Избыточный отрицательный заряд

Cтраница 2

Атом-акцептор, напротив, приобретает избыточный отрицательный заряд. II); в этом случае на атомах указаны только частичные заряды. [16]

Когда на поверхности полупроводника существует избыточный отрицательный заряд, то является отрицательной величиной. [17]

Когда на поверхности полупроводника существует избыточный отрицательный заряд, то 3 № является отрицательной величиной. [18]

О поляризуется сильнее или переносит большой избыточный отрицательный заряд и может образовывать прочные связи с катионами, обладающими сильными полями. [19]

С гетеровалентным изоморфизмом связано появление избыточного отрицательного заряда в силикатных слоях, который компенсируется межслоевыми катионами кальция, магния, натрия и калия. Однако в отличие, например, от слюд в монтмориллонитах межслоевые катионы, как правило, координационно связывают молекулы воды, что резко снижает их эффективный заряд. Поэтому нейтрализация избыточных отрицательных зарядов силикатных слоев межслоевыми катионами может быть неполной. С нашей точки зрения, в этом состоит главная особенность кристаллохимической структуры монт-мориллонита, обусловливающая важнейшую роль молекул воды как компенсаторов положительных и отрицательных зарядов. С этим связаны многие полезные свойства этого минерала, главного компонента бентонитовых глин. [20]

Транс-конфигурация молекулы ДМДТКЦ характеризуется выравниванием избыточных отрицательных зарядов на атомах серы и уменьшением энергии напряжения до 3 54 ккал / молъ. [21]

Структура цеолита. [22]

Частичное замещение Si4 на А13 создает избыточный отрицательный заряд, например [ AlSi3O8 ] -, [ Al2Si2O8 ] 2 -, компенсируемый каким-либо катионом. [23]

В среднем пятичленное кольцо снова несет избыточный отрицательный заряд, но в противоположность тому, что предсказывается более простыми методами, не все атомы углерода пятичленного кольца отрицательны, так же как не все атомы семичленного кольца положительны. [24]

Это можно объяснить довольно высоким значением избыточного отрицательного заряда ( - 0 20) на атомах азота между фенильными группами [455] и небольшим сгериче-ским препятствием плоских фенильных групп в молекуле, тогда как минимальное расстояние между протонами объемной изопропиловой группы составляет более 0 3 нм. [25]

Оставшиеся от молекулы цинка свободные электроны создают избыточный отрицательный заряд на цинковой пластине, а в электролите, наоборот, возникает избыточный положительный заряд ввиду нейтрализации части отрицательных ионов. [26]

Гальванический элемент. [27]

Оставшиеся от молекул цинка свободные электроны создают избыточный отрицательный заряд на катоде, а в электролите, наоборот, образуется избыточный положительный заряд ввиду нейтрализации части отрицательных ионов. [28]

Селективность сорбции различных веществ на пористом стекле 2. [29]

Катионы щелочных и щелочноземельных металлов, компенсирующие избыточный отрицательный заряд алю-мокислородных тетраэдров, находятся в этих пустотах и каналах, но не занимают всего их объема; значительная часть его остается свободной и может заполняться молекулами воды и других веществ. [30]

Страницы: 1 2 3 4