистор. Таким образом, длительность выходного импульса практически определяется продолжительностью нахождения транзистора в области насыщения. Это время рассчитывается из уравнения для заряда избыточных носителей в базе, накопленных непосредственно у коллекторного перехода. [16]