Захват - носитель
Cтраница 2
Теперь рассмотрим случай, когда центры захвата носителей имеют экспоненциальное распределение по энергиям. [16]
 |
Зависимость гетерозаряда Р электретов от времени поляризации ta. [17] |
ОсЕоб - компоненты гомозаряда, обусловленные захватом носителей ловушками и смещением носителей во внутреннем поле электрета; Pt и PZ - остаточная поляризация и поляризация, обусловленная внутренним полем электрета соответственно. [18]
 |
Зависимость времени пролета носителей тп через кристалл ПТС от величины, обратной приложенному напряжению U эффективная толщина образца 130 мкм. [19] |
Время пролета не удается измерить, когда захват носителей ловушками столь значителен, что ни один из них не достигает тылового электрода. В случае кристаллов ПТС времена захвата составляют наносекунды, что весьма затрудняет измерения подвижности. Результаты измерения времени пролета носителей в монокристалле ПТС, заключенном между двумя электродами, приведены на рис. 6.4.11; при этом полимерные цепи были расположены под углом 22 к направлению электрического поля, а длительность импульса света лазера с длиной волны 1 06 мкм равнялась 10 не. [20]
На постоянную времени образца или прибора влияют захват носителей и поверхностная рекомбинация, причем во многих случаях ( в частности, в приборах с р-л-переходом) их влияние приводит к сложной зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от постоянной времени. [21]
Подвижность можно считать дрейфовой, поскольку акты захвата носителей происходят многократно при движении их через кристалл. Интересным является вопрос о природе подвижности jij. [22]
Одной из таких причин может являться наличие захвата носителей на уров-не. [23]
Другой механизм N-образной ВАХ связан с увеличением сечений захвата носителей одноименно заряженными с ними ловушками, которое вызвано разогревом электронов в сильном поле, увеличивающим вероятность проникновения носителей сквозь кулонов-ский энергетический барьер, окружающий ловушки. [24]
 |
Фотодиод в фотогальваническом режиме. а - схема включения. б - схема замещения. [25] |
Кроме того, при наличии на поверхности ловушек захвата носителей одного знака ( только дырок или только электронов) возникает составляющая фото - ЭДС как итог диффузии в глубь полупроводника носителей заряда другого знака. [26]
Согласно конфигурационной диаграмме, представленной на рис. 5.27, захват носителя на поверхностное состояние соответствует переходу электрона из свободного ( парабола /) в связанное ( парабола / /) состояние. Рассмотрим захват на адсорбционные медленные состояния границы раздела. Как было показано в § 5.2, благодаря высокой поляризуемости таких комплексов ( например, / на рис. 5.16, б) захват на такой комплекс будет сопровождаться существенной перестройкой всего комплекса, т.е. сдвигом конфигурационной координаты Of - Qrl. [27]
Поскольку качественные зависимости между током и напряжением в случае захвата носителей центрами прилипания не нарушаются, то сначала экспериментальные данные будут сравнены с расчетными, а затем будут выявлены особенности, связанные с захватом носителей центрами прилипания. [28]
Медленные состояния в рекомбинации не участвуют: они служат ловушками захвата носителей. [29]
Если рекомбинация идет через нейтральные центры, или в случае захвата носителя на одноименно заряженный центр, теория Лэкса не применима, ибо при этом нет возбужденных уровней. [30]
Страницы: 1 2 3 4