Захват - носитель
Cтраница 1
Захват носителя областью поляризации приводит также либо к его локализации, либо к уменьшению подвижности носителя. [1]
Формально захват носителей центрами прилипания может быть учтен, если в исходных уравнениях системы приписать стационарным временам жизни электронов и дырок разные значения, положив т kip [7], или заменить отношение подвижностей основных и неосновных носителей Ъ параметром Ь, равным bk ( параметр k согласно [7] равен отношению ( 1 kp) / ( - t - k), где kn и kp - отношения плотности электронов и дырок, захваченных ловушками, к их плотности в соответствующей зоне. В случае выполнения обратного неравенства соответствующие выражения следует несколько видоизменить. [2]
Формально захват носителей центрами прилипания может быть учтен, если в исходных уравнениях системы приписать стационарным временам жизни электронов и дырок разные значения, положив т krp [7], или заменить отношение подвижностей основных и неосновных носителей b параметром Ь, равным bk ( параметр k согласно [7] равен отношению ( 1 kp) l ( kn), где kn и kp - отношения плотности электронов и дырок, захваченных ловушками, к их плотности в соответствующей зоне. В случае выполнения обратного неравенства соответствующие выражения следует несколько видоизменить. [3]
Вероятности захвата носителя дефектом и его эмиссии в зоны не являются независимыми параметрами. Так как при термодинамическом равновесии выполняется принцип детального равновесия, то отсюда следует, что указанные вероятности должны быть связаны достаточно общим соотношением. [4]
Если время захвата носителей ловушками меньше времени нарастания домена, то в таком материале возникают медленные домены симметричной формы, весь заряд в которых связан на ловушках, а движение происходит лишь в меру перезарядки последних. Скорость их движения уд составляет величину порядка van / NJL, где ун - дрейфовая скорость свободных носителей ( - 107 см / с); п-их концентрация, а Na - концентрация ловушек. Важно отметить, что она легко изменяется под воздействием подсветки. [5]
Предполагается, что захват носителей тока дискретными центрами в запрещенной зоне представляет собой одноступенчатый акт. Это значит, что если даже процесс захвата включает две ступени, то их продолжительность предполагается бесконечно малой. [6]
Эффект увеличивается при захвате носителей, и они начинают образовывать вблизи освещаемого электрода слой пространственного заряда, уменьшая тем самым поле в глубине кристалла. Это становится более заметным, когда освещаемый электрод отрицателен, так как отрицательным носителям требуется больше времени, чтобы добраться до другого электрода, и слой пространственного заряда разрушается меньше, поскольку меньшее число положительных зарядов сможет разряжаться на отрицательном 1 электроде. [7]
Анализируются процессы рекомбинации и захвата носителей на поверхности полупроводника и различные фотоэлектрические и оптические явления в его приповерхностных слоях. Рассматривается также влияние поверхности на работу классических полупроводниковых приборов с р - n - переходом. Излагаются физические основы приборов, построенных на непосредственном использовании неравновесных приповерхностных процессов: МДП-транзисторов и фотоварикапов, приборов с зарядовой связью. Рассмотрены также перспективы дальнейшего использования некоторых неравновесных явлений на поверхности для создания полупроводниковых приборов. [8]
Выше было рассмотрено влияние захвата носителей уровнями прилипания на релаксацию фотопроводимости в сравнительно простом линейном случае, когда заполнение этих уровней в процессе релаксации меняется мало. [9]
 |
Энергетические уровни электролитического электрода. [10] |
В стационарных условиях влияние захвата носителей в антрацене и накопление продуктов окисления на поверхности антрацена серьезно лимитирует ток, однако в любом случае можно осуществлять режим ТОПЗ; контакт между электродом Се4 / Се3 и антраценом является омическим. Этот электрод имеет стандартный редокс-потенциал 1 98 эВ, дающий энергию ионизации для иона / 4g ( aq), равную 6 5 эВ при удалении электрона в вакуум. [11]
 |
Сферическая модель молекулы Онсагера. [12] |
Ее происхождение связано с захватом носителей тока микродефектами кристал-лич. [13]
Это резко снижает потери на захват носителей. К тому же в ПЗС с углубленным каналом удается сдвинуть верхний предел рабочих частот по крайней мере за 100 МГц. Однако приборы с углубленным каналом имеют значительно меньшую эффективность управления со стороны затворов и соответственно меньший информационный заряд по сравнению с обычными ПЗС. [14]
Пренебрежение полевой и энергетической зависимостями сечений захвата носителей ловушками. Теории дисперсионного переноса [120, 135] этими зависимостями пренебрегают. [15]
Страницы: 1 2 3 4