Затвор - транзистор
Cтраница 4
Термокомпрессионное присоединение к контактным площадкам истока, стока и затвора транзистора должно производиться с помощью прокладок из золотой фолым. [46]
Термокомпрессионное присоединение к контактным площадкам истока, стока и затвора транзистора должно производиться с помощью прокладок из золотой фольги. [47]
Подставив это значение в (30.4), получим напряжение на затворе отпираемого транзистора более 21 В. Поскольку низковольтные MOSFET имеют обычно допустимое напряжение на затворе 20 В, напряжение Um следует ограничить. Сказанное в еще большей степени относится к транзистору 7105, который используется в преобразователе с выходным напряжением 5 В. [48]
 |
Постоянное ЗУ. а - организация запоминающей матрицы. б - структура ЗЭ. [49] |
При считывании на выбранную числовую шину и связанные с ней затворы транзисторов подается напряжение f / сч, в результате чего транзисторы с низким пороговым напряжением открываются, и на усилители, подключенные к соответствующим разрядным шинам, поступает токовый сигнал. В то же время транзисторы с высоким пороговым напряжением остаются закрытыми и состояние соответствующих разрядных шин не изменяется. [50]
 |
Принципиальная электрическая схема блока VKB-I - 2C (. 1 /. РП магнитол Рига-110 и. [51] |
С отвода катушки L3 сигнал через конденсатор С13 подается на затвор транзистора VT5 смесителя частоты. [52]
По резисторам з и 8 проходит ток утечки в цепи затворов транзисторов. [53]
 |
Схема микровольтметра с модулятором на полевых транзисторах. [54] |
Кремниевые диоды Дь Д8 обеспе чивают отсутствие тока в цепи затворов транзисторов I ь 1ч в открытом состоянии. Резисторы гь г2 и конденсатор С2 введены для компенсации тока смещения, обусловленного наличием паразитной емкости, и тока утечки. Усилитель несущей частоты состоит из кас када на полевом транзисторе Т3 и трех каскадов на биполярных транзисторах. [55]
На рис. 13.13 приведена схема усилителя мощности с модуляцией на затворе транзистора. [56]
Частоту генерации можно регулировать потенциометром Rf, меняя напряжение на затворах транзисторов. [57]
В исходном состоянии ( непосредственно после изготовления) заряд на плавающих затворах бистабильных транзисторов отсутствует и транзисторы находятся в закрытом состоянии, что соответствует хранению во всех ЗЭ нулевой информации. При записи единичной информации на выбранную числовую шину подается напряжение, открывающее МДП транзисторы, затворы которых подключены к данной шине. Одновременно на разрядные шины выбранных ЗЭ подается большое напряжение, которое вызывает лавинный пробой р-п-пе-реходов стоков бистабильных МДП транзисторов и инжекцию носителей заряда в диэлектрик. Накопление инжектированных носителей на плавающем затворе изменяет пороговое напряжение бистабильного транзистора настолько, что транзистор переходит в. Поскольку на невыбранных разрядных шинах поддерживается низкий потенциал, изменения состояния связанных с этими шинами бистабильных транзисторов не происходит. Подобным образом производится построчная запись информации в матрицу. [58]
Назначение выводов: 1, 2, 3, 12 - затворы транзисторов; 4, 7, 8, 10-стоки транзисторов; 5 - подложка; б - соединенные истоки двух транзисторов; 9 - соединенные истоки двух транзисторов; 11 - свободный. [59]
Если на диод Д1 ( Д1) подано обратное смещение, затвор транзистора Т1 ( 77) изолирован ат схемы. Транзистор Т1 запирается положительным напряжением, приложенным между затвором и стоком, если канал транзистора р-типа, или отрицательным, если канал п-типа. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5