Избыточный заряд - дырка
Cтраница 2
В частном случае, когда / 6i 0 ( / б2 / б), избыточный заряд дырок исчезает только за счет рекомбинации. [16]
Для восстановления электрической нейтральности р-области происходит увеличение концентрации дырок, что приводит к появлению в этой области избыточного заряда дырок С. Создание такого заряда ( как и самого тока / РДИф) возможно только при наличии потока дырок в р-области от омического контакта к р-п переходу. Однако во внешней цепи в проводнике может протекать только электронный ток, который создают электроны, уходящие из р-области во внешнюю цепь. Таким образом, при инжекции сохраняется электрическая нейтральность полупроводниковых областей. [17]
Для быстрого рассасывания емкость конденсатора должна быть значительной и накопленный ею заряд должен быть не меньше, чем избыточный заряд дырок в базе транзистора. [18]
Для быстрого рассасывания емкость конденсатора должна быть значительной, а накопленный ею заряд должен быть не меньше, чем избыточный заряд дырок в базе транзистора. [19]
При этом время выключения тиристора, у которого к началу процесса за пирания в n - базе был накоплен избыточный заряд дырок 7шач et - L. Tih In [ 7шач / ( 9кр - Чем эф) 1 - Если импульс повторно прикладываемого прямого напряжения в конце интервала выключения отсутствует или прямое напряжение возрастает очень медленно ( о - 0), то статическое время выключения тиристора тв. [20]
Первое слагаемое / ОДсТп ( 1 - 02) описывает избыточный заряд электронов в базе р %, а второе слагаемое / одсТр ( 1 - cti) - избыточный заряд дырок в базе щ тиристора. [21]
Во всех случаях у транзистора р-п - р главными рабочими носителями, образующими токи через переходы, являются дырки, тогда как ток базы всегда обусловлен электронами; последние компенсируют избыточный заряд дырок в базе и обеспечивают ее нейтральность как во время переходных процессов, так и в стационарном режиме, когда убыль дырок обусловлена только рекомбинацией. [22]
При подаче запирающего импульса базового тока / 62 коллекторный ток и напряжение на коллекторе в течение некоторого времени не изменяются, и транзистор остается полностью открытым. Только после рассасывания избыточного заряда дырок за счет отрицательного базового тока транзистор входит в активный режим, и ток коллектора начинает уменьшаться, а напряжение на коллекторе возрастать. На рис. 7.9, б показано, что процесс рассасывания представляется изменением тока ( заряда) от величины p / ei до / кн. Это изменение происходит по экспоненциальному закону с постоянной времени TI, которая определяется в режиме инверсного включения транзистора. При инверсном включении коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора. [23]
 |
Экспериментальная схема. [24] |
Как видно из рис. 6, ток через тиристор нарастает по закону, близкому к экспоненциальному, вплоть до момента, когда его величина будет ограничена внешней цепью. Цосле этого в базовых областях тиристора накапливается избыточный заряд дырок, который смещает средний р-п переход в прямом направлении. [25]
На расстояниях x3Lp от границы р-п перехода неравновесные концентрации практически совпадают с равновесными. Площадь, заштрихованная на рис. 2 - 7, прямо пропорциональна избыточному заряду дырок QpnB3 &, который. [26]
На расстояниях x3Lp от границы р-п перехода неравновесные концентрации практически совпадают с равновесными. Площадь, заштрихованная на рис. 2 - 7, прямо пропорциональна избыточному заряду дырок Qpnn36, который накапливается в п-областн. [27]
 |
Семейство выходных.| Изменение тока коллектора транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером в ключевом режиме. [28] |
Однако, как только транзистор попадает в режим насыщения ( точка В на рис. 4.52), рост коллекторного тока прекращается. В этот момент заканчивается формирование переднего фронта импульса тока коллектора и начинается этап накопления избыточного заряда дырок в базе. [29]
Дырки, вошедшие в электронный полупроводник, создают там электрическое поле. Под действием этого поля одновременно с появлением дырок из внешней: цепи поступают дополнительные электроны, которые нейтрализуют избыточный заряд дырок, и тем самым сохраняют электрическую нейтральность. Такое же явление происходит и в дырочном полупроводнике. [30]
Страницы: 1 2 3