Интенсивная рекомбинация
Cтраница 4
В основе принципа их действия лежит так называемое рекомбинационное излучение - излучение квантов света при прямых рекомбинационных актах пар электрон - дырка. Для интенсивной рекомбинации необходимо одновременно иметь высокую плотность электронов в зоне проводимости и высокую плотность свободных уровней ( дырок) в валентной зоне. Можно предположить, что такие условия создаются при высоком уровне инжекции электронов в дырочный полупроводник с высокой концентрацией акцепторов. [46]
Инжекционные диоды обычно изготовляются из арсенида галлия, фосфида галлия и карбида кремния. Их излучение обусловлено интенсивной рекомбинацией электронов и дырок в результате инжекции через р - п переход неосновных носителей тока. [47]
Как показывает проведенный выше анализ, характеристики тонкопленочных кремниевых солнечных элементов в значительной степени зависят от свойств границ зерен. Низкая эффективность собирания неосновных носителей заряда вследствие их интенсивной рекомбинации на границах зерен и невысокое качество р-м-перехода являются двумя основными факторами, отрицательно влияющими на характеристики тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов. К результатам оценочных расчетов некоторых авторов [23], определявших размер зерен, который обеспечивает достижение КПД выше 10 %, следует относиться критически, поскольку на процесс переноса неосновных носителей заряда, помимо границ зерен, могут влиять глубокие примесные уровни, концентрация легирующей примеси, дефекты микроструктуры ( например, дислокации и вакансии) и механические напряжения. [48]
Свечение разреженного газа ( см. § 23.4) при прохождении через него электрического тока называется электролюминесценцией. При пропускании прямого тока через р - / г-переход светодиода происходит интенсивная рекомбинация электронов и дырок с испусканием квантов излучения. Кремниевые светодиоды являются источниками инфракрасного излучения, а светодиоды на карбиде кремния ( SiC), фосфиде галлия ( GaP) излучают видимый свет. [49]
В интервале между этими областями сигнал ЭПР отсутствует. Отсутствие сигнала ЭПР объясняется тем, что в этих условиях происходит интенсивная рекомбинация свободных радикалов. [51]
Поэтому поверхность полупроводника представляет собой особую, весьма активную область, содержащую большое число энергетических уровней. Поверхностные уровни, расположенные в запрещенной зоне, могут играть роль ловушек, и тогда поверхность становится областью интенсивной рекомбинации и генерации носителей. Обычно эти поверхностные процессы характеризуются не временем жизни, а скоростью поверхностной рекомбинации S, измеряемой в см / сек. Этот коэффициент является сложной функцией геометрии полупроводника, состояния его поверхности и подвижности носителей. С физической стороны коэффициент 5 соответствует средней скорости носителей, с которой они движутся к поверхности, где происходит непрерывное уничтожение их. Величина S лежит в весьма широких пределах: от 100 до 10 см / сек и более. [52]
 |
Люкс-амперные характеристики. [53] |
По-видимому, возникновение свечения при меньшей плотности тока и высокий квантовый выход излучения у диодов, легированных бором, связаны с более интенсивной рекомбинацией в активированной бором я-области. Однако при увеличении тока интенсивность свечения у диодов, легированных алюминием, изменяется быстрее, вследствие чего при более высокой плотности тока различие между ними уменьшается. [54]
 |
Люкс-амперные характеристики. [55] |
По-видимому, возникновение свечения при меньшей плотности тока и высокий квантовый выход излучения у диодов, легированных бором, связаны с более интенсивной рекомбинацией в активированной бором га-области. Однако при увеличении тока интенсивность свечения у диодов, легированных алюминием, изменяется быстрее, вследствие чего при более высокой плотности тока различие между ними уменьшается. [56]
Страницы: 1 2 3 4