Избыточный отрицательный заряд
Cтраница 4
Чтобы перевести тиристор в открытое состояние, необходимо накопление избыточного отрицательного заряда электронов в области п и избыточного положительного заряда дырок в области P-I. Это осуществляется введением неосновных носителей через открытые переходы при увеличении анодного напряжения на тиристоре до величины напряжения включения. [46]
В р-области накапливается избыточный положительный заряд, в п-области - избыточный отрицательный заряд. В результате возникает разность потенциалов - фотоэлектродвижущая сила С / ф, которая приложена в прямом направлении. [47]
Нахождение электронов на молекулярной несвязывающей г - орбитали соответствует концентрации избыточного отрицательного заряда на концевых атомах. [48]
 |
Структура, ВАХ и энергетические диаграммы диодного тиристора. [49] |
Поэтому часть электронов, оказавшись в потенциальной яме и-базы, образует избыточный отрицательный заряд, который, понижая высоту потенциального барьера правого эмиттерного перехода, вызывает увеличение инжекции дырок из р-эмиттера в / г-базу. Инжектированные дырки диффундируют к коллекторному переходу, втягиваются полем коллекторного перехода и попадают в р-базу. Дальнейшему их продвижению по структуре тиристора препятствует небольшой потенциальный барьер левого эмиттерного перехода. Следовательно, в р-базе происходит накопление избыточного положительного заряда, что обусловливает увеличение инжекции электронов из n - эмиттера. [50]
 |
Распределение примеси в базе дрейфового транзистора ( стрелкой показано направление электрического поля. [51] |
Это перемещение создает избыточный положительный заряд ионов возле эмиттерного перехода и избыточный отрицательный заряд электронов у коллекторного перехода. Таким образом, создается электрическое поле, которое направлено от эмиттера к колектору и способствует движению дырок в этом направлении. Это поле не зависит от приложенных к электродам напряжений и определяется только распределением концентрации примеси в базовой области. [52]
Роль мягких лигандов, особенно ненасыщенных, состоит в простом удалении избыточного отрицательного заряда на атоме металла с помощью обратной it - связи. [53]
Частичное замещение Si на А1, вследствие их различной валентности, создает избыточный отрицательный заряд, компенсируемый к. В альбите Na [ AlSi3Os ] происходит замещение одного из четырех атомов Si атомом А1 с комненсац. Si замещается атомом А1 и в состав катиона входит новый атом Na. Si: A1 от 3 и выше и соот-ветств. [54]
 |
Схема образования эквивалентных я-связей с одинаковыми лиган-дами ( о и неэквивалентных я-связей с разными лигандами ( б. [55] |
Каноническая форма II благоприятна для анионных комплексов; в ней не накапливается избыточный отрицательный заряд на центральном атоме благодаря передаче его обратно к лигандам через я-систему. [56]
В молекуле воды атом кислорода имеет неподеленные электронные пары, которые несут избыточный отрицательный заряд. Связи же атомов водорода с кислородом сильно полярные, так как разность электроотрицательностей кислорода и водорода велика и кислород оттягивает на себя электронную пару. Вследствие этого на атомах водорода возникают избыточные положительные заряды. Если молекулы воды окажутся расположенными достаточно близко, то под влиянием имеющихся на атомах кислорода и водорода разноименных зарядов они будут строго определенным образом ориентироваться по отношению друг к другу. [57]
Частичное замещение Si на А1, вследствие их различной валентности, создает избыточный отрицательный заряд, компенсируемый к. В альбите Na [ AlSi3O8 ] происходит замещение одного из четырех атомов Si атомом А1 с компенсац. В нефелине Nu2 [ Al2Si2O8 еще один атом Si замещается атомом А1 и в состав катиона входит новый атом Na. Si: A1 от 3 и выше и соот-ветств. [58]
Иными словами, нельзя отрицать возможности того, что на олефине сосредоточен избыточный отрицательный заряд, обусловленный большим вкладом дативной связи. [59]
Страницы: 1 2 3 4