Объемный заряд - электрон
Cтраница 3
Нулевой точке соответствует точка пересечения осей симметрии манометрического преобразователя. На рисунке отчетливо видны потенциальные ямы, образующиеся в пространстве ионизации манометра вследствие появления объемного заряда электронов. [31]
Основной особенностью этого источника является то, что ионизация молекулярного пучка в нем производится однородным электронным потоком большой площади в пространстве между двумя близко расположенными расходящимися в направлении движения пучка сетками. При этом удается при достаточно высоких электронных токах резко уменьшить разброс электронов по энергиям, вызванный объемным зарядом электронов. Более того, слабый потенциал, создаваемый объемным зарядом электронов, выталкивает все ионы из области ионизации. Для дальнейшей фокусировки пучка используется одиночная линза и дублет квадрупольных линз. [32]
Пока число их достаточно для компенсации объемного заряда электронов, напряженность поля в слое 5 невелика, и поэтому новых актов возбуждения и ионизации в начале этого слоя почти не возникает. Когда же число ионов в силу ухода части их на стенки, где они ре-комбинируют с электронами, оказывается уже недостаточным для компенсации объемного заряда электронов, в слое 5 появляется постепенно нарастающая напряженность поля ( рис. 2 - 5 в), под действием которой ускоряемые электроны возбуждают и ионизируют атомы газа. Так как эти процессы относительно редки, то высвечивание атомов газа здесь также невелико. Слой 5 называют фарадеевым темным пространством. [33]
 |
Вольтамперные характеристики фототранзистора. [34] |
Воздействие светового потока приводит к появлению в базе парных зарядов, разделяющихся в коллекторном переходе. Дырки уходят за переход в р-область, а электроны остаются в базе. Поле, создаваемое объемным зарядом электронов, не может уменьшить заряд в базе, выводя часть носителей в виде тока базы, так как база не имеет вывода, включенного в общие цепи. [35]
Энергетически рассматриваемое устройство окажется выгодным, так как оно заметно повысит кпд термоэлемента. Возможность практического использования высокотемпературных источников тепла с помощью комбинации с полупроводниковым генератором определяется удельной мощностью такого генератора, его габаритами и стоимостью, а все это в значительной степени зависит от плотности эмиссионного тока, которая может быть достигнута. Основной проблемой является ослабление объемного заряда электронов и достижение значительной плотности электрического тока. [36]
На рис. 4.10 6 приведены распределения электрического поля, сплошные кривые соответствуют показанным выше распределениям плотности объемного заряда. Видно, что максимальная напряженность поля с ростом тока уменьшается. При еще большем токе плотность объемного заряда электронов в области х к становится больше плотности положительного заряда доноров, так что в области x i л: W3n объемный заряд отрицателен. [37]
 |
Разрез лучевого тетрода по вертикали.| Разрез лучевого тетрода по горизонтали.| Изображение лучевого тетрода на. [38] |
Семейство выходных характеристик лучевого тетрода изображено на рис. 5.10. Здесь же пунктиром показаны характеристики тока экранирующей сетки. Выходная характеристика имеет два участка - восходящий, соответствующий режиму возврата, и пологий, соответствующий режиму перехвата. При увеличении отрицательного напряжения на управляющей сетке объемный заряд электронов в лампе уменьшается и потенциальный барьер между экранирующей сеткой и анодом исчезает. Это ведет к появлению-динатронного эффекта и возникновению провалов на выходных характеристиках. [39]
 |
Оксидные катоды газовых приборов. [40] |
Катоды вакуумных ламп не могут меть форму спиралей или снабжаться ребрами, так как образующийся во всех углублениях объемный заряд лишит возможности отсасывания из них электронов. Действующей по - 1верх ностью катода тогда будет только внешняя поверхность, а все углубления не принимают участия в создании тока электронной эмиссии. В приборах с газовым наполнением ионы компенсируют объемный заряд электронов. Поле анодного напряжения проникает внутрь щелей, если их глубина одного порядка с шириной, и вытягивает оттуда электроны эмиссии. В результате оказывается возможным придавать катоду форму спиралей ( рис. 3 - 7, а, б) или делать его в виде трубки с покрытой оксидом внутренней поверхностью. [41]
 |
Семейства анодных и сеточно-анодных характеристик триода. [42] |
Анодные характеристики при Uc 0 выходят из начала координат и имеют характерный излом. Начальный, более крутой участок каждой кривой соответствует режиму возврата электронов к сетке. В этом режиме в пространстве сетка-анод образуется объемный заряд электронов, возвращающихся к сетке. Анодное поле влияет на движение этих электронов непосредственно, не буДучи экранировано сеткой. Поэтому наблюдается резкий рост анодного тока при незначительном изменении напряжения Ua. При дальнейшем увеличении анодного напряжения наступает режим прямого перехвата электронов сеткой, в котором увеличение тока / а при возрастании анодного напряжения объясняется влиянием анодного напряжения на объемный заряд у катода. Это влияние ослаблено экранирующим действием сетки, и рост анодного тока, естественно, замедляется; наклон кривой анодного тока к оси абсцисс становится примерно таким же, как на характеристиках при Uc когда лампа работает без сеточного тока. [43]
Основной особенностью этого источника является то, что ионизация молекулярного пучка в нем производится однородным электронным потоком большой площади в пространстве между двумя близко расположенными расходящимися в направлении движения пучка сетками. При этом удается при достаточно высоких электронных токах резко уменьшить разброс электронов по энергиям, вызванный объемным зарядом электронов. Более того, слабый потенциал, создаваемый объемным зарядом электронов, выталкивает все ионы из области ионизации. Для дальнейшей фокусировки пучка используется одиночная линза и дублет квадрупольных линз. [44]
При определении эмиссионной способности поверхности катода следует раньше всего выяснить значение энергий, которыми могут обладать электроны в материале катода. Если этим материалом будет металл, то можно обратиться к теории свободных электронов, в которой структура твердого тела не учитывается, и полагается, что металл содержит некоторое количество свободно движущихся электронов. Не учитывая также электростатическое расталкивание электронов, так как делается допущение, что объемный заряд электронов нейтрализуется равномерно распределенным положительным зарядом ионов, получившихся после потери атомами кристаллической решетки металла валентных электронов. В этом случае электроны можно рассматривать как частицы обычного газа. Однако предполагается, что они претерпевают непрерывные столкновения с атомами, или, точнее, происходит взаимодействие электронов с фононами, представляющими кванты поля тепловых колебаний решетки. В результате этого взаимодействия электрон находится в данном энергетическом состоянии только очень короткое время. [45]
Страницы: 1 2 3 4