Объемный заряд - электрон
Cтраница 1
Объемный заряд электронов в базе уменьшает потенциальный барьер на p - n - переходе эмиттер - база и способствует переходу дырок из области эмиттера в область базы. Кроме схемы со свободным потенциалом базы, ФТ используют и в схемах, в которых электрод базы электрически соединен с каким-либо элементом схемы. Спектральные характеристики ФТ близки к характеристикам ФД. [1]
Ник объемный заряд электронов, равный по величине заряду электронов, генерированных светом. [2]
Другим способом ослабления действия объемного заряда электронов, вылетающих из катода, является заполнение баллона небольшими количествами газа, например ртутными парами. Возникающие при столкновениях с быстрыми электронами положительные ионы газа движутся к катоду и нейтрализуют объем - ный заряд отрицательных электронов. Такие лампы, называемые газотронами, могут работать как выпрямители при значительно более низких напряжениях, чем кенотроны. [3]
Другим способом ослабления действия объемного заряда электронов, вылетающих из катода, является заполнение баллона небольшими количествами газа, например ртутными парами. Возникающие при столкновениях с быстрыми электронами положительные ионы газа движутся к катоду и нейтрализуют объемный заряд отрицательных электронов. Такие лампы, называемые газотронами, могут работать как выпрямители при значительно более низких напряже - в) ниях, чем кенотроны. [4]
Другим способом ослабления действия объемного заряда электронов, вылетающих из катода, является заполнение баллона небольшими количествами газа, например ртутными парйми. Возникающие при столкновениях с быстрыми электронами положительные ионы газа движутся к катоду и нейтрализуют объемный заряд отрицательных электронов. Такие лампы, называемые газотронами, могут работать как выпрямители при значительно более низких напряже - в) ниях, чем кенотроны. [5]
 |
Статические и динамич. характеристики.| Зависимость активной и рс. [6] |
Между Са и анодом образуется объемный заряд электронов, создающий вблизи анода тормозящее ноле, препятствующее проникновению вторичных электронов от анода к экранной сетке. Лучевые тетроды имеют малое Л; ( неск. [7]
 |
Уменьшение работы выхода с увеличением постоянной решетки для щелочных металлов [ Л. 33 ]. [8] |
Третья компонента обязана свойм возникновением объемному заряду электронов, образующемуся в вакууме у поверхности металла ( рис. 15 6) при протекании токов большой величины. [9]
Пока число их достаточно для компенсации объемного заряда электронов, напряженность поля в слое 5 невелика, и поэтому новых актов возбуждения и ионизации в начале этого слоя почти не возникает. Когда же число ионов в силу ухода части их на стенки, где они ре-комбинируют с электронами, оказывается уже недостаточным для компенсации объемного заряда электронов, в слое 5 появляется постепенно нарастающая напряженность поля ( рис. 2 - 5 в), под действием которой ускоряемые электроны возбуждают и ионизируют атомы газа. Так как эти процессы относительно редки, то высвечивание атомов газа здесь также невелико. Слой 5 называют фарадеевым темным пространством. [10]
Здесь и в последующем р - абсолютная величина плотности объемного заряда электронов, для которой не вводится нового обозначения. [11]
 |
Зависимость распределения потенциала от анодного напряжения.| К выводу уравнения закона степени трех вторых. [12] |
В режиме объемного заряда количество уходящих на анод из объемного заряда электронов восполняется электронами, приходящими в объемный заряд с катода. Для того чтобы установить связь между величиной анодного тока и анодным напряжением, рассмотрим участок пространства анод - катод между минимумом потенциала и анодом. [13]
 |
Схема включения ( а и схематическое представление конструкции ( б триода для определения начального коллекторного тока ( к о а. [14] |
Поскольку вывод базы отключен, то концентрация электронов в базе увеличивается; объемный заряд электронов частично компенсирует положительные заряды ионов эмиттерного и коллекторного барьеров. [15]
Страницы: 1 2 3 4