Интенсивная рекомбинация

Cтраница 3

Однако если даже удалось предотвратить гомофазную рекомбинацию высших фторидов урана при охлаждении ( и - Г) - плазмы, этого недостаточно для выделения дисперсных продуктов разложения, поскольку интенсивная рекомбинация UF5 и UFe может протекать и в гетерофазной области реагирования, в частности при взаимодействии атомного и молекулярного фтора с частицами конденсированной фазы. [31]

Благодаря этому ионизация газа-носителя происходит не во всем объеме камеры, и там, где р-электроны отсутствуют, а имеются только электроны, образовавшиеся в результате ионизации, возможна более интенсивная рекомбинация. В эту область детектора вводится анализируемое вещество, молекулы которого захватывают электроны, снижая тем самым ток, который создается в основном электронами. [32]

Однако если даже удалось предотвратить гомофазную рекомбинацию высших фторидов урана при охлаждении ( П - Г) - плазмы, этого недостаточно для выделения дисперсных продуктов разложения, поскольку интенсивная рекомбинация UFs и UFe может протекать и в гетерофазной области реагирования, в частности при взаимодействии атомного и молекулярного фтора с частицами конденсированной фазы. [33]

Плотность различных нефтяных коксов. [34]

Наличие относительного постоянства концентрации ПМЦ в температурном интервале 440 - 460 С объясняется, по-видимому, интенсивными межмолекулярными взаимодействиями на этом участке, приводящими к формированию мезофазы и сопровождающимися интенсивной рекомбинацией свободных радикалов. [35]

Влияние условий коксования на концентрацию ПМЦ в коксующейся массе ( деасфальтизате.| Плотность различных нефтяных коксов. [36]

Наличие относительного постоянства концентрации ПМЦ в температурном интервале 440 - 460 С объясняется, по-видимому, интенсивными межмолекулярными взаимодействиями па этом участке, приводящими к формированию мезофазы и сопровождающимися интенсивной рекомбинацией свободных радикалов. [37]

Монополярная диффузия в результате инжекции дырок в электронный полупроводник. [38]

Потоки дырок и электронов направлены в разные стороны: дырки двигаются в глубь кристалла, а электроны - в сторону инжектирующей поверхности, в район электронно-дырочного облачка, где происходит интенсивная рекомбинация и необходимо пополнение основных носителей. Результирующий ток является суммой дырочной и электронной составляющих. [39]

Монополярная диффузия в результате инжекции дырок в электронный полупроводник. [40]

Рекомбинация в р - ге-переходс дает относительно большой вклад в темновой ток из-за того, что концентрация неосновных носителей, например электронов, в середине р - га-перехода, где и происходит наиболее интенсивная рекомбинация, в ехр [ ( р0 - eU) / 2kT ] раз больше, чем в объеме р-области. [42]

Мостовая схема течеискателя.| Газовая схема течеискателя. [43]

Для проведения атмосферных испытаний на герметичность изделий, в которые может быть подано электроотрицательное пробное вещество, предназначен те-чеискатель, действие которого основано на уменьшении электропроводности разрядного промежутка при попадании в него электроотрицательного пробного вещества вследствие значительно более интенсивной рекомбинации положительных ионов с медленными отрицательными ионами, чем с быстрыми электронами. С помощью такого течеискателя, в случае размещения проверяемого изделия в среде электроположительного газа ( например, азота, аргона), может быть также зафиксирована утечка воздуха, в состав которого входит электроотрицательный газ - кислород. [44]

В отличие от режима прямого смещения, когда ширина области наиболее интенсивной рекомбинации носителей заряда мала по сравнению с Wd, а скорость рекомбинации в этой области почти постоянна, в режиме обратного смещения при повышении напряжения область наиболее интенсивной рекомбинации расширяется, и в конечном счете скорость рекомбинации становится постоянной почти во всем слое. [45]

Страницы: 1 2 3 4