Затвор - транзистор
Cтраница 2
Входной сигнал поступает на затворы толевых транзисторов Т2, Ts. Их начальный ток задается транзистором 7 ( в цепи стоков), который обладает высоким эквивалентным сопротивлением и обеспечивает тем саг мым малое изменение тока транзисторов Т & Т3 от синфазной составляющей сигнала, а значит, большую величину коэффициента ее подавления / Сп. [16]
 |
Ускоряющие элементы, а - связь со стоком. б - связь с истоком. [17] |
Спар - паразитная емкость затвора транзистора Т % относительно общей точки схемы. [18]
Числовая шина соединяется с затворами вентильных транзисторов. В режиме хранения числовая шина заземлена, так что транзисторы Т5, Т6 закрыты и узловые точки триггера изолированы от разрядных шин. [19]
Скорость нарастания напряжения на затворе транзистора уменьшается обратно пропорционально увеличению емкости Свх. [20]
 |
Структуры полевых транзисторов с изолированным затвором. [21] |
При положительном потенциале на затворе МДП транзистора с каналом n - типа происходит увеличение концентрации электронов в канале за счет привлечения их из пассивной области полупроводника и проводимость канала возрастает. Модуляцию проводимости канала за счет увеличения концентрации носителей по сравнению с исходной называют работой в режиме обогащения. [22]
Напряжение сигнала УРЧ поступает на затвор транзистора VT6, а на его исток подается через конденсатор С24 напряжение с гетеродина. [23]
Напряжение сигнала УРЧ подается на затвор транзистора VT3 смесителя частоты, а напряжение гетеродина через конденсатор С24 на его исток. [24]
 |
Построение 16-разрядного арифметического устройства на микросхемах. [25] |
По окончании выдачи информации на затвор р-канального транзистора подается лог. О и тем самым формируется положительный фронт на выходе. После этого р-канальный транзистор закрывается. [26]
Назначение выводов: 1 - затвор транзистора сброса правый; 2-затвор выходной; 3 - выход правого регистра; 4 - подложка; 5-затвор экранирующий правого регистра; 4 - подложка; 5 - затвор экранирующий правого регистра; 6 - затвор разрешающий правого регистра; 7-фаза 3 правого регистра; 8 - фаза 2 правого регистра; 9-фаза 1 правого регистра; 10 - затвор входной 2 правый; 11 - диод входной правый; 12-затвор накопительный; 13-затвор барьерный; 14 - диод входной левый; 15-затвор входной; 16-затвор входной 2 левый; 17 - фаза 1 левого регистра; 18-фаза 2 левого регистра; 19-фаза 3 левого регистра; 20-затвор разрешающий левого регистра; 21 - затвор экранирующий левого регистра; 22 - выход левого регистра; 23 - напряжение питания транзистора; 24 - затвор транзистора сброса левый. [27]
Несмотря на возможность полного включения затвора транзистора во входной контур его подключают к части контура для снижения уровня сигнала при гТриеме мощных радиостанций и уменьшения перекрестных помех. Этому же способствует подведение напряжения АРУ ко второму затвору транзистора, так как крутизна его характеристики в равной мере зависит от напряжения на каждом из затворов, а входная емкость, положение рабочей точки на необходимом ( оптимальном с точки зрения перекрестных искажений) участке характеристики мало изменяестя при регулировании по второму затвору. [28]
При низком логическом уровне на затворах транзисторов VT1 и VT3 на выходе схемы будет высокий логический уровень, так как эти транзисторы закрыты. [29]
Если изменение напряжения смещения на затворе транзистора Ti приводит к увеличению амплитуды переменного тока через транзистор, то индуктивное сопротивление уменьшается, что эквивалентно уменьшению индуктивности. Уменьшение общей индуктивности резонансной цепи генератора увеличивает частоту генерации. При уменьшении амплитуды переменного тока транзистора Tj эквивалентная индуктивность увеличивается и частота кварцованного генератора уменьшается. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5