Избыточный заряд - неосновной носитель
Cтраница 3
 |
Вольтамнерная хар-ка четырехслойного прибора. [31] |
Увеличение а означает, что центрального перехода достигает большое числе эмиттировапных неосновных носителей. При токе выключения 1выклар - п-р ап - Р - п1 a напряжение на центральном переходе становится равным нулю. В этой области ap n f - - v - n - p - n 1 составляющие транзисторы находятся в режиме насыщения, напряжение на центральном переходе изменяет знак и становится положительным. Положит, обратная связь между транзисторами обеспечивает непрерывное пополнение рекомбинирующсто избыточного заряда неосновных носителей во внутр. [32]
Если хотя бы на один из входов схемы подан низкий уровень напряжения ( код 0), то соответствующий эмиттер транзистора Гм смещается в прямом направлении. Ток, поступающий в его базу, протекает теперь в цепи этого эмиттера. Коллекторный ток транзистора Гм уменьшается, вследствие чего транзистор TI закрывается. Таким образом, при закрытом состоянии транзистора Гм структуры, на эмиттеры которых подан низкий уровень напряжения, находятся в режиме насыщения, а остальные - в инверсном режиме. Следовательно, для всех режимов работы схемы коллекторный переход многоэмиттерного транзистора Тм смещен в прямом направлении, а в области коллектора постоянно имеется избыточный заряд неосновных носителей. [33]
Дальнейшее понижение частоты не приводит к ее изменению. Быстродействие схем с непосредственными связями на БТ определяется временем зарядки паразитных емкостей и временем рассасывания избыточного заряда неосновных носителей, накапливаемого в эмиттерной, базовой и коллекторной областях БТ. При этом время, необходимое для рассасывания избыточного заряда, больше времени зарядки паразитных емкостей. В этом заключается основной недостаток данных схем, обусловленный работой БТ в режиме насыщения. Противоречие заключается в том, что для уменьшения времени задержки переключения необходимо увеличить уровни рабочих токов, при росте которых увеличивается время задержки, связанное с накоплением избыточных зарядов неосновных носителей. Среди схем с непосредственными связями на БТ наибольшее распространение получили схемы, базовые элементы которых соответствуют обобщенной структурной схеме, приведенной на рис. 1.2. Существует возможность построения базовых элементов в соответствии с обобщенной структурной схемой рис. 1.5. По аналогии со схемами на комплементарных МДП-транзисторах в качестве ПЭ можно использовать БТ я-р-л-типа, а в качестве НЭ - БТ / 7-л-р - типа. [34]
ПП, а электронов - в дырочный. Введение дырок из металла в электронный ПП возможно при большей работе выхода электронов из металла, нежели из ПП; при инжекцпи электронов из металла в дырочный ПП - наоборот. Нейтрализация избыточного заряда неосновных носителей, инжектированных в ПП, происходит благодаря увеличению концентрации основных носителей. Длительность процесса нейтрализации очень мала и определяется временем диэлектрич. Инжекцию дырок в ПП - типа и электронов в ПП р-типа принято характеризовать коэфф. [35]
ПП, а электронов - в дырочный. Введение дырок из металла в электронный ПП возможно при большей работе выхода электронов из металла, нежели из ПП; при инжекции электронов из металла в дырочный ПП - наоборот. Нейтрализация избыточного заряда неосновных носителей, инжектированных в ПП, происходит благодаря увеличению концентрации основных носителей. Длительность процесса нейтрализации очень мала и определяется временем диэлектрич. Инжекцию дырок в ПП n - типа и электронов в ПП р-типа принято характеризовать коэфф. Y к-рый равен отношению дырочного тока через барьер к полному току при инжекции дырок и отношению электронного тока через барьер к полному току в случае инжекции электронов. [36]
Так же как и в БТ, в нормальных закрытых ПТУП, работающих при прямых смещениях на р-л-переходе затвор - исток, происходит накопление избыточного заряда неосновных носителей в затворной, истоковой и канальной областях. Поэтому быстродействие схем с непосредственными связями на ПТУП также зависит от времени рассасывания неосновных носителей, которое и определяет в основном время формирования положительного фронта выходного импульса при переключении инвертора при закрывающемся ПЭ. Кроме того, параметром, характеризующим длительность переходных процессов в схемах с непосредственными связями на ПТУП, является зарядка паразитной выходной емкости инвертора при формировании отрицательного фронта выходного импульса. Разрядка выходной емкости происходит через сопротивление канала открытого ПТУП и зависит в первом приближении от постоянной времени, равной RKCBb [ K. Следует отметить, что составляющая времени задержки переключения, обусловленная накоплением избыточного заряда неосновных носителей, больше других составляющих при значениях рабочих токов, соответствующих высокому уровню инжекции p - n - перехода затвор - исток ПТУП. Однако с уменьшением уровня токов влияние эффектов накопления на время задержки переключения уменьшается. ПТУП, их влияние незначительно по сравнению с влиянием времени зарядки-разрядки паразитных емкостей. [37]
Страницы: 1 2 3