Затухание - поле
Cтраница 3
 |
Зависимость добротности нелинейного резо натора от параметра а для различных значений числа Рейнольдса. Re 5 ( 1, 10 ( 2, 20 ( 3. [31] |
Будем считать, что в резонаторе сформировались две пилообразные волны, бегущие навстречу друг другу. Тогда затухание поля на одном пробеге туда и обратно по резонатору мало. [32]
На рис. 19 приведены графики зависимости магнитного потока Ф ( t) Ф ( О / Ч о через виток радиуса R для неферромаг-ннтного листа ( рис. 19, а) и трубы ( рпс. Длительность процессов затухания поля в обоих случаях пропорциональна а. При малых Т затухание потока происходит по экспоненциальному закону. В этом случае Т и а входят в формулы как сомножители, и их эффекты неразличимы. В случаях контроля ферромагнитных материалов основное различие заключается в том, что поток в конечных фазах процесса меняет знак. С уменьшением Т уменьшается различие в процессах для случаев ферромагнитных и неферромагнитных материалов. При бесконечно малых Т изменение ц не влияет на процесс. [34]
Для простоты предположим, что 7а 7ь 7; и рассмотрим лазер, настроенный в резонанс с атомами. Детали механизма затухания поля в резонаторе не очень важны для теории лазера. В полуклассической теории затухание описывалось омическими токами ( разд. Здесь можно предположить, что существуют только потери при пропускании, которые объясняются взаимодействием поля излучения внутри резонатора с резервуаром вакуумных мод, представляющим окружающий мир ( моды вселенной 1)) так, как он видится через частично пропускающие зеркала. [35]
С ростом частоты усиливается влияние индуцированных в проводящей среде вихревых токов, ослабляющих стороннее электромагнитное поле. Поэтому скорость затухания поля вдоль координаты его распространения возрастает и глубина проникновения поля в среду уменьшается. [36]
Эти корреляционные функции будут использоваться при выводе уравнений движения для корреляционных функций поля в разд. Далее мы рассмотрим затухание одномодового поля, взаимодействующего с атомным резервуаром, а также расширим и усилим данное рассмотрение резервуара осцилляторов. Главным результатом этого будет корреляционная функция оператора шума, которая не является дельта-функцией и, следовательно, соответствует окрашенному шуму, а не белому шуму, рассмотренному в этом разделе. [37]
При стирании переменным полем каждый участок носителя перемагничивается ( по мере продвижения перед зазором стирающей головки) полем, сначала постепенно возрастающим по амплитуде, а затем также постепенно убывающим до нуля. Перемагничива-ние по симметричным циклам с достаточно медленным затуханием поля приводит к практически полному размагничиванию носителя, и при выходе из стирающей головки индукция носителя близка к нулю. [38]
Сначала рассматривается релаксация гармонического осциллятора, обусловленная взаимодействием с резервуаром, состоящим из множества других простых гармонических осцилляторов. Эта система описывает, например, затухание одномодового поля в резонаторе, имеющем зеркала с потерями. В этом случае резервуар состоит из большого числа мод фононного типа, возбуждаемых в зеркалах. Кроме того, рассматривается затухание поля, обусловленное взаимодействием его с атомным резервуаром. Интересным приложением теории взаимодействия системы с резервуаром является эволюция атома в резонаторе с потерями. Показано, что скорость спонтанного перехода атома может существенно возрасти, если его поместить в резонатор. [39]
В большей части ядра эта смесь, по-видимому, является жидкой, ее проводимость в общем порядка а 10 с 1 ( [141], см. также [132]), что близко к проводимости меди или серебра при комнатной температуре. Следовательно, 1 Ю3 см2 / с и характерное время затухания поля равно R j / Aq 1016 с 3 108 лет. Существование сильного дипольного поля требует действия динамо в недрах планеты и, следовательно, конвективных движений. Поэтому более существенной может быть турбулентная ijp а не омическая ij вязкость. Однако на нынешнем низком уровне наших познаний численные оценки этого эффекта практически невозможны. [40]
Уравнение (34.2) чаще всего используется для решения следующих задач. Либо рассматривается случай, когда внешнее поле выключается и представляет интерес затухание поля в проводнике; либо предполагается, что внешнее поле изменяется периодически с частотой со; при этом исследуется проникновение магнитного поля и индуцированного им электрического поля в глубь проводника, а также распределение токов в его объеме. [41]
Поместим в область распространения электромагнитной волны разрядную трубку, размер которой в направлении распространения соизмерим с длиной волны. Предположим, что в трубке горит разряд с такой концентрацией электронов пе, что затуханием поля в пределах зоны плазмы можно пренебречь и однородное по сечению поле обеспечивает баланс объемной ионизации и диффузионной гибели зарядов. Так как с ростом поля ионизация растет быстрее диффузии, такой слабый разряд будет неустойчив относительно колебаний напряженности поля. [42]
Необходимо напомнить, что сверхпроводник 2-го рода никогда полностью несвободен от потерь из-за ползучести потока. Но, как бы то ни было, потери в магните, а следовательно, и затухание поля перестают быть значительными через несколько минут после начала работы. ЯМР, способный создать высокооднородное поле в рабочем объеме. Он создает поле 7 Т с однородностью 10-в в сфере диаметром 1 см. В этом магните применен сверхпроводник, полученный методом совместной протяжки из сплава ниобий - титан и меди. [43]
Это предположение о точном резонансе между инжектируемым полем и резонатором и между этим полем и атомами обеспечивает отсутствие каких-либо дисперсионных эффектов. Эта процедура справедлива для добротного резонатора; при этом предполагается, что некогерентный распад атомов происходит намного быстрее, чем затухание поля в пустом резонаторе. При этом условии атомы почти мгновенно подстраиваются под поле ( атомы подчиняются полю [7.13]) и система описывается лишь переменными поля в резонаторе. [44]
Изложенная качественная картина справедлива при описаний фотоэмиссии с одной оговоркой. Здесь dx - постоянная решетки в - направлении, а величина / определяется в простейшем случае меньшим из следующих характерных размеров: расстояния 1Ш затухания поля световой волны в полупроводнике и длинами пробега фотовозбужденного электрона по отношению к неупругим ZH и упругим 1У взаимодействиям: I min / ш, ZH, ly - Если условие djl 1 не выполнено, понятие о прямых переходах теряет смысл, и изложенная выше качественная картина фотовозбуждения должна быть модифицирована. [45]
Страницы: 1 2 3 4