Относительный разброс

Cтраница 4

Как видно из рис. 1.3, с уменьшением толщины образцов кривые смещаются в сторону больших величин предела прочности, но разброс данных при этом увеличивается. Кривые для ненаполненной резины отвечают нормальному распределению, и наивероятнейшая прочность может быть рассчитана как средняя арифметическая при заданной толщине образца. В то же время относительный разброс прочности практически не зависит от толщины образцов. [46]

Для ограничения скорости нарастания тока в вентиле последовательно с ним включает реакторы, часто выполненные как реакторы с насыщением. Особую проблему представляет необходимость последовательного и параллельного соединения вентилей. Ее причина в том, что относительный разброс внутренних сопротивлений вентилей в проводящем и непроводящем состояниях весьма велик. Из-за этого при последовательном соединении напряжение может делиться неравномерно на последовательно включенных вентилях, а при параллельном соединении неравномерно делится ток. [47]

При определении пробега и разброса легких ядерных частиц выше предполагалось, что электронные столкновения определяют торможение практически на всем пробеге. При этом конечный отрезок пробега, где ядерные столкновения становятся существенными, может уже составлять не пренебрежимо малую часть всего пробега, а иногда может быть даже существенным при определении разброса пробегов. В самом деле, выражение для относительного разброса на этой последней части пробега будет вместо отношения между массами электрона и атомного ядра содержать только отношение между ядерными массами и поэтому может быть порядка единицы. [48]

Поворот волнового вектора при нелинейном рассеянии дает некоторый эффект: при стохастических поворотах имеет место более или менее изотропное распределение направлений &. Относительная доля резонансных волн имеет порядок относительного разброса скоростей пучка по направлениям. [49]

Для уменьшения разнородности объединяется результаты испытаний конструкций, близких друг другу по своим параметрам. Другим способом уменьшения разнородности является статистическая обработка относительных разбросов несущих способностей, так как относительные разбросы обладают большей стабильностью по сравнению с абсолютными при изменении параметров конструкций. [50]

Осциллограммы при исследовании диодов ( а, б, и стабилитронов ( в, г. [52]

Если возникает необходимость выбрать из однотипных стабилитронов образец с меньшим или большим порогом стабилизации или подобрать образцы с одинаковым порогом, поступают следующим образом. Перемещением подвижного контакта резистора R2 устанавливают возможно больший ( в пределах экрана) масштаб горизонтальной развертки. Измененный масштаб не позволяет измерить фактическое значение напряжения стабилизации, но зато улучшает разрешающую способность и позволяет более точно выбрать нужные стабилитроны по относительному разбросу их параметров. [53]

Очень часто для исследователя представляет интерес сравнение не абсолютных различий, а относительных: во сколько раз числа отличаются друг от друга. Такое сравнение будет, например, более эффективным, если разброс, рассеивание чисел пропорциональны их величине, например, если имеется постоянный коэффициент вариации. Для сравнения выборок по относительному разбросу ( по коэффициентам вариации) нужно анализировать остатки после логарифмирования исходных чисел выборок. [54]

Тем не менее мы можем сравнивать приблизительно их действие, используя пример, данный в конце разд. Предположим снова, что входная энергия частиц 10 кэВ; следовательно, минимальное расстояние между электродами равно 3 мм. Используя упрощенную структуру электродов ( штриховая линия на рис. 93), можно принять Ll см. Тогда все числа в табл. 6 и 8 можно прямо сравнивать друг с другом. Используя уравнения (5.79) и (5.197) и предполагая относительный разброс энергии 10 - 4, найдем минимальный радиус сферического диска 8rsi 3 нм для о 1 мрад и 8rsi 193 нм для о5 мрад. Так как два минимума снова расположены довольно далеко друг от друга, общий размер пятна необходимо оптимизировать выбором увеличения между этими двумя оптимальными значениями. [55]

Вблизи вершины возникает чрезвычайно высокое электростатическое поле, следствием которого является относительно высокий ( 1 мА) ток эмиссии. Электроны как бы эмитируются из очень маленького виртуального источника позади вершины. Радиус виртуального источника пропорционален радиусу вершины и квадратному корню относительного разброса энергии Для радиуса вершины 0 1 мкм и относительного разброса энергии 10 - 4 радиус виртуального источника приблизительно равен 1 нм. [56]

При конструировании МЭА ( III и IV поколения) возник совершенно новый подход, который заключается в использовании ИС возможно большей степени интеграции. Эго объясняется тем, что ЭРЭ, в том числе и активные, вошедшие в состав ИС, намного дешевле своих дискретных ( навесных) аналогов. При таком подходе, как уже указывалось, существенно улучшается надежность аппаратуры, уменьшаются масса и габариты. Кроме того, применение ИС наряду с известными ограничениями значительно расширило возможности разработчика. К факторам, облегчающим конструирование, можно отнест: : малый относительный разброс характеристик элементов, изготовленных в одном кристалле, или, например, то, что изменение сопротивлений резисторов, находящихся на одной подложке ИС, имеют одинаковые уходы и знак. Это позволяет разработчику строить такие схемы, на характеристики которых в основном влияют не абсолютные значения номиналов, а допуск на их отношение. [58]

Страницы: 1 2 3 4