Номинальное значение - сопротивление - резистор
Cтраница 2
 |
Номограммы для вычисления среднего значения удельной объемной проводимости аг диффузионных слоев кремния р-типа при гауссовом распределении концентрации примесных. [16] |
Возможные конфигурации диффузионных резисторов приведены на рис. 2.30. Формулы для вычисления номинального значения сопротивления резистора различны для каждой из приведенных конфигураций и учитывают соотношения между размерами контактной области и шириной резистора, а также число изгибов ре-зистивной полоски. В зависимости от этих факторов по-разному проявляется влияние концевых и краевых эффектов. [17]
 |
Номограммы для вычисления среднего значения. [18] |
Возможные конфигурации диффузионных резисторов приведены на рис. 2.31. Формулы для вычисления номинального значения сопротивления резистора различны для каждой из приведенных конфигураций и учитывают соотношения между размерами контактной области и шириной резистора, а также число изгибов резистивной полоски. В зависимости от этих факторов по-разному проявляется олияние концевых и краевых эффектов. [19]
Если к быстродействию схемы не предъявляются высокие требования, то выбор номинальных значений сопротивлений резисторов делителя может быть произведен на основе простых рекомендаций. Обычно в триггерах с малым и средним быстродействием максимальный ток делительной цепи не должен превышать ( 0 25 - г - М) 5) ма. [20]
На рис. 1.4 приведены зависимости потребляемой мощности от температуры Т, частоты переключения схемы f, нестабильности напряжения питания ДЬ и отклонений от номинальных значений сопротивлений AR резисторов в схемах ТТЛ элементов. Анализ кривых показывает, что БИЛС потребляют наибольшую статическую мощность при Г20 С, а динамическая потребляемая мощность существенно зависит от частоты переключения схем. Поэтому чем больше быстродействие имеет элемент ТТЛ, тем больше величина потреб - Ч ляемой мощности в динамическом режиме. Элемент ТТЛ позволяет С гюлучить постоянные величины нарастания и распространения сигна - - Ола в цепях с различными емкостными и активными нагрузками В пределах установленных норм. [21]
Таким образом, можно заключить, что максимальное номинальное значение сопротивления резистора зависит от отношения длины к ширине резистивной полоски, которое в свою очередь зависит от наличия свободной площади на исходной подложке. Способ увеличения номинального значения сопротивления резистора, занимающего определенную площадь на подложке, иллюстрируется рис. 2.32. В резистивную полоску р-типа проводят диффузию примеси n - типа. [22]
Таким образом, можно заключить, что максимальное номинальное значение сопротивления резистора зависит от отношения длины к ширине резистивной полоски, которое в свою очередь зависит от наличия свободной площади на исходной подложке. Способ увеличения номинального значения сопротивления резистора, занимающего определенную площадь на подложке, иллюстрируется рис. 2.31. В резистивную полоску р-типа проводят диффузию примеси и-типа. Резистивная область оказывается ограниченной двумя p - n - переходами, каждый из которых должен быть смещен в обратном направлении. Следовательно, сечение проводящего слоя резистора при этом уменьшается. Диффузию примесных атомов, формирующих n - слой, удобно совмещать с диффузией, в процессе которой изготовляется эмиттерная область транзистора. Такой резистивный элемент называют пинч-резистором. Поэтому такие конфигурации резисторов могут применяться только в случаях, если допустимые отклонения от их номиналов не оказывают отрицательного влияния на работу схемы в целом. [23]
Таким образом, анализ статических состояний триггера позволил установить два предела, между которыми должны находиться отношения сопротивлений резисторов делителя. Однако рекомендации по выбору номинальных значений сопротивлений резисторов не получены. Выбор номинальных значений, как будет показано, может быть проведен с учетом переходных процессов. [24]
 |
Конструкция металлопленочного резистора МЛТ. [25] |
Резисторы МГП обладают малым ТКС, малым коэффициентом напряжения и высокой стабильностью параметров. Резисторы С2 - 7Е - металлоокисные низкоомные дополняют шкалу номинальных значений сопротивлений резисторов МТ. [26]
Реле-прерыватель тока ламп указателей поворота РС950 ( РС951) предназначен для использования в схеме электрооборудования напряжением 12 В, а прерыватель РС951 - в схеме электрооборудования напряжением 24 В. Принципиальные схемы, конструкция и схема присоединения этих двух реле-прерывателей идентичны, за исключением некоторых номинальных значений сопротивлений резисторов и обмоточных данных электромагнитных реле. [27]
Для обеспечения прецизионных свойств пленочных микросхем необходимо строго контролировать и поддерживать режимы нанесения пленок. Юстировку параметров элементов выполняют различными способами: перепайкой или перерезанием шин, удалением части рабочего слоя механическим путем или электронным и лазерным лучами. Групповую подгонку номинальных значений сопротивлений резисторов осуществляют химическими способами или терморегулирующим отжигом. [28]
Самопроизвольное развитие лавины не происходит и не приводит к разрушению перехода, что наблюдается при пробое диода. Для правильной работы схемы защиты, показанной на рис. 1 - 23, необходимо, чтобы величина суммарного падения напряжения на приборе и резисторе д, вызываемого прохождением тока полного отклонения прибора, была бы меньше значения пробивного напряжения применяемого стабилитрона. Кратность перегрузки защищаемого прибора определяется отношением указанных напряжений и может быть установлена подбором величины номинального значения сопротивления резистора RK. Для обеспечения нормальных условий работы стабилитрона при защите прибора служит последовательно включенный резистор RO, назначением которого является ограничение тока аварийного режима до безопасных для стабилитрона пределов. В отдельных случаях резистор R0 может быть исключен, если его функции выполняются другими элементами схемы, например, защищаемая стабилитроном цепь питается от источника с большим внутренним сопротивлением. При возможности аварийного режима импульсного характера необходимо стабилитрон шунтировать конденсатором, что показано на схеме пунктиром. Такая система защиты применяется в оборудовании, содержащем высоковольтные источники, в цепях которых установлены измерительные приборы. Назначение емкости - защита стабилитрона от перегрузок импульсного характера, возникающих в высоковольтных цепях при кратковременных пробоях, могущих вывести стабилитрон из строя. [29]
Другие параметры элементов не учитываются на стадии предварительных расчетов, но затем в окончательных принимаются во внимание. Так, для открытых и насыщенных транзисторов и открытых диодов принебрегают падениями напряжения на их переходах. При закрытом состоянии тех же элементов сопротивление переходов принимается бесконечно большим. Также вначале могут не учитываться отклонения от номинальных значений сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов. [30]
Страницы: 1 2 3