Объемный отрицательный заряд

Cтраница 3

В градиент напряжения составляет 104 В / см, т.е. ниже, чем в катодной области. У поверхности анода наблюдается объемный отрицательный заряд. [31]

В связи с этим представляют интерес данные о пробое электроотрицательных газов при высокой частоте. По-видимому, в этом газе объемный отрицательный заряд нейтрализует действие положительного заряда. [32]

Искажение напряженности поля. [33]

Таким образом, вблизи стержня имеется весьма компактный положительный объемный заряд, а в глубине промежутка - рассеянный отрицательный заряд. В силу своей малой плотности объемный отрицательный заряд не оказывает существенного влияния на внешнее поле, а положительный объемный заряд искажает его так, как показано на рис. 4 - 6 в кривая... Напряженность поля вблизи стержня возрастает, и выполнение условий самостоятельности разряда облегчается. [34]

Энергетическая диаграмма для контакта между полупроводником п-типа и полупроводником р-типа. [35]

В этом случае электроны из металла переходят на свободные и более низкие дополнительные акцепторные уровни атомов примеси в полупроводнике. При этом на границе с металлом образуется объемный отрицательный заряд из отрицательных ионов примеси, а на поверхности металла положительный заряд. [36]

Экспериментальные зависимости. [37]

Большая часть инъектированных дырок перебрасывается барьером коллекторного перехода в коллектор и образует ток во внешней цепи; при размножении носителей в коллекторе обра зуются новые электроны, поступающие в базу и еще более снижающие высоту барьеров. Некоторая часть дырок рекомбини-рует с электронами базы; объемный отрицательный заряд уменьшается и дальнейшее снижение барьера и увеличение тока приостанавливается. [38]

Здесь, в сущности, уже не будет электронно-дырочных переходов у эмиттера и коллектора, а образуются переходы металл - полупроводник. На поверхности полупроводника располагаются электроны, благодаря чему создается объемный отрицательный заряд, отталкивающий электроны, находящиеся внутри кристалла, и вызывается образование запорного слоя. [39]

Ионный ток невелик: он составляет на отдельных участках разрядного промежутка от долей процента до нескольких процентов рабочего тока. Главное влияние ионов на рабочий процесс сказывается в компенсации ими объемного отрицательного заряда электронов. Вследствие этого ионные приборы способны пропускать большие токи при малых падениях напряжения между электродами. Кроме того, ионы могут оказывать существенное влияние на электронную эмиссию катода, а в некоторых видах приборов полностью определять ее. [40]

Анодный ток зависит от анодного напряжения. При малых значениях этого напряжения ток мал и нарастает медленно, так как мало поле лампы и объемный отрицательный заряд оказывает относительно большое замедляющее действие. При увеличении анодного напряжения ток и скорость его нарастания увеличиваются вследствие увеличения поля диода и уменьшения объемного заряда. [41]

Схема включения дио - [ IMAGE ] Вольт-амперная харак-аа теристнка диода.| Электронно-лучевая трубка [ IMAGE ] Устройство триода. [42]

Анодный ток зависит от анодного напряжения. При малых значениях этого напряжения ток мал и нарастает медленно, так как мало поле в лампе и объемный отрицательный заряд оказывает относительно большое замедляющее действие. [43]

Формы токов и напряжений. [44]

В лучевом тетроде ( рис. 6.12) на анод / электроны направляются в виде узких мощных пучков - лучей. Концентрированный электродами 3, соединенными с катодом, электронный пучок в пространстве между экранной сеткой 2 и анодом / создает объемный отрицательный заряд. Вторичные электроны, вылетевшие из анода, отталкиваются областью отрицательного потенциала заряда и возвращаются на анод, не достигая экранной сетки. Первичные электроны, успевшие приобрести к моменту прохода через эту область большие скорости, достигают анода. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5