Заряд - переключение
Cтраница 2
Дырки, ушедшие через переход, образуют заряд переключения. [16]
 |
Зависимость пара - приближается к экспоненте. метра tJ. D от режима переклю . [17] |
Важной характеристикой переходного процесса в диоде является величина заряда переключения Qn, равная полному электрическому заряду, отданному диодом во внешнюю цепь после переключения. [18]
Этот импульс обусловлен рассасыванием накопленного в базе диода заряда - заряда переключения Qnep - Приближенно р ер вос обр и. [19]
Отношение t3 / t2 может быть меньше 3 %, а заряд переключения в некоторых типах диодов приближается по величине к накопленному заряду. [20]
Соотношение ( 7) реализуется в методике измерения тэфф по величине заряда переключения, при этом роль широкополосного индикатора выполняет схема интегратора, что упрощает процесс измерения, но к генератору режима переключения по-прежнему предъявляются высокие требования. [21]
С ростом амплитуды запирающего импульса длительности ( г и / 2 уменьшаются, а заряд переключения и амплитуда обратного тока возрастают. Особенно сильное увеличение величин Qn и / в наблюдается у точечных диодов, для которых оно почти прямо пропорционально росту амплитуды запирающего импульса ыимп. [22]
Рассматриваются некоторые теоретические соотношения, устанавливающие связь между эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда в базе диода, величиной заряда переключения, емкостью и частотной характеристикой выпрямленного тока диода. Показано, что эффективное время жизни неравновесных носителей заряда в базе диода может быть определено по граничной частоте частотной характеристики выпрямленного тока диода и барьерной емкости р-п перехода. Получено соотношение, позволяющее найти эффективное время жизни неравновесных носителей заряда по амплитуде выброса обратного тока и частоте синусоидального сигнала. [23]
Описаны схемы измерения параметров инерционности импульсных диодов субнаносекундного диапазона, позволяющие измерять время восстановления обратного сопротивления до 0 5 нсек, заряд переключения до 1 - 2 пк, эффективное время жизни до 0 1 нсек. [24]
 |
Амплитудная характеристика смесителя. [25] |
Для нормальной работы симметричной схемы требуется тщательно подбирать пары диодов по нескольким параметрам, например: по величине прямого сопротивления, емкости, заряда переключения. Кроме того, при использовании этих схем предъявляются повышенные требования и к генератору стробимпульсов, который, в частности, должен генерировать идентичные и синхронные разнополярные импульсы. [26]
Заряд переключения QnK - часть накопленного заряда, вытекающая во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратное. Заряд переключения зависит от прямого тока, предшествующего переключению диода, и от обратного напряжения, приложенного к диоду после переключения. Поэтому при указании значения заряда переключения должны быть указаны и условия его измерения. [27]
Заряд переключения QnK - часть, накопленного заряда, вытекающая во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратное. Заряд переключения зависит от прямого тока, предшествующего переключению диода, и от обратного напряжения, приложенного к диоду после переключения. Поэтому при указании значения заряда переключения должны быть указаны и условия его измерения. [28]
Реальные схемы измерения заряда переключения отличаются тем, что в них длительность фронта переключающего импульса имеет конечную величину, соизмеримую с тэфф для диодов субнаносекундного диапазона; сопротивление внешней цепи диода также имеет вполне конечное значение порядка 100 - 150 ом. [29]
Для работы в режиме переключения существенное значение имеет величина заряда, который должен быть выведен из базы для перевода диода в закрытое состояние. Этот заряд называют зарядом переключения. Очевидно, заряд переключения Qn всегда меньше накопленного заряда QH, так как за время, пока он выводится из диода, часть носителей успевает рекомбинировать. [30]
Страницы: 1 2 3